Elektroda.pl
Elektroda.pl
X

Search our partners

Find the latest content on electronic components. Datasheets.com
Elektroda.pl
Please add exception to AdBlock for elektroda.pl.
If you watch the ads, you support portal and users.

[ATMega8][PWM] Silnik DC uszkadza MOSFET

stasiu2323 20 Sep 2013 20:12 23282 70
  • #31
    buzzy02
    Level 11  
    witam odnawiam temat mam taki problem grzeje mi sie fet czestotliwosc 1,866khz
    juz mi rece opadaja przy małych obrotach jest ok ale przy wiekszych jest farelka
    silnik o mocy około 30w fet to buz11
  • #32
    buzzy02
    Level 11  
    a feta juz 2 razy wymieniałem pomocy
  • #33
    PiotrPitucha
    Level 33  
    Witam
    Coś mi tu nie gra z tym paleniem tranzystora, więc po kolei wtrącę swoje trzy grosze.
    - tranzystory MOSFET mocy mają w strukturze diodę która ma parametry porównywalne z tranzystorem
    - prąd z zasady nie może zmienić nagle swojej wartości, w związku z tym dioda nie jest nigdy potraktowana większym prądem niż ten w chwili wyłączenia silnika, wniosek : wcale nie musi mieć większego prądu dopuszczalnego niż tranzystor !!
    - każdy obwód ma jakąś indukcyjność, w związku z tym zasilanie powinno być blokowane dużymi pojemnościami
    - prąd w dobrze wykonanym układzie zamyka się przez zasilanie więc stosowanie zewnętrznej diody w MOSFET mija się z celem, ma to sens w tranzystorach bipolarnych.
    - tranzystor MOSFET by się zamknął musi mieć podane odpowiednie napięcie na bramkę, należy dobrać tranzystor do napięcia sterującego, są takie co łączą przy logice 5V bez kłopotu, innym i 8V nie starcza.
    Reasumując:
    Dobrze podłączony tranzystor nie wymaga dodatkowej diody, szczególnie jak sterujemy PWM i pakujemy wolną diodę 1N4004 a dioda w strukturze wytrzymuje np. 50A i jest na niej mniejszy spadek napięcia, jeśli już kombinować to zamiast tej diody można dać identyczny tranzystor jak ktoś ma długie kable zasilające i nieodtłumione zasilanie.
    Stawiam na to że to nie przepięcia niszczą tranzystor tylko przegrzanie z niepełnego otwarcia.
    Opornik w bramce jest potrzebny nie tranzystorowi MOSFET tylko układowi sterującemu, producenci tak zalecają i raczej mają rację, popatrz na układ zastępczy MOSFETa to zrozumiesz dlaczego.
    Pozdrawiam
  • #34
    buzzy02
    Level 11  
    prawdopodobnie tak jest gdyz buz grzeje sie az do odlutowywania z płytki . Ten rezystor na bramce jest po to by mogła sie ładowac a tranzystor to bc817 rozładowujacy bramke. Sterowane jest wszystko atmega 8 dioda zgadza sie nic nie daje. czy bez niej czy z nia jest to samo. Dodam ze silnik jest na napiecie 8,4v i osiaga nawet 11000 obr wiec moze to ma wpływ na grzanie.
    Co moge jeszcze dodac , gdy dam wypełnienie 100% fet nie powinien sie grzac gdyz fet powinien byc otwarty na maxa . A tu znowu farelka. Zaczynam dopiero z pwn wiec prosze o wyrozumiałosc i dziekuje za odpowiedz
  • #35
    atom1477
    Level 43  
    PiotrPitucha wrote:
    - prąd w dobrze wykonanym układzie zamyka się przez zasilanie więc stosowanie zewnętrznej diody w MOSFET mija się z celem, ma to sens w tranzystorach bipolarnych.

    Reasumując:
    Dobrze podłączony tranzystor nie wymaga dodatkowej diody, szczególnie jak sterujemy PWM i pakujemy wolną diodę 1N4004 a dioda w strukturze wytrzymuje np. 50A i jest na niej mniejszy spadek napięcia, jeśli już kombinować to zamiast tej diody można dać identyczny tranzystor jak ktoś ma długie kable zasilające i nieodtłumione zasilanie.

