logo elektroda
logo elektroda
X
logo elektroda
REKLAMA
REKLAMA
Adblock/uBlockOrigin/AdGuard mogą powodować znikanie niektórych postów z powodu nowej reguły.

Sterowanie MOSFETem prosto z Atmegi

revolt 05 Kwi 2010 20:49 2272 6
REKLAMA
  • #1 7924204
    revolt
    Poziom 34  
    Nigdy niczego z MOSFETAmi nie grzebałem i od znajomego usłyszałem, że sterowanie powinno być zrobione poprzez tranzystor bipolarny (ale chyba chodziło mu o sterowanie Nkanałem przy wysokim nap. zasilania). A więc - chce przełączać zasilanie bateria/sieciowe poprzez klucz tranzystorowy. Cały układ pobiera w porywach ok 2A, normalnie ok 500mA, zasilany z 4V. Zrobiłem na zwykłych PNP, ale takie tranzystory mają przy takich prądach małe wzmocnienie i do poprawnego otwarcia potrzebny jest prąd rzędu 40mA. Na zasilaniu bateryjnym to nie mało więc pomyślałem o zastosowaniu MOSFETa z kanałem P. Znalazłem takie cudeńko: IRF7316PBF
    http://zefiryn.tme.pl/dok/wd1/irf7316.pdf
    Czy mogę taki tranzystor sterować bezpośrednio z Atmegi ? Czy przy tych 2 A nie usmaży się w takiej obudowie? Bipolarne PNP mam w obudowach TO220.
  • REKLAMA
  • Pomocny post
    #2 7924356
    ktrot
    Poziom 20  
    Bardzo dobry, mały rds jak na Pmosfet. Przy prądzie 2A wydzieli się na nim Ptot<2A*2A*0,1ohm = 400mW to dosyć dużo na tę obudowę ale piszesz, że 2A będzie w porywach. Oszacuj średni prąd i policz Ptot= I^2*rds. Jeżeli wyjdzie mniej niż 200mW to może pracować w takich warunkach ciągle. Jeżeli ten mosfet ma metalizowany spód to wykorzystaj go do odprowadzenia ciepła.

    Co do sterowania to podłącz bezpośrednio do uC. Sterowanie przez dodatkowe drivery (w najprostszym przypadku przez tranzystor ) stosuje się w układach przełączających na poziomie kHz (np przy PWM).
  • REKLAMA
  • #3 7925246
    revolt
    Poziom 34  
    Użyję jednak http://zefiryn.tme.pl/dok/a03/irf7314q.pdf Z tego co chyba dobrze odczytuję Rds ma lepsze wartości w okolicach 4 V -Ugs (około 55 mOhm).
    Czyli żadnego rezystora pomiędzy uP a bramkę nie dawać? Spotkałem się z rezystorami 10k-100k Ohm włączonymi pomiędzy bramkę a masę - czy przez nie ma się ewentualnie pozostały ładunek rozładowywać?
  • REKLAMA
  • #4 7925273
    ShEvU_elektro
    Poziom 25  
    Rezystor między bramkę a masę służy do spolaryzowania, dzięki temu nie będziesz miał stanów nieustalonych na tejże bramce.
  • REKLAMA
  • #5 7925833
    rpal
    Poziom 27  
    Jak nie dasz rezystora to może się okazać że nie da się wyłączyć tranzystora a ładunek na bramce będzie się utrzymywał czasem przez kilka sekund jak słusznie przedmówca zauwazył będziesz mial stan nieustalony.Może dla mosfeta z kanałem N nie będzie to aż tak istotne ale jak zastosujesz kanał P czyli wyłaczanie wysokim poziomem a właczanie niskim to zobaczysz jakie spotkają ciebie niespodzianki :) Co do tranzystora to lepsze odprowadzanie ciepła mają te w obudowach SOT233 albo SOT223 nie pamiętam dokładnie jakie jest poprawne oznaczenie.
  • #6 7926083
    PiotrPitucha
    Poziom 34  
    Witam
    Jeśli stosujesz tranzystor z kanałem P to rezystor będzie do zasilania a nie do masy i oczywiście niski stan logiczny załączy tranzystor.
    Generalnie rezystor ma być między G i S wtedy nie musimy myśleć w kategoriach masy i zasilania.
    Stany nieustalone będą wyłącznie w czasie resetu procesora czyli ms a nie sekundy a rezystor przed nimi skutecznie zabezpieczy, 10K spokojnie starczy i nie obciąży zbytnio wyjścia procesora.
    Piotr
REKLAMA