Elektroda.pl
Elektroda.pl
X
Relpol
Proszę, dodaj wyjątek www.elektroda.pl do Adblock.
Dzięki temu, że oglądasz reklamy, wspierasz portal i użytkowników.

Dobór rezystora bazy i podciągającego

nelik1987 23 Mar 2012 14:00 11579 60
  • #31 23 Mar 2012 14:00
    KaW
    Poziom 34  

    Trzeba zorientować się jaka jest obciążalność wyjscia MUTE .

    Ponieważ ten BC327 może mieć duze wzmocnienie,można dać jako R2 opornik
    o wartości 10k a R1 okreslić doświadczalnie w gotowej już konstrukcji.
    Poniewaz trzy przekazniki to 200:3=66 omów .W samochodzie napięcie może być nawet do 14V.Stąd trochę rachunków tego prądu trzeba zrobić /oszacować/.
    Zakładając ,że wyszło ok. 0,5A. /na trzy przekazniki /-to na bazę tranzystora trzeba podać prądu 0,5A : /wzmocnienie tranzystora/./A/.

    Wzm. tranzystora mozna zmierzyć miernikiem cyfrowym.

  • Relpol
  • #32 23 Mar 2012 15:16
    marekzi
    Poziom 38  

    KaW napisał:
    Trzeba zorientować się jaka jest obciążalność wyjscia MUTE .

    W instrukcji do Nokia CK-15W napisano, że wyjście wyciszające może sterować wprost przekaźnikiem. Nie podano prądu przełączanego, ale oznacza to że zapewne kilkanaście mA nie będzie tu żadnym problemem.
    http://nds1.nokia.com/phones/files/guides/Nokia_CK-15W_UG_pl.pdf str.29-30.
    KaW napisał:

    Ponieważ ten BC327 może mieć duze wzmocnienie,można dać jako R2 opornik
    o wartości 10k a R1 okreslić doświadczalnie w gotowej już konstrukcji.
    Poniewaz trzy przekazniki to 200:3=66 omów .W samochodzie napięcie może być nawet do 14V.Stąd trochę rachunków tego prądu trzeba zrobić /oszacować/.
    Zakładając ,że wyszło ok. 0,5A. /na trzy przekazniki /-to na bazę tranzystora trzeba podać prądu 0,5A : /wzmocnienie tranzystora/./A/.

    Wzm. tranzystora mozna zmierzyć miernikiem cyfrowym.

    To są błędne porady ! - proszę przeczytać co wcześniej pisałem.
    Po pierwsze - ten tranzystor ma pracować jako klucz - nic tu do tego nie ma beta, należy mu dać duży prąd bazy aby się nasycił.
    Po drugie - pomiar bety w mierniku to pomiar przy Ic=kilka mA. Przy Ic=120mA beta będzie zupełnie inna.
    Po trzecie - co oznacza "200:3=66Ω" ?
    Przekaźnik RM84 12V to: http://www.relpol.pl/content/download/13766/168091/file/RM84.pdf
    wersja 12V ma oporność cewki 360Ω, więc trzy przekaźniki to 120Ω, prąd Ic=ok. 100mA, w porywach (Uzas=14,5V) - 120mA jak podał autor tematu.
    Jakie 0,5A?
    Do bazy należy podać Ib=Ic/10= 10mA, co oznacza że R1= (Uzas-Ube-Uster)/10=ok.1,1k.
    Z praktyki wiadomo, że warunek Ic=10Ib jest restrykcyjny, zwykle wystarcza Ic=20Ib, co oznacza, że można próbować R1=2,2k. Dla wartości R1 >2,2k Uce tranzystora zacznie wzrastać, przy R1=10k nawet do kilku woltów, zacznie się on grzać, przekaźnik będzie dostawał zmniejszone napięcie limitowane przez nie w pełni otwarty tranzystor i nie będzie się włączał/będzie się włączał w zależności od warunków (napięcie zasilania, temperatura). Podobnie dla R1=4,7k.
    Reasumując:
    - R1=1k, można próbować 2,2k -zalecałbym wtedy sprawdzenie Uce tranzystora,
    - R2 możesz wstawić, ale nie mniejszy niż 5R1

    Polecam czytanie datasheet: http://www.datasheetcatalog.org/datasheet2/9/0ofp1a46s6ah2k28u07jlt9rl0wy.pdf str.3, Figure4 "Saturation region"
    Dla Ic=100mA dopiero Ib=10mA w pełni nasyca BC327, dla Ib<7mA wzrasta Uce, by przy Ib=0,5mA wejść w obszar pracy liniowej (przekaźnik na pewno przestanie działać). Przy Ic=120mA będzie gorzej, poza tym to wartości typowe, przeciętne a nie najgorsze (a takie należy zakładać), w temp. 20stC itd.

  • Relpol
  • #33 23 Mar 2012 15:57
    KaW
    Poziom 34  

    Ja wybrałem 9V. /200 Omów /.
    Rachunki są grubo przybliżone i nie zakładam rozwiązywania zadania za autora postu.
    Skoro posługuje się programem do projektowania obw. druk. to i elektronika nie jest mu obca.
    W instrukcji nie ma danych wyjścia mute -ale jest istotna uwaga .Mianowicie
    urządzenia dodatkowe muszą mieć atest zgodnośći z wymaganiami producenta.W razie wypadku trudno będzie dochodzić odszkodowania za poniesione straty.

    Producentów tych tranzystorów jest sporo -ogólne dane sa podobne ale
    szczegółowe już niekoniecznie.Dlatego potrzebne sa próby praktyczne tego układu.

  • #34 23 Mar 2012 16:31
    marekzi
    Poziom 38  

    KaW napisał:
    Ja wybrałem 9V. /200 Omów /.

    Ale po co? - autor tematu ma już wybrane, RM84 12V. Wprowadzanie teraz do dyskusji innych przekaźników na 9V (do zasilania 12-14V - ??) tylko "miesza" w temacie.
    KaW napisał:

    Producentów tych tranzystorów jest sporo -ogólne dane sa podobne ale
    szczegółowe już niekoniecznie.Dlatego potrzebne sa próby praktyczne tego układu.