    Jednym słowem: bzdury.
    Poczytaj to.

    buzzy02: Tranzystor się grzeje bo:
    1. Jest źle sterowany.
    W takim połączeniu wymagał by napięcia na bramce większego niż VCC (12V).
    A takiego nie dostaje. Dostaje 12V. Żeby się otworzyć wymaga tak minimum ze 4V pomiędzy bramką a źródłem. A żeby jakikolwiek większy prąd przepuścić to więcej, tak z 6V powiedzmy.
    Tam więc masz 6V na tranzystorze i płynie prąd obciążenia z 1A. I to już 6W strat mocy. I z powodu tego złego sterowania będzie się grzał też przy wypełnieniu PWMa 100%, co sam zauważyłeś.
    2. Masz jakąś cewkę na drenie nie wiadomo po co. Może konkretnie na grzanie ona nie wpływa ale na pewno nic dobrego nie wprowadza do układu.
    3. Dioda jest źle podłączona. Przy wyłączaniu silnika (w każdym takcie PWMa) silnik indukuje przepięcie aby podtrzymać przepływ prądu. Z racji źle włączonej diody prąd przez tą diodę nie popłynie. Przy takim podłączeniu silnika (jedną końcówką do masy), indukowane przepięcie na silniku ma wartość ujemną (na tej końcówce od strony MOSFETa). Z racji tego że dioda jest źle włączona prąd przez nią nie płynie. I napięcie spada znacznie poniżej masy. Tutaj jednak zadziała dioda z MOSFETa, tylko warto zaznaczyć jak zadziała. Otóż zadziała w swoim kierunku zaporowym. A że jest to dioda Zenera to napięcie "przewodzenia" w tym kierunku zaporowym będzie duże. Przy tym MOSFECie: -55V. Tak więc straty mocy były by duże (przeływ prądu 1A przy 55V: 55W strat mocy).
    Tutaj akurat trochę sytuację ratuje zwarcie bramki do masy.
    Napięcie na źródle spada do wartości ujemnych, ale przy -4...-6V tranzystor ponownie się otwiera a więc straty mocy zostają ograniczone. Ale ze 4...6W strat dalej jest.
    Tak więc musisz poprawić sterowanie. Najlepiej sterować silnikiem od strony masy.
  • #36
    Tomasz Gumny
    Level 28  
    BUZ11 zamień na jakiś MOSFET typu P a diodę podłącz równolegle do silnika.
  • #37
    emarcus
    Level 38  
    buzzy02 wrote:
    a feta juz 2 razy wymieniałem pomocy

    Przede wszystkim, stosujesz błędny diagram(schemat podłączenia silnika DC poprzez MOSFET).
    Nie analizowałeś dyskusji w tym wątku i dlatego robisz zasadnicze błędy (!)..
    ]
    Popatrz, stosujesz N-channel MOSFET, który winien by włączony po stronie niskiej względem obciążenia (silnika) t.zn. jego 'source' ma byc podłączony bezpośrednio do GND.
    Jeżeli obciążenie ma charakter indukcyjny (a silnik nim jest !) to wymagane jest stosowanie dodatkowej diody włączonej równolegle do silnika i spolaryzowanej odwrotnie do przepływu prądu.
    Jej zadanie jest zniwelowanie "Back EMF" podczas wyłączania prądu w obwodzie silnika, czego oczywiście w żaden sposób nie może spełnic dioda wbudowana w MOSFET.
    (Mr. Pitucha tu wprowadził cię w błąd).
    Jakie zadanie miałby spełniac resistor włączony pomiędzy drain trasistora a zasilanie 12V z twojego diagramu???
    Patrz tutorial:
    http://reibot.org/2011/09/06/a-beginners-guide-to-the-mosfet
    a także:
    http://www.electronics-tutorials.ws/transistor/tran_7.html
    Pomocnym byłoby też obejżec ten krótki video clip:

    http://www.youtube.com/watch?v=Te5YYVZiOKs
    albo nawet ten:
    http://www.youtube.com/watch?v=10R0Mrqwjuo

