Quote: Jeżeli chodzi o prąd zenerki to jest on w zupełności wystarczjący, na złaczu B-E napięcie jest blokowanę na wartości ok 0,7V, a cała reszta odkłada sie na diodzie zenera i przy odpowiednim napięciu wywołuje odpowiedni prąd zalężny od wzmocnienia prądowego tranzystora.
Układ, którego właściwości i parametry zależą od wzmocnienia tranzystorów w nim zastosowanych jest złym układem. Wypadkowe napięcie Zenera tego układu będzie równe Udz + 0,7V (w przybliżeniu) i będzie zależało również od wzmocnienia tranzystora, jakości zastosowaneh diod.
Polecam Ci książkę autorstwa Roberta Pease "Projektowanie układów analogowych" (lektura obowiązkowa każdego elektronika) na str. 101 na temat diod Zenera - przekonasz się, że przedstawiony układ nie jest do końca prawidłowy i daleko mu do inżynierskiej elegancji. Gdybyś zaprojektował np. jakiś przyrząd w którym baza jakiegoś tramzystora jest niespolaryzowana w pewnym zakresie napięc ("wisi w powietrzu") i gdyby ten przyrząd miał być produkowany, to okazło by się, że część tych przyrządów "głupieje" w pewych warunkach np. z powodu większej wilgotmości, temperatury lub "ściągania" zakłóceń przez źle dobrany punkt pracy tranzystora.
Quote: Takie zasady obowiązują ale dla układów CMOS, tranzystor bipolarny jest sterowany prądem, a nie napięciem.
Tak niestety nie jest. Prąd kolektora zależy od napięcia między bazą a emiterem. Jest to podstawa do zrozumienia działania wzmacniacza różnicowego zbudowanego na 2 tranzystorach, układów logarytmujących, układów kompensacji temperaturowej i wielu innych. Założenie, że prąd kolektora jest zależny liniowo od prądy bazy jest wystarczający tylko do niektórych zastosowań. Prąd kolektora wynika z zależności:
Ic = Is [exp(UBE/UT)-1
Prąd kolektora nie jest do końca liniowy w zależności od prądu bazy bowiem beta tranzystora zależy również od prądu kolektora i temperatury. Napięcie UBE nie jest wartością stałą ! Przyjmuje się, że jest to 0,6..0,7V ale napięcie to zmienia się od prądu bazy i od temperatury. Zwiększenie napięcia o 60mV między bazą a emiterem powoduje 10x krotny wzrost prądu kolektora. Różnice napięć UBE pomiędzy dwoma tranzystorami są wykorzystywane do budowy tzw. Bandgap voltage Reference (Polecam przeaanalizowanie takiego układu wynalezionego przez Roberta Widlara).
Quote: Z tym mogę sie zgodzić, jednak ma to znaczenie raczej w układach impulsowych i wpływa najbardziej na czas opadania i narastania impulsu prostokątnego, które jak wiadomo powinny być możliwie krótkie. W układach liniowych nie ma to już takiego znaczenia.
Niekoniecznie - w wielu zastosowaniach stromość zboczy ma znaczenie i w wielu przypadkach nie ma zasady "im stromiej, tym lepiej".
Strome zbocza mogą powodować generowanie mnóstwa harmonicznych które płynąc przez ścieżki na PCB mogą generować mnóstwo energii w.cz. od której "wariują" inne układy. Jeżli np. na zacisku triaka (lub tyrystora) podłączonego do obciążenia wartość dU/dt będzie wysoka, to spowoduje to jego włączenie w czasie, kiedy nie powinien być włączony. Z tego powodu celowo dodaje się układ RC mający na celu złagodzenie stromości zboczy.
Wracając do problemu rezystora między B i E jak spojrzysz na schematy wielu układów w których jest zastosowany np. układ Darlingtona zobaczysz że w większości przypadków jest tam zastosowany rezystor - właśnie między innymi w celu zapobiegania włączenia drugiego tranzystora prądem odcięcia kolektora tranzystora pierwszego oraz, ma to na celu przyśpieszenie wyłączania drugiego tranzystora.