    Niezależnie od producenta, typu tranzystora, zawsze Ucenas podawane jest dla Ic=10Ib (nie dotyczy darlingtonów) a to właśnie dlatego bo ten warunek Ib=0,1Ic jest wystarczający dla pewnego wprowadzenia tranzystora w nasycenie.
    Czasem jak w tym datasheet, do którego link podałem (nie bez powodu) - są podawane szczegółowe wykresy dla różnych Ic w zależności od Ib.
    I nic tu do rzeczy nie ma beta, chociaż warunek ten można też zapisać: Ib>>Ic/β - lecz jest on "mało użyteczny" rachunkowo.
    Żadne próby nie są konieczne, tym bardziej że aby próby były wiarygodne to należałoby je przeprowadzić w pełnym zakresie zmiennych - napięcia zasilania, temperatury.
    Próby w tak prostym układzie? - toż to jest jeden tranzystor.
    I producent wyraźnie podaje warunek użycia tego tranzystora jako nasyconego klucza: Ic=10Ib.

  • #35 31 Mar 2012 11:21
    elek555
    Poziom 37  

    marekzi napisał:

    Przy takim sterowaniu mamy pewność że tranzystor jest całkiem otwarty, a jego Ucenas jest niskie i wyniesie ok. 0,1V (dla Ic=120mA)

    Z tym Ucesat=0.1V to Marku przegiąłeś https://obrazki.elektroda.pl/4587863900_1333185477.jpg tak więc zostańmy przy 0.7V :)
    Natomiast co do zasady -zgoda. W motoryzacji nasycenie musi być pewne bo zimą z zasilania potrafi zostać zaledwie 9V, a przy rozruchu nawet mniej!
    nelik1987 -przepięcia gaś u źródeł, nie przy tranzystorze, a tak na dobrą sprawę istnieją przekaźniki o większej liczbie torów

  • #36 31 Mar 2012 12:15
    nelik1987

    Poziom 31  

    Wiem ze istnieją, ale są znacznie trudniejsze do dostania i znacznie droższe od popularnych Relpoli.

  • #39 31 Mar 2012 13:33
    marekzi
    Poziom 38  

    elek555 napisał:
    marekzi napisał:

    Przy takim sterowaniu mamy pewność że tranzystor jest całkiem otwarty, a jego Ucenas jest niskie i wyniesie ok. 0,1V (dla Ic=120mA)

    Z tym Ucesat=0.1V to Marku przegiąłeś https://obrazki.elektroda.pl/4587863900_1333185477.jpg tak więc zostańmy przy 0.7V :)

    No nie wiem czy przegiąłem. :D
    To już jest jakby poza tematem, ale wymaga doprecyzowania w kontekście opisywanego przeze mnie sposobu sterowania tranzystorem, i jest ciekawym przykładem pomyłek w datasheet, jakie niestety się zdarzają.
    Sądzę, że Twój skan pochodzi z datasheet od Fairchild-a http://www.biltek.tubitak.gov.tr/gelisim/elektronik/dosyalar/4/BC327.pdf , w którym popełniono pomyłkę zamieniając opisy krzywych - Uce z Ube. Zwróć uwagę na to że na tym wykresie Ucenas nie spada poniżej 0,5V nawet dla Ic=0,1mA - to byłaby bzdura. I ta krzywa opisana jako Uce bardzo ładnie pasuje do standartowego przebiegu Ube=f(Ic). No i wg tego wykresu Ube=10mV dla Ic=10mA - jeszcze gorsza bzdura - ???
    Zobacz tu ( http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/MicroElectronics/mXuzzqz.pdf str2.):
    Dobór rezystora bazy i podciągającego
    Oraz tu ( http://www.datasheetcatalog.org/datasheet2/9/0ofp1a46s6ah2k28u07jlt9rl0wy.pdf str3 ):
    Dobór rezystora bazy i podciągającego
    To są takie same wykresy jak Twój, ale z prawidłowymi opisami krzywych.
    Zdarzają się pomyłki, niestety, i to najlepszym (Fairchild, TI). To kolejny przykład, jak trzeba być "czujnym" czytając datasheet.
    Inne dowody: http://www.datasheetcatalog.org/datasheet2/9/0ofp1a46s6ah2k28u07jlt9rl0wy.pdf str3 Figure4, Figure5, dane w tabeli - Uce max=0,7V dla Ic=0,5A i te same dane i wykresy w wielu innych datasheet BC327, np. http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/siemens/BC328-40.pdf , http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/vishay/85132.pdf..
    No i wreszcie, Ucenas=0,7V to raczej dla Ic idących w Ampery - czyli dla tranzystorów mocy.

    Tak więc dla BC327 pozostańmy jednak przy Ucenas=0,1V dla Ic=100-120mA - a tu trzeba zaznaczyć że to wartość typowa (przeciętna) dla Ic=10Ib, i dla konkretnego egzemplarza może wynosić np. 0,07V albo nawet 0,2V.
    Tylko w jednym datasheet znalazłem wykres Ucenas(min-max)=f(Ic) - http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/vishay/85132.pdf i dla Ic=100mA wynosi ono 0,05-0,3V.
    Można też zauważyć niewielkie różnice danych (np. Ubeon=f(Ic), Ucenas=f(Ic) ) w datasheet różnych producentów - rzecz normalna, bo technologia nieco inna, i w miarę upływu czasu technologia danego producenta też się zmienia.
    Tak przy okazji - to jest stary tranzystor i był jednym z pierwszych produkowanych tranzystorów małej mocy o tak dużych prądach Ic i niskim Ucenas. Przeznaczony właśnie do przełączania sporych prądów, jako klucz pracujący w nasyceniu z niskim Ucenas.

  • #40 01 Kwi 2012 00:10
    KaW
    Poziom 34  

    NXP.com podaje ,że Uce sat ma mniej niz 0,7V ale przy wysterowaniach bazy poniżej 300uS

    "VCEsat collector-emitter saturation
    voltage
    IC = −500 mA; IB = −50 mA [1]- - −700 mV
    VBE base-emitter voltage IC = −500 mA; VCE = −1 V [2]- - −1.2 V
    ...."

    chciałem wkleić tutaj istotna uwagę [1] .../o czasie wysterowania bazy/.

    Wklejam:
    [1] Pulse test: tp ≤ 300 μs; δ ≤ 0.02. -oznacza to nic innego jak to, że wypełnienie impulsu wynosi 2% -=300us.