    Soróbuj zastosowac 'Low level' mosfet np.
    IRLZ 44
    2N06L09
    4N06L07
    12N20L
    lub podobny....
  • #38
    BlueDraco
    MCUs specialist
    Moim skromnym zdaniem problem leży w braku diody antyrównolegle z silnikiem, o której w tym wątku pisano wielokrotnie, co Szanowny Autor konsekwentnie zignorował. Oczywiście szukając "lepszego" rozwiązania po drodze zepsuto dobry i prościutki schemat - NMOS źródłem do masy, drenem do silnika, bramka bezpośrednio lub przez rezystor np. 470 R do uC i dodatkowo wyjście uC sterujące bramką do masy przez np. 20k. Nie trzeba nawet tranzystora "logic level", wystarczy taki specyfikowany na 4.5 V (ale BUZ 11, o ile mnie pamięć nie myli, jest specfikowany na 10 V, więc się nie nadaje). Jeśli nie ma sterowania PWM, nie są potrzebne żadne wzmacniacze do sterowania MOS.
  • #39
    PiotrPitucha
    Level 33  
    Witam
    Masz rację Atom, dioda w strukturze MOSFETa nie zastąpi diody przy silniku pomyślałem o rozpływie prądu w pełnych mostkach, a tam jest sytuacja troszkę inna.
    Natomiast zdecydowanie jestem przeciw pisaniu o diodzie w strukturze jako diodzie zenera, żaden z PDFów do tranzystorów nie potwierdza takiej możliwości, jest tam szybka dioda najprawdopodobniej schottky ze swojej natury przeznaczona do pracy w kierunku przewodzenia i dla takiej możliwości podawane są dopuszczalne prądy i spadki napięcia w kierunku przewodzenia, dodam ze dioda jest o doskonałych parametrach i tańsza niż większość diod na porównywalne prądy.
    Liczenie strat w tranzystorze przeprowadzasz w jakiś dziwny sposób, tak jakby w cewce płynął cały czas prąd o stałej wartości, a jak wygląda zanik prądu w cewce to chyba wszyscy wiedzą i nie trzeba się powoływać na wykresy.
    Pozdrawiam
  • #40
    buzzy02
    Level 11  
    ten rezystor na zasilaniu to cewka na ktorej ma sie odkładac prad zwarciowy wyjscia . Czyli podsumujmy . Mosfet steruje silnik od strony masy . Dioda szotkiego ruwnolegle z silnikiem w kierunku zaporowym . Chciał bym zostawic tego buza wiec trzeba by było jakas inaczej go wysterowac . Tylko jak by to zrobic . na moim diagramie stan na gramce miał byc miedzy 12v a 0 wol wiec gdzie te 6 co piszecie gdy na procesorze dam 0 czyli pełne otwarcie feta mam na bramce 12v wiec niby jest ok. Moge sie mylic i pewnie tak jest .
  • #41
    BlueDraco
    MCUs specialist
    Weź właściwy tranzystor. Łatwiej chyba zmienić jeden tranzystor niż dokładać stopień wzmacniający.

    Być może obecnie tranzystor sterujący bramką MOSFETa nie wychodzi odpowiednio szybko z nasycenia.
  • #42
    buzzy02
    Level 11  
    hura udało sie fet sie nie grzeje wogule .podziekowania dla emarcus i dla atom1477. chciał bym teraz rozwiazac problem brzeczenia a nie chce zakładac nowego tematu . silniczek buczy po zmianie czestotliwosci buczy ale z wieksza czestotliwoscia w poprzedniej mojej konfiguracji ndawałem kondensatorek na wyjsciu a co mugł bym zrobic tutaj?
  • #43
    atom1477
    Level 43  
    PiotrPitucha wrote:
    Natomiast zdecydowanie jestem przeciw pisaniu o diodzie w strukturze jako diodzie zenera, żaden z PDFów do tranzystorów nie potwierdza takiej możliwości

