Elektroda.pl
Elektroda.pl
X

Wyszukiwarki naszych partnerów

Wyszukaj w ofercie 200 tys. produktów TME
Europejski lider sprzedaży techniki i elektroniki.
Proszę, dodaj wyjątek elektroda.pl do Adblock.
Dzięki temu, że oglądasz reklamy, wspierasz portal i użytkowników.

Praca Dyplomowa - Tranzystory Fet i Mosfet

tufu 12 Gru 2004 17:25 997 2
  • #1 12 Gru 2004 17:25
    tufu
    Poziom 10  

    Ogolnie praca polega na zaprojektowaniu schematow do zdejmowania charakterystyk statycznych tych 2 tranzystorow. Jesli ktos moglby mi pomoc to bylbym bardzo wdzieczny

    Jesli ktos chcialby mi pomoc na zywo to gg:2081041

  • #2 13 Gru 2004 16:54
    Paweł Es.
    Pomocny dla użytkowników

    Musisz zdefiniować warunki graniczne:

    1. Jakie konkretnie charakterystyki chcesz mierzyć

    Id(Uds) dla Ugs=const
    Id(Ugs) dla Uds=const
    (?)
    2. W jakim zakresie napięć i prądów.

    Uds, Id, Ugs

    3. Czy tylko np. tranzystory z kanałem typu n czy oba typy.

    4. Czy przyrządy pomiarowe własne czy też podłączane uniwersalne

  • #3 14 Gru 2004 00:52
    vojo
    Poziom 12  

    Musisz zmierzyć dla BJT:
    napięcia Uce, Ube, prądy Ib i Ic
    Dla FETa:
    Napięcia Ugs, Uds, prądy Ig (rezystancja wejściowa z tego jest określana) i Id.
    W razie problemow odezwij sie podesle jakies schematy z laborek,
    ew. polecam tą stronkę, znajdziesz tam schematy w sprawozdaniach.
    http://www.pomoce.cad.pl/elektronika.html

 
Black Friday do -15%
Zamknij 
Wyszukaj w ofercie 200 tys. produktów TME
Ferguson