  • #41 01 Kwi 2012 01:16
    marekzi
    Poziom 38  

    Datasheet od NXP http://www.nxp.com/documents/data_sheet/BC807_BC807W_BC327.pdf
    niczego nowego tu nie wnosi.
    Pomijając nieco inne dane (np. Icmax=500mA, podczas gdy od wielu lat wszyscy inni producenci BC327 podają 800mA), to podane w tabeli na str. 5 wartość max. Ucesat=700mV dotyczy Ic=500mA i Ib=50mA, czyli Ic=10Ib - jak zawsze. Bo to warunek wprowadzenia tranzystora w pełne, głębokie nasycenie.
    Note [1] - standartowa, o treści "Pulse test: tp ≤ 300 μs; δ ≤ 0.02." oznacza pomiar impulsowy w celu uniknięcia grzania się tranzystora. To standartowa metoda, wszyscy tak mierzą - polecam linki do datasheet różnych producentów, które podałem wyżej - tam też podobne notki są, np. u Siemensa - "Pulse test:Pulse Width=0,3mS, Duty Cycle=1%"
    Podkreślam jeszcze raz - to maksymalna gwarantowana przez producenta wartość Ucenas =700mV przy Ic=500mA, Ib=50mA, zaś przy Ic=100mA i Ib=10mA max Ucenas to 300mV, typowa to ok. 100mV. Z doświadczenia wiem, że dla tak podanego parametru typowego zwykle w przedziale "±50%" mieści się ok. ogromna większość egzemplarzy - inaczej mówiąc szacowałbym, że dla ok. 80-90% egzemplarzy Uce=50-150mV (dla Ic=100mA, Ib=10mA).
    Co ciekawe, datasheet od NXP podaje jeszcze niższe typowe wartości Ucenas=f(Ic), np. dla Ic=100mA to 50mV (str.8 - Fig.7,8,9).

    Jeszcze co do sterowania tranzystora jako klucz - podkreślam jeszcze raz, jak ważne jest wprowadzenie go w głębokie nasycenie, oraz jak to można zrobić; - w każdym datasheet, czy to w tabeli przy danych liczbowych, czy to na każdym wykresie Ucenas=f(Ic) jest wyraźnie zaznaczone: Ic=10Ib.

    Aby sobie zdać sprawę co spowodować może niewprowadzenie takiego tranzystora w stan pełnego nasycenia, wystarczy pomyśleć np. nie tylko o możliwości nieprawidłowego działania takiego przekaźnika (spadek napięcia zasilania, zmiany temperatury), ale wręcz z niebezpieczeństwa, jakie grozi tranzystorowi - jeśliby sterować go np. tak aby Uce=1V, przy prądzie 0,5A moc strat wyniesie 0,5W. Tranzystor wytrzyma (teoretycznie, bo ja bałbym się pchać w tę obudowę więcej niż 200-300mW), ale Uce=1V oznacza pracę w obszarze liniowym i nawet niewielki zmiany np. temperatury czy prądu sterującego spowodować mogą zwiększenie się Uce do np. 3V (proszę popatrzeć na http://www.datasheetcatalog.org/datasheet2/9/0ofp1a46s6ah2k28u07jlt9rl0wy.pdf str.3 Fig.3 - jak gwałtownie zmienia się Uce przy znikomych zmianach Ib przy wyjściu z nasycenia - to jest pionowa linia). I moc strat wzrośnie do ponad 1W - a co to oznacza?
    A któryś z kolegów proponował takie sterowanie aby Uce=3V i 9V przekaźnik. No ręce opadają.

  • #42 01 Kwi 2012 01:35
    Quarz
    Poziom 43  

    marekzi napisał:
    [ .. ]

    Jeszcze co do sterowania tranzystora jako klucz - podkreślam jeszcze raz, jak ważne jest wprowadzenie go w głębokie nasycenie, oraz jak to można zrobić; - w każdym datasheet, czy to w tabeli przy danych liczbowych, czy to na każdym wykresie Ucenas=f(Ic) jest wyraźnie zaznaczone: Ic=10Ib.
    Wcale prawda, pierwsze trzy wzięte DataSheet tranzystorów bipolarnych małej mocy temu przeczą:
    Dobór rezystora bazy i podciągającego Dobór rezystora bazy i podciągającego Dobór rezystora bazy i podciągającego
    więc w imię czego ta "obrona Częstochowy" oraz 'wciskanie' kitu' - bez sprawdzenia tego co jest rzeczywiście w danych podane - pytam retorycznie?

  • #43 01 Kwi 2012 02:41
    marekzi
    Poziom 38  

    Quarz napisał:
    marekzi napisał:
    [ .. ]

    Jeszcze co do sterowania tranzystora jako klucz - podkreślam jeszcze raz, jak ważne jest wprowadzenie go w głębokie nasycenie, oraz jak to można zrobić; - w każdym datasheet, czy to w tabeli przy danych liczbowych, czy to na każdym wykresie Ucenas=f(Ic) jest wyraźnie zaznaczone: Ic=10Ib.
    Wcale prawda, pierwsze trzy wzięte DataSheet tranzystorów bipolarnych małej mocy temu przeczą:
    Dobór rezystora bazy i podciągającego Dobór rezystora bazy i podciągającego Dobór rezystora bazy i podciągającego
    więc w imię czego ta "obrona Częstochowy" oraz 'wciskanie' kitu' - bez sprawdzenia tego co jest rzeczywiście w danych podane - pytam retorycznie?


    Jak zwykle dyskusja w Twoim wykonaniu musi zawierać stwierdzenia typu "wciskanie kitu".
    Bez tego nie potrafisz?
    Przyznaję, dla niektórych tranzystorów producenci "rozluźniają rygory" i taki warunek Ic=20Ib się pojawia, ale w zdecydowanej mniejszości, i z reguły dla tranzystorów nowszych konstrukcji/przeznaczonych do pracy z małymi prądami.
    Szkoda tylko, że zamiast wklejać obrazki nie podałeś linków aby można było odnieść się do meritum - ani typu tranzystora (domyślam się że będą to małej mocy, do m.cz, z wysoką betą), ani producenta - nie ma to jak rzucić argumentem bez podania źródła
    Z tych obrazków tylko jeden jest do rozszyfrowania - dotyczy BC546.
    Ponieważ nie jestem w stanie po kroju czcionki ani wyglądzie tabelki zidentyfikować konkretnego datasheet - proszę odnieść się do:
    http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/fairchild/BC546.pdf str.2, Fig.4 - pisze jak byk Ic=10Ib.
    http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/motorola/BC546B.pdf str.3 Fig.2 - Ic=10Ib




