Kasiarz
Wiec, tak jak obiecałem, oto wyniki:
Dane wejściowe do obliczeń:
- topologia push-pull
- napięcie zasilania 12V
- napięcie wyjściowe +/-60V
- rdzeń E55/28/21, materiał 3C90
- okno 327mm2
- przekrój efektywny 353mm2
- permeancja 6,3uH/z2
- częstotliwość pracy 100kHz
- max. czas otwarcia klucza 10uS
- max indukcja 100mT
Dane po wstępnych obliczeniach przy założonej indukcji:
- przepływ konturu rdzenia 5,6Az
- liczba zwojów uzw. pierwotnego 2x4zwoje
- indukcyjność uzwojenia pierwotnego 100uH
- maksymalny prąd magnesujący rdzeń 1,2A
Wartość prądu magnesującego wymaga korekty ilości zwojów, przyjąłem 2x5 zwojów
Nowe wyliczone wartości:
- liczba zwojów uzw. pierwotnego 2x5zwoje
- liczba zwojów uzwojenia wtórnego 2x26zwojów
- maksymalny prąd magnesujący rdzeń 0,75A
- przepływ konturu rdzenia 3,75Az
- indukcyjność uzwojenia pierwotnego 158uH
- maksymalna indukcja 67mT (nowa korzystniejsza wartość indukcji dla tego rdzenia)
Sposób nawinięcia uzwojeń:
Uzwojenie pierwotne należy nawinąć równolegle ośmioma przewodami fi 1,2mm, powinny wyjść dwie warstwy na 5 zwojów, czyli pierwotne łącznie w 4 warstwach.
Wtórne należy nawinąć dwoma równoległymi przewodami fi 1mm, podobnie jak poprzednio powinny wyjść 2x po dwie warstwy.
Rezystancja jednej gałęzi uzwojenia pierwotnego będzie miała wartość ok. 1mOhm, jednej gałęzi uzwojenia wtórnego ok. 30mOhm, co daje moc strat w uzwojeniach na poziomie ok. 2W - pierwotne, ok. 2,5W wtórne, straty w rdzeniu przy wyliczonej indukcji i częstotliwości ok. 3W.
Co do sterowania "baterią" mosfetów z SG3525 to raczej zapomnij, duża ilość tranzystorów pogorszy jeszcze sprawę. Jeśli zwiększasz liczbę tranzystorów to maleje ich rezystancja i teoretycznie maleją straty, ale rośnie pojemność bramki i wydłuża się czas przełączania i straty rosną. Dlatego przesada nie jest wskazana, po prostu powyżej pewnej granicy zamiast zmniejszyć straty, jeszcze je zwiększysz.
Zamów sobie u TEXASa układ UCC27324, jest to podwójny driver do sterowania tranzystorów MOSFET z prądem wyjściowym +/-4A, i włącz go pomiędzy SG3525 i tranzystory wyjściowe. Jako kluczy użyj IRF44, są tanie łatwo dostępne i mają lepsze parametry niż BUZ11.
Procedurę liczenia przedstawię niebawem, bo chcę zrobić przejrzysty opis. Zamieszczanie samych wzorów na niewiele się zda, sam napisałeś że ściągnąłeś kupę danych z netu i bez opisu niewiele z tego wynika.
0