Elektroda.pl
Elektroda.pl
X
Elektroda.pl
Please add exception to AdBlock for elektroda.pl.
If you watch the ads, you support portal and users.

Łączenie MOSFET-ów ?

30 Jun 2004 20:18 5138 9
  • Level 12  
    witam
    czy można łączyć tranzystory MOSFET rownolegle w celu zwiększenia wydajności prądowej "klucza"? i sterowac je jednym sygnałem PWM?
  • Welding machines specialist
    Tu masz przykład spawarka inwertorowa MAX 150 dwa bloki połączone szeregowo w każdym po dwa tranzystory IGBT równolegle (u mnie pracuje ona na mosfetach przy naprawie stwierdziłem że tańsze )
    Sterowane są one wszystkie z jednego układu SG3525 wiadomo że przez transformator i układy formujące impulsy.Źródło sygnału jest jedno.
  • Level 12  
    witam
    dzieki za zainteresowanie
    byłem pewny na 99% ze mozna ale wolałem to skonsultować.
    mam jeszcze jedno pytanie co do łączenia MOSfetow.
    a mianowicie potrzebuję połączyć równolegle 10 tranzystorów (np. BUZ10)
    i sterowac przebiegiem PWM z uP. na czym zrobić najlepiej driver żeby wysterować 10 sztuk na raz ?
    pozdro
  • Level 20  
    ja podlaczylem 3 irf740 rowlegle i poszlo tzn. bramki razem dreny razem i zrodla razem. polaczyc np 3 tranzystory IRG4PC50FD (70A) fakt troszki drozszej wychodzi. 10 szt buz10 bym sie bal podlaczyc w ten sposob, nie wiem czy by cos z tego bylo...
  • Electronics specialist
    MOSFET-y mają tę przyjemną cechę, że im są cieplejsze, tym mają większy opór
    (w przeciwieństwie do tranzystorów bipolarnych, które zmniejszają opór z temperaturą,
    co powoduje kłopoty przy łączeniu, bo jak się zaczną nierówno grzać, to większy prąd
    płynie przez cieplejszy, więc ten cieplejszy grzeje się bardziej... aż się przepali),
    dlatego połączone równolegle trzymają z grubsza równe temperatury.

    Prawdopodobnie z tego powodu wykonuje się MOSFET-y na dziesiątki amper,
    a z tranzystorami bipolarnymi nie tak łatwo - wzrost prądu z temperaturą zachodzi
    również wewnątrz tranzystora, część złącza nagrzewa się bardziej, i jeśli moc jest
    wystarczająco duża, to nierównomierność nagrzania narasta, prowadząc do
    zniszczenia tranzystora; to, że MOSFET ma odwrotną zależność oporu od napięcia
    powoduje, że jest on odporny na ten mechanizm zniszczenia, i wystarczy wykonać
    większą strukturę, by uzyskać tranzystor zdolny do przewodzenia większego prądu.

    Obawiam się, że nie dotyczy to tranzystorów IGBT, które zawierają w swojej strukturze
    tranzystor bipolarny; nie do końca orientuję się, jakie są ich właściwości, z opisu:
    http://www.elec.gla.ac.uk/groups/dev_mod/papers/igbt/igbt.html wynikałoby, że IGBT
    może zachowywać się jak tyrystor (tyle że z izolowaną bramką - więc może być wyzwalany
    napięciem, a nie prądem), i tak jak tyrystor jest niewyłączalny, jeśli prąd przekroczy
    pewną wartość progową (ale nie mam pojęcia, jaka ta wartość jest).
    W każdym razie fakt, że jest w tym tranzystor bipolarny może powodować, że prąd
    rośnie z temperaturą (wypadałoby spojrzeć na jakieś charakterystyki), w związku
    z czym nie nadają się one do łączenia równoległego, tak jak tranzystory bipolarne.

    Uzupełnienie: z MOSFET-ami też nie tak prosto: dla małych prądów im cieplejszy,
    tym większy prąd płynie przy takim samym napięciu na bramce; dopiero przy dużych
    prądach zależność prądu od temperatury jest w "dobrą" stronę, i granica między
    "małym" i "dużym" prądem potrafi być porównywalna z dopuszczalnym prądem.
    Dlatego lepiej jest sprawdzać charakterystyki tranzystorów zanim się je podłączy...
  • Level 42  
    _jta_ wrote:
    Obawiam się, że nie dotyczy to tranzystorów IGBT, które zawierają w swojej strukturze
    tranzystor bipolarny; nie do końca orientuję się, jakie są ich właściwości, z opisu:
    http://www.elec.gla.ac.uk/groups/dev_mod/papers/igbt/igbt.html wynikałoby, że IGBT
    może zachowywać się jak tyrystor (tyle że z izolowaną bramką - więc może być wyzwalany
    napięciem, a nie prądem), i tak jak tyrystor jest niewyłączalny, jeśli prąd przekroczy
    pewną wartość progową (ale nie mam pojęcia, jaka ta wartość jest).
    Tranzystory IGBT maja efekt "zatrzaskiwania" się, ale je produkuje się tak aby do niego nie dochodziło. Może inaczej: producent gwarantuje że w obszarze pracy do jakiego jest przeznaczony tranzystor, tranzystor zawsze można wyłączyć.
  • Level 32  
    Smashing wrote:
    ja podlaczylem 3 irf740 rowlegle i poszlo tzn. bramki razem dreny razem i zrodla razem. polaczyc np 3 tranzystory IRG4PC50FD (70A) fakt troszki drozszej wychodzi. 10 szt buz10 bym się bal podlaczyc w ten sposob, nie wiem czy by cos z tego bylo...

    Bramki tranzystorów MOSFET należy łączyć ze źródłem sygnału poprzez rezystor kilkaset omów w celu uniknięcia oscylacji pasożytniczych. Można połaczyć 10 i więcej i napewno będzie działać.
  • Level 12  
    Witam.
    Z ostatnich doświadczeń mogę powiedzieć że łączenie takiej ilości tranzystorów MOS nie jest dobrym pomysłem ze względu na rozrzut parametrów poszczególnych elementów. Przy próbie włączenia ich na raz nie wszystkie włączą się jednocześnie co może spowodować uszkodzenie niektórych egzemplarzy. Należy dodać że do każdgo tranzystora MOS należy zastosować driver który też bedzie powodował mniejsze lub większe opóźnienia. Obecnie firmy półprzewodnikowe oferują szeroką gamę tranzystorów wiec dobór odpowiedniego egzemplarza nie jest trudny (tylko że czasem ceny zwalają z nóg)
    Pozdrawiam.
  • Level 13  
    Witam!
    przy łączeniu dużej ilości MOSFETÓW trzeba jeszcze wziąc pod
    uwagę częstotliwość przełączania, bowiem "duże" MOS-y (20 i więcej A)
    mają pojemność bramki sięgającą kilku nanofaradów!!!
    już chyba wiadomo czas i pojemność to stromość zbocza przełączania,
    czyli grzanko, jak słoneczko. Aby to przeskoczyć, trzeba dać potężny
    driver zdolny dostarczyć prądu 1-2A. To wszystko przy częstotliwościach
    przetwornicowych, czyli od 20 kHz w górę.
    Pozdrawiam
  • Level 12  
    Bogatszy o ostatnie doświadczenia moge polecić wszystkim świetne drivery MOS-fetów produkowane przez TI, UCC27424 sprawdziłem je praktycznie na kilku rodzajach MOS-fetów m.in. IXFN106N20(200V, 106A) którego pojemność bramki wynosi aż 9 nF! Działają bez zarzutu i mozna je zamówić w różnych konfiguracjach.