    http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/mcc/548B.pdf str3, Fig.2 - Ic=10Ib
    i jeszcze kilka innych.
    Mniej więcej jest to pół na pół - Ic=10Ib albo Ic=20Ib. Dla tego samego tranzystora. No to jak jest? - pojawia się tam warunek Ic=10Ib?
    Ponieważ są to różne dane - ja korzystam z tych "bardziej niekorzystnych" wg starej zasady "najgorszego przypadku" i do tego namawiam innych, co też jest i wygodne w praktyce, bez konieczności każdorazowego sięgania po datasheet.
    Wiem, w tabelkach dla BC546 podano Ucesat dla Ic=20Ib - tak, ale tylko wartości max. i dla 2-3 wartości Ic - np. 10mA i 100mA - a co gdy ja potrzebuję to dla Ic=50mA? Na wykresach jest znacznie więcej informacji.
    N.b. - zastanawiajace jest to, że robiono pomiary wielu egz. (aby uchwycić przebieg typowy) dla Ic=10Ib, podczas gdy w tabeli dla Ucenasmax podano je dla Ic=20Ib.
    Tak więc, jeśli tak bardzo uraziło Cię słowo "w każdym datasheet" to będziesz mi musiał wybaczyć to uogólnienie. Być może nie w każdym, chociaż z tych co podałeś - w jedynym możliwym do zidentyfikowania - pojawia się jak wykazałem wyżej.
    Na koniec - proszę porównać konkretne Ucenas z datasheet gdzie podano je dla Ic=10Ib z danymi z datasheet dla Ic=20Ib:
    http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/vishay/85113.pdf - str.4, Ic=20Ib, : Ic=10mA - Uce=70mV, Ic=100mA - Uce=190mV
    http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/fairchild/BC546.pdf - str. 2, Fig.4, Ic=10Ib: Ic=10mA - Uce=45mV, Ic=100mA - Uce=105mV.
    Różnice w Uce baardzo wyraźne. Wskazuje to jasno na to, że dla Ic=20Ib tranzystor nie jest w pełnym, głębokim nasyceniu ale zaledwie na "kolanie" przejścia ze stanu liniowego do stanu nasycenia.
    A przecież ja w całym tym wywodzie o sterowaniu klucza podkreślałem to wiele razy - "warunkiem wprowadzenia tranzystora w stan pełnego, głębokiego nasycenia .."

  • #44 01 Kwi 2012 08:20
    nelik1987

    Poziom 31  

    No Panowie, myślałem że to pytanie będzie banalne i odpowiedź dostanę w 2 lub 3 poście a tu widzę że wywołałem prawdziwą burzliwą dyskusję. Szczerze mówiąc czytając te różne wypowiedzi nadal nie wiem jaki rezystor zastosować :)

  • #45 01 Kwi 2012 10:06
    elek555
    Poziom 37  

    Jak to nie wiesz? To my tu toczymy pianę gryząc pdf-y, (dzieląc włos na 7) a ty twierdzisz że nie wiesz co zastosować /co to nasycenie/??? Przecież miałeś parę razy napisane!
    Wsadź w bazę peerek 4k7 z rezystorem 1k, zmierz i podaj tu Ucesat swojego tranzystora ze swoim przekaźnikiem bo zaraz zawnioskuje osobiście o kosz za brak współpracy :) !

  • #46 01 Kwi 2012 10:16
    nelik1987

    Poziom 31  

    Czytałem wszystkie wypowiedzi oraz oglądałem wszystkie noty katalogowe. Pomiary zrobię jak przyjdzie płytka drukowana bo jeszcze na nią czekam.

  • #47 01 Kwi 2012 10:21
    jony
    Specjalista elektronik

    Trzeba zadać sobie tytanie czy jest sens "wałczyć" o tak głębokie nasycenie.
    Tradycyjny technika wygląda tak.
    Mamy tranzystor BC327-25 sprawdzamy w nocie jego minimalne wzmocnienie.
    http://www.nxp.com/documents/data_sheet/BC807_BC807W_BC327.pdf

    Hfe_min = 160.

    Teraz znając maksymalny prąd kolektora pobierany przez obciążenie 120mA
    Obliczamy minimalny prąd bazy Ib_min = 120mA/160 = 750µA
    Dla bezpieczeństwa warto zwiększyć ten minimalny prąd bazy z 3 do 5 razy.
    Co do prąd bazy w przedziale 2.2mA ... 3.75mA.
    I rezystor bazowy Rb = 5.1K...3.3K
    I moje egzemplarze BC327-25 miały Ucesat w przedziale 0.2V ... 0.14V.
    Moc strat i tak będzie pomijalni mała.
    A zwiększenie Ib do 12mA czyli Ic/Ib = 10 zmiesza tylko Ucesat do 0.098V = 98mV ≈ 100mV = 0.1V Ube w okolicy 0.9V.
    A to oznacza moc strat w "bazie" na poziomie mocy start w "kolektorze".

    W praktyce dał bym RB = 1K a jako podciągający 10K.
    Bo tych rezystorów mam najwięcej.
    I jak dla mnie w tej aplikacji nie ma sensu walczyć o każdy miliwolt.

  • #48 01 Kwi 2012 10:36
    elek555
    Poziom 37  

    Tak na prawdę myślę że będzie trzeba zadbać o nasycenie dla Ic około 300mA (2-3szt przekaźników) i spadku zasilania do 9V ze względów wcześniej podanych (zima, rozruchy)

  • #49 01 Kwi 2012 10:38
    Quarz
    Poziom 43  

    marekzi napisał:
    Quarz napisał:
    marekzi napisał:
    [ .. ]

    Jeszcze co do sterowania tranzystora jako klucz - podkreślam jeszcze raz, jak ważne jest wprowadzenie go w głębokie nasycenie, oraz jak to można zrobić; - w każdym datasheet, czy to w tabeli przy danych liczbowych, czy to na każdym wykresie Ucenas=f(Ic) jest wyraźnie zaznaczone: Ic=10Ib.
    Wcale prawda, pierwsze trzy wzięte DataSheet tranzystorów bipolarnych małej mocy temu przeczą:
    Dobór rezystora bazy i podciągającego Dobór rezystora bazy i podciągającego Dobór rezystora bazy i podciągającego
    więc w imię czego ta "obrona Częstochowy" oraz 'wciskanie' kitu' - bez sprawdzenia tego co jest rzeczywiście w danych podane - pytam retorycznie?


