Konstrułuje pewien układ, w którym będe wykorzystywał PWM. Do ich wysterowanie używam tranzystora polowego BUZ10 (otwiera się przy 3,8[V] wszytskie parametry pasują idealnie) ale mam pewne wątpliwości.
1. Czy uda mi się osiągnąć częstliwość rzędu około 15kHz? (czytałem o pazożytniczych pojemnościach ale ze szkolnego wzoru wyszło mi że naładowanie kondensatora będzie trwać ok 5 mikrosekund)
2. Czy tranzystor będzie się bardzo grzać? (Wydaje mi się, że przez jakiś mały okres czasu PWM będzie zwarte do masy do czasu naładowania pazożytniczej pojemności, ale zmierzyłem na procesorze prąd zwarcia, wyszło ok. 70mA więc teoretycznie nie powinien się mocno grzać).
3. Na jakiej zasadzie liczymy moc strat tranzystrów polowych MOSFET bo wyczytałem, że najwięcej energii jest tracone podczas ładowania pojemności. Dlaczego tak się dzieje. Czy tę moc możemy obliczyć biorąć całkę z I*U na tej pasożytniczej pojemności.
Pozdrawiam
1. Czy uda mi się osiągnąć częstliwość rzędu około 15kHz? (czytałem o pazożytniczych pojemnościach ale ze szkolnego wzoru wyszło mi że naładowanie kondensatora będzie trwać ok 5 mikrosekund)
2. Czy tranzystor będzie się bardzo grzać? (Wydaje mi się, że przez jakiś mały okres czasu PWM będzie zwarte do masy do czasu naładowania pazożytniczej pojemności, ale zmierzyłem na procesorze prąd zwarcia, wyszło ok. 70mA więc teoretycznie nie powinien się mocno grzać).
3. Na jakiej zasadzie liczymy moc strat tranzystrów polowych MOSFET bo wyczytałem, że najwięcej energii jest tracone podczas ładowania pojemności. Dlaczego tak się dzieje. Czy tę moc możemy obliczyć biorąć całkę z I*U na tej pasożytniczej pojemności.
Pozdrawiam