Elektroda.pl
Elektroda.pl
X
Proszę, dodaj wyjątek dla www.elektroda.pl do Adblock.
Dzięki temu, że oglądasz reklamy, wspierasz portal i użytkowników.

sterowanie mosfetów

01 Wrz 2004 14:47 2088 7
  • Poziom 12  
    Witam
    Czy mółby mi ktoś nieco wyjaśnić temat związany z sterowaniem mosfetów??
    Chodzi o to kiedy należy stosować dodatkowe układy sterujące bramką.
    W większości materiałów opisywane jest tylko, że MOSfety są znacznie lepsze od tranzystorów bipolarnych. Jednak ich wadą jest pewna pojemność bramki która zaczyna przysparzć kłopotów przy większych częstotliwościach. Jak mam ocenić która częstotliwość jest już duża i należy zastosować układ sterujący bramką , a która jeszcze nie.


    Pozdrawiam i dzięki
  • Poziom 31  
    sterowanie mosfetami odbywa się teoretycznie napięciowo ale biorąc pod uwagę pojemność bramki potrzebny jest prąd do przeładowania tej pojemności. jeżeli mamy mosfeta we wzmaku to nie ma problemu częstotliwości są małe i nie potrzeba stosować sterowników, a często spotyka się jeszcze rezystory bramkowe. natomiast w przypadku przetwornic częstotliwości są zazwyczaj duże i układ sterujący nie ma wystarczającej wydajności prądowej i stosuje się sterowniki. poprawiają one stromość zboczy w stosunku bez sterownika czyli mniejcze straty. dodatkowo niektóre układy wymagają sterowania parą mosfetów na różnych poziomach napięć; są takie sterowniki które potrafią temu podołać. to tak z grubsza
    Pozdrawiam
  • Poziom 32  
    Na stronach producentów tranzystorów MOSFET są noty aplikacyjne w których dokładnie z przykładami są opisane sposoby sterowania. Proponuję poszperać w internecie i poszukać takich informacji.
  • Poziom 12  
    Panda02 napisał:
    Na stronach producentów tranzystorów MOSFET są noty aplikacyjne w których dokładnie z przykładami są opisane sposoby sterowania. Proponuję poszperać w internecie i poszukać takich informacji.


    Niestety z moim angielskim nie jest najlepiej,
    Szukłem też co nieco w necie (polskim), lecz to co znalazłem naogół powierzchownie podejmowało temat.
  • Poziom 32  
    Niestety większość literatury jest w języku angielskim. Stąd wniosek, że trzeba ten język opanować w stopniu umożliwiającym rozumienie tekstów technicznych. To dygresja odbiegająca od tematu, ale chcąc nadążać za rozwojem techniki znajomość języków obcych to konieczność.
  • Poziom 23  
    Problemy są zasadniczo dwa: obciążenie stopnia sterującego i częstotliwość maksymalna. Oba wynikają stąd, że bramka to mniej więcej kondensator, który trzeba naładować i rozładować.
    Z tego widać, że muszą być dwa tranzystory sterujące - "ładujący" i "rozładowujący". Prąd ładowania i rozładowania ogranicza się rezystorem szeregowym. Im większy rezystor, tym mniejszy prąd - tym mniejsze tranzystory sterujące. Jednak, w związku z tym, że pojemność bramki może być nawet kilka nF, nie można tego rezystora zwiększać za bardzo, bo kondensator nie zdąży się naładować ( T=R*C). I to jest właśnie ograniczenie częstotliwościowe. Poza tym MOSFET mało grzeje się, gdy jest całkowicie zamknięty lub całkowicie otwarty, więc należy dążyć do jak najszybszego naładowania bramki (jak najmniejsza stała czasowa).Dorzucam schemat, na którym wszystko widać.pozdro.
  • Poziom 12  
    Dzięki Wielkie
    Duż mi to rozjaśnniło
    Pozdrawiam
  • Poziom 12  
    Dzięki Wielkie
    Duż mi to rozjaśnniło
    Pozdrawiam