    Jak zwykle dyskusja w Twoim wykonaniu musi zawierać stwierdzenia typu "wciskanie kitu".
    Bez tego nie potrafisz?
    Jak zwykle - czepiasz się ...
    A jak to inaczej nazwać, pytam retorycznie?
    Autorytatywnie chcesz tu wszystkim czytającym wcisnąć nieprawdę, więc co to jest innego?
    A na dodatek zapomniałeś o tym - lub też zwyczajnie nie chcesz tego zauważyć, a 'każdy kij mam dwa końce' - że wprowadzenie jakiegokolwiek tranzystora bipolarnego w stan głębokiego nasycenia wiąże się z inną niedogodnością kiedy trzeba go z tego nasycenia wyprowadzić.
    Ale o tym już ni słowo z Twojej strony ...

    marekzi napisał:
    Przyznaję, dla niektórych tranzystorów producenci "rozluźniają rygory" i taki warunek Ic=20Ib się pojawia, ale w zdecydowanej mniejszości, i z reguły dla tranzystorów nowszych konstrukcji/przeznaczonych do pracy z małymi prądami.
    Nie "rozluźniają rygory", tylko dostosowują swe parametry do rzeczywistych wartości a zastanych w swych produkowanych tranzystorach - są to popularne tranzystory bipolarne ogólnego przeznaczenia (maksymalna wartość prądu kolektora 100mA) obu polaryzacji firmy Fairchild.
    Nie należy też zapominać, iż dla innych typów tranzystorów - szczególnie wysokonapięciowych i mocy, np. używanych w układach odchylania TV - to potrzeba nawet prądu bazy równego połowy prądu kolektora aby taki tranzystor wprowadzić w nasycenie, ale jest to tylko parametr teoretyczny, ponieważ w takim stanie tam te tranzystory nie pracują, a to również z powodów o których wspomniałem wyżej.

    marekzi napisał:
    Szkoda tylko, że zamiast wklejać obrazki nie podałeś linków aby można było odnieść się do meritum - ani typu tranzystora (domyślam się że będą to małej mocy, do m.cz, z wysoką betą), ani producenta - nie ma to jak rzucić argumentem bez podania źródła
    Z tych obrazków tylko jeden jest do rozszyfrowania - dotyczy BC546.
    Ponieważ nie jestem w stanie po kroju czcionki ani wyglądzie tabelki zidentyfikować konkretnego datasheet - proszę odnieść się do:
    http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/fairchild/BC546.pdf str.2, Fig.4 - pisze jak byk Ic=10Ib.
    http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/motorola/BC546B.pdf str.3 Fig.2 - Ic=10Ib
    http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/mcc/548B.pdf str3, Fig.2 - Ic=10Ib
    i jeszcze kilka innych.
    Patrz wyżej ... a to co, mam tu wkleić całe DataSheet tych tranzystorów, a które mam u siebie w komputerze, byś uwierzył?
    Natomiast szukać linków po sieci nie mam obowiązku, a poza tym dostało by mi się od Moderatora ...

    marekzi napisał:
    Mniej więcej jest to pół na pół - Ic=10Ib albo Ic=20Ib. Dla tego samego tranzystora. No to jak jest? - pojawia się tam warunek Ic=10Ib?
    Ponieważ są to różne dane - ja korzystam z tych "bardziej niekorzystnych" wg starej zasady "najgorszego przypadku" i do tego namawiam innych, co też jest i wygodne w praktyce, bez konieczności każdorazowego sięgania po datasheet.
    Wiem, w tabelkach dla BC546 podano Ucesat dla Ic=20Ib - tak, ale tylko wartości max. i dla 2-3 wartości Ic - np. 10mA i 100mA - a co gdy ja potrzebuję to dla Ic=50mA? Na wykresach jest znacznie więcej informacji.
    N.b. - zastanawiajace jest to, że robiono pomiary wielu egz. (aby uchwycić przebieg typowy) dla Ic=10Ib, podczas gdy w tabeli dla Ucenasmax podano je dla Ic=20Ib.
    Mniej więcej oraz "pół na pół", to jest tu zupełnie niewłaściwe określenie.
    Chcąc być w zgodzie z prawdą należałoby zdobyć DataSheet wszystkich produkowanych tranzystorów bipolarnych małej mocy i ogólnego przeznaczenia (Icmax do 100mA) oraz obu polaryzacji, przejrzeć je oraz wykonać stosowne statystyki.
    W przeciwnym przypadku, to upieranie się z warunkiem nasycenia;
    Ic=10•Ib,
    i że jest to "pół na pół" z warunkiem nasycenia;
    Ic=20•Ib
    jest - jak dla mnie - nadinterpretacją, by nie nazwać tego znacznie (i zgodnie z prawdą) dosadniej, ale podaruję tu to sobie, by nie dać Tobie powodu do pisania następnego na mnie do_nosu do 'Wszystkich Świętych' ...

    marekzi napisał:
    Tak więc, jeśli tak bardzo uraziło Cię słowo "w każdym datasheet" to będziesz mi musiał wybaczyć to uogólnienie. Być może nie w każdym, chociaż z tych co podałeś - w jedynym możliwym do zidentyfikowania - pojawia się jak wykazałem wyżej.
    Patrz wyżej - producenta oraz źródło podałem, więcej szukaj sobie sam ...
    Zaś co do wybaczenia, to zastanowię się, ponieważ ilość "goryczy" z Twojej strony już dawno przelała jej czarę, ale widzę tu jakiś zwrot z Twojej strony.

    marekzi napisał:
    Na koniec - proszę porównać konkretne Ucenas z datasheet gdzie podano je dla Ic=10Ib z danymi z datasheet dla Ic=20Ib:
    http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/vishay/85113.pdf - str.4, Ic=20Ib, : Ic=10mA - Uce=70mV, Ic=100mA - Uce=190mV
    http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/fairchild/BC546.pdf - str. 2, Fig.4, Ic=10Ib: Ic=10mA - Uce=45mV, Ic=100mA - Uce=105mV.
    Różnice w Uce baardzo wyraźne. Wskazuje to jasno na to, że dla Ic=20Ib tranzystor nie jest w pełnym, głębokim nasyceniu ale zaledwie na "kolanie" przejścia ze stanu liniowego do stanu nasycenia.
    A przecież ja w całym tym wywodzie o sterowaniu klucza podkreślałem to wiele razy - "warunkiem wprowadzenia tranzystora w stan pełnego, głębokiego nasycenia .."
    A przecież stan głębokiego nasycenia tranzystora nie jest tu potrzebny (patrz wyżej), tak więc reasumując - od kilku Twoich postów - w tym temacie - przebija tu Twoje zwykłe pisanie dla samego pisania, a to nazywają tu zwykłym biciem piany (zauważ, napisałem bez to bez cudzysłowia) ...