    Niektóre potwierdzają :D
    Ta dioda to tylko model, bo nie jest ona celowo wbudowana a jedynie pasożytnicza.
    Tak samo jest tam wbudowany pasożytniczy tranzystor BJT a też się o nim zwykle nie mówi. A on tam jest: przykład (strona 7).
    I tutaj dochodzimy do diody Zenera. Otóż znalazłem kiedyś jeszcze bardziej wyszukany PDF gdzie były dokładnie rozpisane parametry tej pasożytniczej diody. I się okazało że ma ona właściwości diody Zenera, a dokładniej mówiąc diody z przebiciem lawinowym którą zwyczajowo się nazywa diodą Zenera.
    I nawet postanowiłem to sprawdzić.
    Prawie każdy zwykły element półprzewodnikowy ma jakieś napięcie maksymalne.
    Powyżej niego następuje uszkodzenie. Warto jednak wiedzieć jak to działa. Otóż złącze przebija (lawinowo) i uszkodzenie jest powodowane przez przepływ prądu a nie przez samo napięcie. Nawet się kiedyś zdziwiłem że można zmierzyć napięcie maksymalne danego półprzewodnika zasilając go przez szeregowy rezystor o dużej wartości (rzędu MΩ). Wtedy po przebiciu lawinowym element nie ulegnie uszkodzeniu.
    Element jednak nie jest elementem lawinowym, mimo że następuje tam przebicie lawinowe.
    Elementem lawinowym jest specyficzny element, który owe przebicie przyjmuje (na klate :D ) bez uszkodzenia.
    I teraz czym się różni od tego zwykłego elementu dioda Zenera (lub tez dioda z przebiciem lawinowym, ale pracująca jak dioda Zenera czyli jako stabilizator napięcia). Otóż taka dioda działa właśnie tak jak napisałem wyżej: po przebiciu nie ulega uszkodzeniu. Taką diodę uszkodzi dopiero nadmierna moc strat.
    I dlaczego nazywam diodę w MOSFECie diodą Zenera (uściślając była by to dioda z przebiciem lawinowym). Bo po przekroczeniu napięcia maksymalnego ta dioda nie ulega uszkodzeniu i stabilizuje napięcie. Czyli zachowuje się jak dioda Zenera.
    To też pewna nieścisłość, ale lepiej oddaje co się w tej diodzie dzieje niż model zwykłej diody.
    A tutaj do poczytania:
    Link1 strona 5.
    Link2 strony 24 i 25
    Link3 całość

    PiotrPitucha wrote:
    Liczenie strat w tranzystorze przeprowadzasz w jakiś dziwny sposób, tak jakby w cewce płynął cały czas prąd o stałej wartości, a jak wygląda zanik prądu w cewce to chyba wszyscy wiedzą i nie trzeba się powoływać na wykresy.

    No widać nie wszyscy :D Bo ja chyba nie wiem. Bo jak dla mnie zanik wygląda powoli, czyli prawie tak jak by go nie było. Dlatego myślę że do liczenia strat wystarczy przyjąć stałą wartość prądu.

    buzzy02 wrote:
    na moim diagramie stan na gramce miał byc miedzy 12v a 0 wol wiec gdzie te 6 co piszecie gdy na procesorze dam 0 czyli pełne otwarcie feta mam na bramce 12v wiec niby jest ok. Moge sie mylic i pewnie tak jest .

    Nie liczy się napięcie na bramce, ale napięcie pomiędzy bramką a źródłem. U ciebie źródło idzie na silnik.
    Gdy podasz 12V na bramkę chciałbyś aby silnik ruszył, nie? Czyli napięcie na źródle musi wzrosnąć. Czyli napięcie bramka-źródło będzie spadało. Układ więc ustabilizuje się przy jakimś średnim napięciu UGS przy którym następuje średnie (nie pełne) otwarcie MOSFETa i płynie jakiś średni prąd. 6V podałem dla przykładu.
    Problem niby już rozwiązałeś ale piszę żebyś wiedział na przyszłość.
  • #44
    felekfala
    Level 19  
    PiotrPitucha wrote:
    Natomiast zdecydowanie jestem przeciw pisaniu o diodzie w strukturze jako diodzie zenera, żaden z PDFów do tranzystorów nie potwierdza takiej możliwości, jest tam szybka dioda najprawdopodobniej schottky ze swojej natury przeznaczona do pracy w kierunku przewodzenia i dla takiej możliwości podawane są dopuszczalne prądy i spadki napięcia w kierunku przewodzenia, dodam ze dioda jest o doskonałych parametrach i tańsza niż większość diod na porównywalne prądy.


