Zastosowanie tranzystora MOSFET z kanałem typu p jako element przełączający napięcia przekraczające 100 V, pozwala uprościć cały schemat. Aby sterować tranzystorem MOSFET i zredukować straty wydzielane w postaci ciepła, należy na przemian ładować i rozładowywać pojemność wejściową między jego bramką a źródłem. Na powyższym schemacie, tranzystor Q7 załącza napięcie o wartości 50 V do obciążenia. Sygnałem sterującym jest sygnał PWM o częstotliwościach do 60 kHz ze zmiennym wypełnieniem. Elementy Q4, R5,R4, R3, D2 i D3 ustalają potencjał na bramce Q7 i nie pozwalają aby napięcie bramka-źródło przekroczyło 10 V. Gdy Q4 przewodzi, na diodzie D3 pojawia się napięcie 10 V, które przez wzmacniacz operacyjny trafia na bramkę Q7 i spowoduje załączenie tego tranzystora. IC1A to wzmacniacz operacyjny MC33072 potrafiący wysterować obciążenie pojemnościowe już od wartości 10 nF. Kombinacja elementów D4, R1, R2, Q1, Q2 i C1 ustala „masę” dla wzmacniacza operacyjnego – napięcie o wartości 38 V. Gdy na anodzie D3 pojawi się potencjał 50V, ustalony przez tranzystory Q3, Q5 i Q6 oraz elementy towarzyszące, tranzystor Q7 zostaje wyłączony. Diody D1 i D2 poprawiają szybkość działania tranzystorów Q5 i Q4. Powyższy układ pozwala uzyskać czasy narastania i opadania na poziomie 500 ns na wyjściu Q7.
Źródło: EDN 21 January 2010
Fajne? Ranking DIY