    P.S. Ale ja nic nie muszę ...
    Wszak człowiek - wolny człowiek - w swym całym życiu MUSI zasadniczo zrobić dwie rzeczy:
    - narodzić się, oraz
    - po iluś tam latach umrzeć.
    Cała reszta jest wolnym wyborem - wolnego człowieka ...

  • #50 01 Kwi 2012 13:12
    marekzi
    Poziom 38  

    Quarz napisał:

    A na dodatek zapomniałeś o tym - lub też zwyczajnie nie chcesz tego zauważyć, a 'każdy kij mam dwa końce' - że wprowadzenie jakiegokolwiek tranzystora bipolarnego w stan głębokiego nasycenia wiąże się z inną niedogodnością kiedy trzeba go z tego nasycenia wyprowadzić.
    Ale o tym już ni słowo z Twojej strony ...

    Nie zapomniałem, ale nic to nie ma tu do rzeczy.
    Uważasz, że to ważne, aby przekaźnik wyłączyć w czasie 10µS zamiast 1mS?
    Zwykłe rozwadnianie dyskusji na zasadzie "coś wymyślę aby się przyczepić".

    Quarz napisał:
    marekzi napisał:
    Przyznaję, dla niektórych tranzystorów producenci "rozluźniają rygory" i taki warunek Ic=20Ib się pojawia, ale w zdecydowanej mniejszości, i z reguły dla tranzystorów nowszych konstrukcji/przeznaczonych do pracy z małymi prądami.
    Nie "rozluźniają rygory", tylko dostosowują swe parametry do rzeczywistych wartości a zastanych w swych produkowanych tranzystorach - są to popularne tranzystory bipolarne ogólnego przeznaczenia (maksymalna wartość prądu kolektora 100mA) obu polaryzacji firmy Fairchild.
    Nie należy też zapominać, iż dla innych typów tranzystorów - szczególnie wysokonapięciowych i mocy, np. używanych w układach odchylania TV - to potrzeba nawet prądu bazy równego połowy prądu kolektora aby taki tranzystor wprowadzić w nasycenie, ale jest to tylko parametr teoretyczny, ponieważ w takim stanie tam te tranzystory nie pracują, a to również z powodów o których wspomniałem wyżej.

    Szkoda, że nie napisałeś jeszcze o przełącznikowych, z diodą Schottky, oraz germanowych.
    Wykład byłby pełny. I bardzo interesujący dla użytkowników chcących wysterować przekaźnik.

    Quarz napisał:
    marekzi napisał:
    Szkoda tylko, że zamiast wklejać obrazki nie podałeś linków aby można było odnieść się do meritum - ani typu tranzystora (domyślam się że będą to małej mocy, do m.cz, z wysoką betą), ani producenta - nie ma to jak rzucić argumentem bez podania źródła
    Z tych obrazków tylko jeden jest do rozszyfrowania - dotyczy BC546.
    Ponieważ nie jestem w stanie po kroju czcionki ani wyglądzie tabelki zidentyfikować konkretnego datasheet - proszę odnieść się do:
    http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/fairchild/BC546.pdf str.2, Fig.4 - pisze jak byk Ic=10Ib.
    http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/motorola/BC546B.pdf str.3 Fig.2 - Ic=10Ib
    http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/mcc/548B.pdf str3, Fig.2 - Ic=10Ib
    i jeszcze kilka innych.
    Patrz wyżej ... a to co, mam tu wkleić całe DataSheet tych tranzystorów, a które mam u siebie w komputerze, byś uwierzył?
    Natomiast szukać linków po sieci nie mam obowiązku, a poza tym dostało by mi się od Moderatora ...

    Nie wklejać, nie szukać - podać źródło.
    Jeśli z sieci - podać link.
    Jeśli z dysku (kolekcjonujesz je? :lol: ) - podać typ (nazwę) tranzystora, jego producenta. Tak, abym mógł sobie to znaleźć i się do tego odnieść. To podstawowa zasada jakiejkolwiek dyskusji, bo bez tego ta dyskusja przypomina słynne argumenty znanego polityka "wiem ale nie powiem".
    I tu mnie zadziwiasz - nie wiesz tego?
    Nie podałeś, a bez tego Twoje obrazki to tylko...obrazki.

    Quarz napisał:
    marekzi napisał:
    Mniej więcej jest to pół na pół - Ic=10Ib albo Ic=20Ib. Dla tego samego tranzystora. No to jak jest? - pojawia się tam warunek Ic=10Ib?
    Ponieważ są to różne dane - ja korzystam z tych "bardziej niekorzystnych" wg starej zasady "najgorszego przypadku" i do tego namawiam innych, co też jest i wygodne w praktyce, bez konieczności każdorazowego sięgania po datasheet.
    Wiem, w tabelkach dla BC546 podano Ucesat dla Ic=20Ib - tak, ale tylko wartości max. i dla 2-3 wartości Ic - np. 10mA i 100mA - a co gdy ja potrzebuję to dla Ic=50mA? Na wykresach jest znacznie więcej informacji.
    N.b. - zastanawiajace jest to, że robiono pomiary wielu egz. (aby uchwycić przebieg typowy) dla Ic=10Ib, podczas gdy w tabeli dla Ucenasmax podano je dla Ic=20Ib.
    Mniej więcej oraz "pół na pół", to jest tu zupełnie niewłaściwe określenie.
    Chcąc być w zgodzie z prawdą należałoby zdobyć DataSheet wszystkich produkowanych tranzystorów bipolarnych małej mocy i ogólnego przeznaczenia (Icmax do 100mA) oraz obu polaryzacji, przejrzeć je oraz wykonać stosowne statystyki.
    W przeciwnym przypadku, to upieranie się z warunkiem nasycenia;
    Ic=10•Ib,
    i że jest to "pół na pół" z warunkiem nasycenia;
    Ic=20•Ib
    jest - jak dla mnie - nadinterpretacją, by nie nazwać tego znacznie (i zgodnie z prawdą) dosadniej, ale podaruję tu to sobie, by nie dać Tobie powodu do pisania następnego na mnie do_nosu do 'Wszystkich Świętych' ...

