Witam forumowiczów i przepraszam za ścianę tekstu, jednak nurtują mnie pytania, na które odpowiedzi znaleźć nie mogłem.
Dużo czytałem o w.cz., robiłem symulację, przeglądałem informacje o elementach, dostępne rozwiązania i literaturę. Chciałem teraz zrobić coś praktycznego, jednak nigdzie nie znalazłem kompleksowego opisu krok po kroku jak wszystko "przełknąć".
Znalazłem wiele opisów jednak żaden nie był pełny i nie odpowiedział na moje pytania.
Chciał bym w punktach zapytać o konkretne rzeczy, prosił bym o to, aby ktoś kto zna odpowiedź, co do jakiegoś punktu podzielił się nią ze mną
Cel: Wzmacniacz 100mW na częstotliwość 433MHz. Nie mam zamiaru używać go do nadawania, chcę go tylko pomierzyć. Częstotliwość dlatego taka, bo mam działające układy używające modułów na CC1000 z wyjściem SMA - 50Ohm i będzie mi łatwo to podpiąć jako regulowane źródło mocy z zakresu -30dBm do 10dBm. Do symulacji używam programu ADS, alternatywnie programu Qucs.
1) Tranzystor ma impedancję wejściową i wyjściową. Jest prawie unilateralny, zatem wejście widzi wyjście ale wyjście widzi wejście znacznie słabiej (S12 -> 0).
Czyli najpierw dopasowuje na wyjściu, potem na wejściu?
(Wtedy dopasowanie wyjściowe mniej się rozjedzie niż rozjechało by się wejściowe)
2) VSWR - czy to się uwzględnia we wzmacniaczach i z czym się właściwie to zjada? Czytałem o tym przeglądając posty z o CB i tam odnosiło się to do dopasowania anteny.
3) Jakiego tranzystora użyć, te, które znalazłem mają częstotliwość graniczną na kilku GHz, więc to chyba porywanie się z armatą na komara?
4) Tranzystory bipolarne z Ft około 2GHz nie miały podanych parametrów macierzy rozproszenia tylko pojemność kolektora, emitera i przejściową. Czy to znaczy, że aby je symulować mam do standardowego modelu wstawić te 3 wartości? Przykład takiego tranzystora to BFG35.
5) Znalazłem np. ATF-53189. Mam jego pełny model do ADS i model w postaci parametrów S dla określonego punktu pracy (mogę go używać w ADS i w Qucs).
Jednak model S i pełny model dają różne wyniki przy dopasowaniach. Którym się sugerować?
6) Macierze S wspomniane wyżej są podobne na 2.4GHz, czy to znaczy że producent ten rzeczywisty model optymalizował, aby symulował tranzystor w okolicy tej popularnej częstotliwości?
7) Czy plik s2p (zawierający macierz S dla danych częstotliwości) powstaje u producenta w wyniku rzeczywistych pomiarów?
8) Jak zmieniają się parametry macierzy S, mało sygnałowej, którą daje producent? Chodzi o to że w przypadku takiego wzmacniacza na wejściu dostaje mały sygnał, więc można spokojnie korzystać z S11, jednak na wyjściu jest już duży sygnał (np. 100mW) więc to S22, które jest podane dla małego sygnału nie będzie prawdziwe. Czy dużo się będzie różnić?
9) Podczas prób dopasowania ATF-53189, po dopasowaniu wyjścia do 50Ohm otrzymałem ujemną część rzeczywistą w impedancji wejściowej i S11 około 2.5.
Czy to znaczy że na tą częstotliwość (433MHz) ten tranzystor się nie nada bo nie można go w niej dopasować i wychodzi jakiś generator?
10) Z czego wynika dolne ograniczenie pracy takiego tranzystora we wzmacniaczu? Górne to wiadomo, ale dolne? Zaczyna poniżej tego robić z siebie generator jak wspomniałem w punkcie powyżej?
11) Przy dopasowaniu na maksymalną moc liczę rezystancję optymalną z charakterystyk tranzystora, a jako część urojoną impedancji, jaką ma widzieć wyjście tranzystora biorę sprzężoną wartość jego impedancji wyjściowej
Czym się takie dopasowanie będzie różnić od takiego "zwykłego", gdybym impedancję wyjściową zwyczajnie przetransformował na 50Ohm?