    Popieram tam nie ma żadnej diody zenera, a nazywanie jej w ten sposób jest błędem.
  • #45
    atom1477
    Level 43  
    Ja z kolei uparcie twierdzę że jest tam element który się tak zachowuje.
    Oczywiście można go nazwać jak się chce. Dioda Zenera, dioda lawinowa, duża ilość połączonych szeregowo diod prostowniczych czy LED, itp.
    Niektóre z tych określeń są co najmniej śmieszne (o zgodności z prawdą nie wspominając), dlatego ja wybrałem najbardziej normalne i przy okazji treściwe stwierdzenie, czyli dioda Zenera/lawinowa.
    Śmiem twierdzić że nikt z Was nie zadał sobie trudu sprawdzić jak się zachowuje da dioda tylko od razu twierdzicie że jej tam nie ma (tzn. że nie ma tam diody Zenera/lawinowej).
    Ja z kolei sobie zadałem ten trud. Dlatego tak się upieram przy swoim.
    Dwa przypadkowe tranzystory (G zwarte z S, napięcie mierzone pomiędzy D i S):
    Code: c
    Log in, to see the code

    Oba tranzystory wytrzymują też strzelanie do nich iskrami z generatora W.N (z 10kV).
    Żadna zwykła dioda by tego nie wytrzymała. Wytrzyma to tylko dioda Zenera/lawinowa/Transil.
    Ale oczywiście jeżeli macie jakieś inne (ale rzeczowe/praktyczne, a nie tylko słowa) dowody na to że jest inaczej to chętnie posłucham.

    PS. Przyznaję też że mogę się mylić co do tego że to zjawisko wynika z diody. Bo. np. może wynikać z innych pasożyniczych struktur, a sama dioda wtedy faktycznie będzie zwykła. Nie mniej jednak do modelowania zachowania tranzystora, gdy wspominamy tylko o tej jednej pasożytniczej diodzie, to najprościej uznać że to właśnie ona powoduje to zjawisko a więc jest diodą lawinową.
    Jeżeli jednak nie ma tam diody lawinowej, to proszę o wyjaśnienie a nie tylko powtarzanie w kółko "nie ma diody zenera/lawinowej". Tzn. wyjaśnienie co innego jak nie dioda powoduje takie zachowanie tranzystora jakie zmierzyłem.
  • #46
    buzzy02
    Level 11  
    hmm niby sie udało a jednak nadal problem czy jest mozliwe ze przy sterowaniu pwm na zasilaniu głownym ukazuje sie wysokie napiecie ? niby fet sie juz nie grzeje ale pada mi zasilacz 5v co skutkuje uszkodzeniem procesora . przys starej konfiguracji gdy fet sterował plusem silnik tego nie było . moze ta dioda szotkyego miedzy drenem a zasilaniem przepuszczajac napiecie zwrotne silnika powoduje wzrost napiecia na zasilaniu i go pali?
  • #48
    buzzy02
    Level 11  
    tak jest podłaczona od drenu do 12 v a juz wymienilem 3 komplety zasilaczy i procesorow uruchomi sie jeden raz moze 2 i padaja . na wyjsciu z zasilacza pokazuje 8 czasem 9 v sprawdzalem wszystkie punkty lutownicze procesora gdy byl wyolutowany i szukalem czy z innej czesci ukladu nie dostaje sie jakies napiecie lecz nigdzie nie ma wiekszego jak 5v
  • #49
    alagner
    Level 26  
    Atom, jedna rzecz w kwestii nomenklatury: w diodzie Zenera masz z tego co wiem przebicie tunelowe a nie lawinowe.
  • #51
    PiotrPitucha
    Level 33  
    Witam
    Atom, nie przeczę że występuje zjawisko ograniczania napięcia na tranzystorze, ale bardziej stawiałbym na ograniczanie napięcia przez tranzystor po przekroczeniu maksymalnego napięcia UDS niż na diodę zenera.
    Zadaniem tranzystora jest szybkie włączenie i wyłączenie, diody zenera mają z zasady bardzo duże pojemności co stałoby w sprzeczności z tym zadaniem.
    Badanie diody w cytowanym przez Ciebie IRF3711 przeprowadzane jest ( PDF strona 7 rysunek 14 ) na Peak Diode Recovery dv/dt co wskazuje na to że wg producenta jest to parametr istotny, o napięciu zenera nawet nie wspominają.
    Pozdrawiam
  • #52
    alagner
    Level 26  
    Panowie, naszło mnie jeszcze dziś: czy to co zbadał Atom to nie jest po prostu napięcie przebicia D-S? Z tego co wiem ono tranzystora nie zabija, chyba że popłynie większy prąd.
  • #54
    atom1477
    Level 43  
    alagner wrote:
    Atom, jedna rzecz w kwestii nomenklatury: w diodzie Zenera masz z tego co wiem przebicie tunelowe a nie lawinowe.