    I tu masz rację - aby użyć słowa każdy tak jak Ty je rozumiesz - czyli dosłownie - należałoby przeczytać wszystkie datasheet. A to niemożliwe, nawet dotarcie do wszystkich, codziennie pewnie kilka powstaje. Dlatego w tym rozumieniu tego słowa nikt nigdy nie mógłby użyć.
    Zdradzę Ci, że to było uogólnienie, takie jakiego używamy wszyscy, w tej liczbie i ja i Ty.
    A nazywaj sobie to jak chcesz. Mnie w Twoim wykonaniu już nic nie zdziwi.

    Quarz napisał:
    marekzi napisał:
    Tak więc, jeśli tak bardzo uraziło Cię słowo "w każdym datasheet" to będziesz mi musiał wybaczyć to uogólnienie. Być może nie w każdym, chociaż z tych co podałeś - w jedynym możliwym do zidentyfikowania - pojawia się jak wykazałem wyżej.
    Patrz wyżej - producenta oraz źródło podałem, więcej szukaj sobie sam ...
    Zaś co do wybaczenia, to zastanowię się, ponieważ ilość "goryczy" z Twojej strony już dawno przelała jej czarę, ale widzę tu jakiś zwrot z Twojej strony.

    Tu w oczywisty sposób mijasz się z prawdą: gdzie podałeś producenta i źródło?
    Jak udowadniam wyżej - wkleiłeś tylko obrazki, bez informacji o typie (nazwie) tranzystora, jego producencie.
    Czyżbyś zrozumiał to jako przeprosiny?
    No to muszę Cię rozczarować. A tłumaczyć Ci tego nie chce mi się. Jak to Ty piszesz? - "nie mam obowiązku".
    Quarz napisał:
    marekzi napisał:
    Na koniec - proszę porównać konkretne Ucenas z datasheet gdzie podano je dla Ic=10Ib z danymi z datasheet dla Ic=20Ib:
    http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/vishay/85113.pdf - str.4, Ic=20Ib, : Ic=10mA - Uce=70mV, Ic=100mA - Uce=190mV
    http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/fairchild/BC546.pdf - str. 2, Fig.4, Ic=10Ib: Ic=10mA - Uce=45mV, Ic=100mA - Uce=105mV.
    Różnice w Uce baardzo wyraźne. Wskazuje to jasno na to, że dla Ic=20Ib tranzystor nie jest w pełnym, głębokim nasyceniu ale zaledwie na "kolanie" przejścia ze stanu liniowego do stanu nasycenia.
    A przecież ja w całym tym wywodzie o sterowaniu klucza podkreślałem to wiele razy - "warunkiem wprowadzenia tranzystora w stan pełnego, głębokiego nasycenia .."
    A przecież stan głębokiego nasycenia tranzystora nie jest tu potrzebny (patrz wyżej), tak więc reasumując - od kilku Twoich postów - w tym temacie - przebija tu Twoje zwykłe pisanie dla samego pisania, a to nazywają tu zwykłym biciem piany (zauważ, napisałem bez to bez cudzysłowia) ...

    Do tego zagadnienia - czy warunek Ic=20Ib - jest wystarczający do wprowadzenia w stan nasycenia, odniosę się później - jutro.

    elek555 napisał:
    Tak na prawdę myślę że będzie trzeba zadbać o nasycenie dla Ic około 300mA (2-3szt przekaźników) i spadku zasilania do 9V ze względów wcześniej podanych (zima, rozruchy)

    Autor tematu ma trzy przekaźniki, które w sumie pobierają 100mA (12V) -120mA(14,4V).

    jony napisał:
    Trzeba zadać sobie tytanie czy jest sens "wałczyć" o tak głębokie nasycenie.
    Tradycyjny technika wygląda tak.
    Mamy tranzystor BC327-25 sprawdzamy w nocie jego minimalne wzmocnienie.
    http://www.nxp.com/documents/data_sheet/BC807_BC807W_BC327.pdf
    Hfe_min = 160.
    Teraz znając maksymalny prąd kolektora pobierany przez obciążenie 120mA
    Obliczamy minimalny prąd bazy Ib_min = 120mA/160 = 750µA
    Dla bezpieczeństwa warto zwiększyć ten minimalny prąd bazy z 3 do 5 razy.
    Co do prąd bazy w przedziale 2.2mA ... 3.75mA.
    I rezystor bazowy Rb = 5.1K...3.3K
    I moje egzemplarze BC327-25 miały Ucesat w przedziale 0.2V ... 0.14V.
    Moc strat i tak będzie pomijalni mała.
    A zwiększenie Ib do 12mA czyli Ic/Ib = 10 zmiesza tylko Ucesat do 0.098V = 98mV ≈ 100mV = 0.1V Ube w okolicy 0.9V.
    A to oznacza moc strat w "bazie" na poziomie mocy start w "kolektorze".
    W praktyce dał bym RB = 1K a jako podciągający 10K.
    Bo tych rezystorów mam najwięcej.
    I jak dla mnie w tej aplikacji nie ma sensu walczyć o każdy miliwolt.

    No i zobacz - naliczyłeś się, a na końcu zaproponowałeś opornik dający Ic=10Ib.
    Ten warunek jest też wygodny w stosowaniu - jako "uniwersalny", ale też zwykle daję przesadzone wartości i tu masz rację - zwykle nie trzeba walczyć ani o milivolty, ani o głębokie nasycenie.
    marekzi napisał:
    Co do sterowania tranzystora: - warunkiem skutecznego wprowadzenia tranzystora w nasycenie jest dostarczenie mu do bazy dużego prądu, i nie ma co tu patrzeć na betę.
    Jak zalecają producenci np. http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/MicroElectronics/mXuzzqz.pdf takim warunkiem jest aby Ib=0,1Ic, czyli tutaj dla Ic=120mA, Ib powinno wynosić min. 10mA i z tego warunku należy dobrać opornik bazowy: Rb=(12-Ube-Uwy)/10= ok. 1k.
    Przy takim sterowaniu mamy pewność że tranzystor jest całkiem otwarty, a jego Ucenas jest niskie i wyniesie ok. 0,1V (dla Ic=120mA)
    Czy układ sterujący jest w stanie dostarczyć taki prąd?
    Przy Ib=5mA też będzie działać, ale Uce będzie już nieco większe, przy 2mA (Rb=4,7k) - podobnie, ale Uce może osiągnąć nawet 0,5-1V i tranzystor zacznie się grzać.