To chyba tyle, jeśli chodzi o to co zalegało mi w głowie i nikt nie był w stanie teo raz a dobrze poukładać:/
Dużo czytałem o w.cz., robiłem symulację, przeglądałem informacje o elementach, dostępne rozwiązania i literaturę. Chciałem teraz zrobić coś praktycznego, jednak nigdzie nie znalazłem kompleksowego opisu krok po kroku jak wszystko "przełknąć".
Znalazłem wiele opisów jednak żaden nie był pełny i nie odpowiedział na moje pytania.
Chciał bym w punktach zapytać o konkretne rzeczy, prosił bym o to, aby ktoś kto zna odpowiedź, co do jakiegoś punktu podzielił się nią ze mną
Cel: Wzmacniacz 100mW na częstotliwość 433MHz. Nie mam zamiaru używać go do nadawania, chcę go tylko pomierzyć. Częstotliwość dlatego taka, bo mam działające układy używające modułów na CC1000 z wyjściem SMA - 50Ohm i będzie mi łatwo to podpiąć jako regulowane źródło mocy z zakresu -30dBm do 10dBm. Do symulacji używam programu ADS, alternatywnie programu Qucs.
1) Tranzystor ma impedancję wejściową i wyjściową. Jest prawie unilateralny, zatem wejście widzi wyjście ale wyjście widzi wejście znacznie słabiej (S12 -> 0).
Czyli najpierw dopasowuje na wyjściu, potem na wejściu?
(Wtedy dopasowanie wyjściowe mniej się rozjedzie niż rozjechało by się wejściowe)
2) VSWR - czy to się uwzględnia we wzmacniaczach i z czym się właściwie to zjada? Czytałem o tym przeglądając posty z o CB i tam odnosiło się to do dopasowania anteny.
3) Jakiego tranzystora użyć, te, które znalazłem mają częstotliwość graniczną na kilku GHz, więc to chyba porywanie się z armatą na komara?
4) Tranzystory bipolarne z Ft około 2GHz nie miały podanych parametrów macierzy rozproszenia tylko pojemność kolektora, emitera i przejściową. Czy to znaczy, że aby je symulować mam do standardowego modelu wstawić te 3 wartości? Przykład takiego tranzystora to BFG35.
5) Znalazłem np. ATF-53189. Mam jego pełny model do ADS i model w postaci parametrów S dla określonego punktu pracy (mogę go używać w ADS i w Qucs).
Jednak model S i pełny model dają różne wyniki przy dopasowaniach. Którym się sugerować?
6) Macierze S wspomniane wyżej są podobne na 2.4GHz, czy to znaczy że producent ten rzeczywisty model optymalizował, aby symulował tranzystor w okolicy tej popularnej częstotliwości?
7) Czy plik s2p (zawierający macierz S dla danych częstotliwości) powstaje u producenta w wyniku rzeczywistych pomiarów?
8) Jak zmieniają się parametry macierzy S, mało sygnałowej, którą daje producent? Chodzi o to że w przypadku takiego wzmacniacza na wejściu dostaje mały sygnał, więc można spokojnie korzystać z S11, jednak na wyjściu jest już duży sygnał (np. 100mW) więc to S22, które jest podane dla małego sygnału nie będzie prawdziwe. Czy dużo się będzie różnić?
9) Podczas prób dopasowania ATF-53189, po dopasowaniu wyjścia do 50Ohm otrzymałem ujemną część rzeczywistą w impedancji wejściowej i S11 około 2.5.
Czy to znaczy że na tą częstotliwość (433MHz) ten tranzystor się nie nada bo nie można go w niej dopasować i wychodzi jakiś generator?
10) Z czego wynika dolne ograniczenie pracy takiego tranzystora we wzmacniaczu? Górne to wiadomo, ale dolne? Zaczyna poniżej tego robić z siebie generator jak wspomniałem w punkcie powyżej?
11) Przy dopasowaniu na maksymalną moc liczę rezystancję optymalną z charakterystyk tranzystora, a jako część urojoną impedancji, jaką ma widzieć wyjście tranzystora biorę sprzężoną wartość jego impedancji wyjściowej
Czym się takie dopasowanie będzie różnić od takiego "zwykłego", gdybym impedancję wyjściową zwyczajnie przetransformował na 50Ohm?
To chyba tyle, jeśli chodzi o to co zalegało mi w głowie i nikt nie był w stanie teo raz a dobrze poukładać:/