    Ale z tego się już poprawiłem. Chodziło o diodę lawinową, a więc i o przebicie lawinowe.
    dondu wrote:
    atom1477 wrote:
    Oba tranzystory wytrzymują też strzelanie do nich iskrami z generatora W.N (z 10kV).

    Mógłbyś opisać dokładnie jak wyglądało to doświadczenie?

    Tranzystor na stół. G i S zwarte. Końcówkę generatora W.N zbliżam do G/S albo D żeby iskry skakały do tych końcówek.
    Po teście rozwieram G i S i sprawdzam czy tranzystor działa.
    alagner wrote:
    Panowie, naszło mnie jeszcze dziś: czy to co zbadał Atom to nie jest po prostu napięcie przebicia D-S? Z tego co wiem ono tranzystora nie zabija, chyba że popłynie większy prąd.

    W znaczeniu że kanału D-S?
  • #57
    emil
    Level 16  
    Przy sterowaniu jakiegokolwiek urządzenia zawierającego indukcyjność - silniki, cewki przekaźników itp. - należy mieć na uwadze, że po wyłączeniu klucza sterującego indukuje się napięcie nawet kilkaset woltów z 12 V zasilania. W związku z tym równolegle do wyprowadzeń elementu indukcyjnego należy podąłczyć diodę impulsową o napięciu przebicia co najmniej 200V i o prądzie przewodzenia co najmniej równym prądowi pobieranemu przez urządzenie - katoda do plusa. To oczywiście powoduje, że diody szotkiego odpadają ze względu na niskie napięcia progowe. Dodatkowo można równolegle do D i S MOSFETA zamontować szeregowy obwód RC do tłumienia przepięć. Co do faktu uszkodzeń "procka" i stabilizatora to należy oddzielić zasilanie części sterującej od zasilania części indukcyjnej.
  • #58
    atom1477
    Level 43  
    emil wrote:
    Przy sterowaniu jakiegokolwiek urządzenia zawierającego indukcyjność - silniki, cewki przekaźników itp. - należy mieć na uwadze, że po wyłączeniu klucza sterującego indukuje się napięcie nawet kilkaset woltów z 12 V zasilania.

    Tylko jak nie będzie diody.
    emil wrote:
    W związku z tym równolegle do wyprowadzeń elementu indukcyjnego należy podąłczyć diodę impulsową o napięciu przebicia co najmniej 200V i o prądzie przewodzenia co najmniej równym prądowi pobieranemu przez urządzenie - katoda do plusa.

    Jak będzie dioda to nie trzeba żeby ona miała 200V bo wtedy wyindukowane przepięcie nie ma kilkaset V tylko VCC+napięcie przewodzenia diody.
    Poza tym na samej diodzie odłoży się tylko napięcie przewodzenia diody, i to właśnie w kierunku przewodzenia a nie w kierunku wstecznym.
    Quote:
    To oczywiście powoduje, że diody szotkiego odpadają ze względu na niskie napięcia progowe.

    Napięcie progowe nie ma tu nic do rzeczy.
    Zapewne chodziło Ci o napięcie wsteczne.
    Jednak diody Shottky'ego i tak by nie były dyskwalifikowane bo przepięcie występuje w kierunku przewodzenia diody. Napięcie wsteczne na diodzie odkłada się w momencie zasilania cewki a więc będzie ono równe VCC.
    Trzeba więc diodę o napięciu wstecznym takim aby wytrzymała VCC, plus oczywiście jakiś zapas.
  • #59
    dondu
    Moderator on vacation ...
    atom1477 wrote:
    Tranzystor na stół. G i S zwarte. Końcówkę generatora W.N zbliżam do G/S albo D żeby iskry skakały do tych końcówek.

    Jesteś w stanie określić jaką energię mają iskry w czasie doświadczenia?

    atom1477 wrote:
    Po teście rozwieram G i S i sprawdzam czy tranzystor działa.

    By być pewnym, należałoby sprawdzić jego charakterystyki.

    Dla tych początkujących, którzy czytają ten temat, odnosząc się do tego co napisali emil oraz atom1477 poniżej :

    atom1477 wrote:
    emil wrote:
    Przy sterowaniu jakiegokolwiek urządzenia zawierającego indukcyjność - silniki, cewki przekaźników itp. - należy mieć na uwadze, że po wyłączeniu klucza sterującego indukuje się napięcie nawet kilkaset woltów z 12 V zasilania.

    Tylko jak nie będzie diody.

    Zjawisko wygląda tak: http://mikrokontrolery.blogspot.com/2011/03/przekaznik-i-zaklocenia.html

    Można oczywiście nie stosować zewnętrznej diody (jak pisze atom1477) jednak pod warunkiem, że zastosujemy odpowiedni tranzystor (parametry wewnętrznej diody), i jest on tuż obok elementu indukcyjnego.

    Jednakże, jeśli te warunki nie są spełnione (co zdarza się często bo tranzystor jest daleko np. podłączony przewodami do silnika) należy dać diodę zewnętrzną, by prądy w przewodach i ścieżkach między elementem indukcyjnym a tranzystorem, nie były antenami generującymi niepotrzebne zakłócenia. Warto doceniać takie postępowanie, by się później nie dziwić, że urządzenie nie działa prawidłowo i spędzać godziny, czy dni w poszukiwaniu przyczyny. Dioda kosztuje 0,10zł - warto ryzykować?

    Zasada do zapamiętania dla początkujących: ZAKŁÓCENIA ELIMINUJ U ICH ŹRÓDŁA!
    w tym wypadku już na elemencie indukcyjnym, dodając diodę.

    Dlatego też np. w niektórych fabrycznych przekaźnikach dioda ta montowana jest wewnątrz ich obudowy (czyli u źródła zakłóceń). Podobnie należy postępować z silnikami i innymi elementami indukcyjnymi.
  • #60
    atom1477
    Level 43  
    dondu wrote:

    Jesteś w stanie określić jaką energię mają iskry w czasie doświadczenia?

    Niestety (na razie) nie.

    dondu wrote:

    By być pewnym, należałoby sprawdzić jego charakterystyki.

    Dokładnie nie sprawdzałem ale np. napięcie progowe było zachowane.

    dondu wrote:
    Można oczywiście nie stosować zewnętrznej diody (jak pisze atom1477)

    Nigdzie nie napisałem żeby jej nie dawać.

    Co do utwarzania kanału napięciem Uds to nie wiem czy dobrze rozumuję, ale czy tuż przez utworzeniem kanału podanie niewielkiego napięcie na bramkę (ale niższego od Vth) nie powinno go utworzyć? I tak samo, gdy odpowiednio wysokie napięcie Uds już utworzyło kanał (mały), to czy podanie ujemnego napięcia na bramkę nie powinno bo zamknąć?
    Inaczej mówiąc czy napięcia na bramce nie powinny modulować napięcia Uds przy których tworzy się kanał na wskutek przebicia Uds?