    marekzi napisał:

    Z praktyki wiadomo, że warunek Ic=10Ib jest restrykcyjny, zwykle wystarcza Ic=20Ib, co oznacza, że można próbować R1=2,2k. Dla wartości R1 >2,2k Uce tranzystora zacznie wzrastać,
    Reasumując:
    - R1=1k, można próbować 2,2k -zalecałbym wtedy sprawdzenie Uce tranzystora,

    @nelik1987; - ja zwykle w takich zastosowaniach kieruję się regułą Ic=10-20Ib, w zależności od warunków pracy, potrzeby ograniczenia energii (tu kol. jony ma rację).
    Tu (samochód) - warunki są trudne, 10mW strat w bazie nic albo niewiele znaczy.
    Wynika z tego, że powinieneś dać szeregowo w bazie opornik 1,1-2,2k.
    Chcesz usłyszeć konkretną wartość? - OK: 1,5k.

  • #51 01 Kwi 2012 18:15
    Quarz
    Poziom 43  

    marekzi napisał:
    Quarz napisał:

    A na dodatek zapomniałeś o tym - lub też zwyczajnie nie chcesz tego zauważyć, a 'każdy kij mam dwa końce' - że wprowadzenie jakiegokolwiek tranzystora bipolarnego w stan głębokiego nasycenia wiąże się z inną niedogodnością kiedy trzeba go z tego nasycenia wyprowadzić.
    Ale o tym już ni słowo z Twojej strony ...

    Nie zapomniałem, ale nic to nie ma tu do rzeczy.
    Uważasz, że to ważne, aby przekaźnik wyłączyć w czasie 10µ[S]s zamiast 1m[S]s? [od kiedy to czas mierzysz w siemensach, pytam retorycznie? - dop. Quarz]
    Zwykłe rozwadnianie dyskusji na zasadzie "coś wymyślę aby się przyczepić".
    Jak zwykle, jesteś w błędzie, ponieważ jak powiedziało się A, to również należy powiedzieć i B - by dla potomnych została tu pełna wiedza, a nie tylko jej bełkotliwe części.

    marekzi napisał:
    Quarz napisał:
    marekzi napisał:
    Przyznaję, dla niektórych tranzystorów producenci "rozluźniają rygory" i taki warunek Ic=20Ib się pojawia, ale w zdecydowanej mniejszości, i z reguły dla tranzystorów nowszych konstrukcji/przeznaczonych do pracy z małymi prądami.
    Nie "rozluźniają rygory", tylko dostosowują swe parametry do rzeczywistych wartości a zastanych w swych produkowanych tranzystorach - są to popularne tranzystory bipolarne ogólnego przeznaczenia (maksymalna wartość prądu kolektora 100mA) obu polaryzacji firmy Fairchild.
    Nie należy też zapominać, iż dla innych typów tranzystorów - szczególnie wysokonapięciowych i mocy, np. używanych w układach odchylania TV - to potrzeba nawet prądu bazy równego połowy prądu kolektora aby taki tranzystor wprowadzić w nasycenie, ale jest to tylko parametr teoretyczny, ponieważ w takim stanie tam te tranzystory nie pracują, a to również z powodów o których wspomniałem wyżej.

    Szkoda, że nie napisałeś jeszcze o przełącznikowych, z diodą Schottky, oraz germanowych.
    Wykład byłby pełny. I bardzo interesujący dla użytkowników chcących wysterować przekaźnik.
    Szkoda to wtedy, i tylko wtedy, kiedy do studni wpadnie 'krowa' - wszak wtedy ani 'krowy', ani w studni czystej wody ...
    Natomiast co ja mam pisać na forum, to wiem i wypraszam sobie abyś mnie w tej materii - i po raz kolejny - pouczał oraz mi dyktował co ja tu mam robić i o czym pisać.
    Kim Ty dla mnie jesteś - chciałoby się zapytać - jakie masz do tego prawo aby mi dyktować moje postępowanie na tym forum?
    Już raz napisałem Tobie kogo możesz sobie pouczać - jak sobie na to pozwolą - i nie mam zamiaru powtarzać się.

    marekzi napisał:
    Quarz napisał:
    marekzi napisał:
    Szkoda tylko, że zamiast wklejać obrazki nie podałeś linków aby można było odnieść się do meritum - ani typu tranzystora (domyślam się że będą to małej mocy, do m.cz, z wysoką betą), ani producenta - nie ma to jak rzucić argumentem bez podania źródła
    Z tych obrazków tylko jeden jest do rozszyfrowania - dotyczy BC546.
    Ponieważ nie jestem w stanie po kroju czcionki ani wyglądzie tabelki zidentyfikować konkretnego datasheet - proszę odnieść się do:
    http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/fairchild/BC546.pdf str.2, Fig.4 - pisze jak byk Ic=10Ib.
    http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/motorola/BC546B.pdf str.3 Fig.2 - Ic=10Ib
    http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/mcc/548B.pdf str3, Fig.2 - Ic=10Ib
    i jeszcze kilka innych.
    Patrz wyżej ... a to co, mam tu wkleić całe DataSheet tych tranzystorów, a które mam u siebie w komputerze, byś uwierzył?
    Natomiast szukać linków po sieci nie mam obowiązku, a poza tym dostało by mi się od Moderatora ...

    Nie wklejać, nie szukać - podać źródło.
    Jeśli z sieci - podać link.
    Jeśli z dysku (kolekcjonujesz je? :lol: ) [uznaję, te zaakcentowane przeze mnie słowa, za niedopuszczalną z Twojej strony uszczypliwość oraz sarkazm i za co będę domagał się -od właściwej osoby - ukarania Ciebie w ramach retorsji i nie powinno Ciebie w najmniejszej części to interesować dlaczego mam te dane w swoim komputerze - dop. Quarz] - podać typ (nazwę) tranzystora, jego producenta. Tak, abym mógł sobie to znaleźć i się do tego odnieść. To podstawowa zasada jakiejkolwiek dyskusji, bo bez tego ta dyskusja przypomina słynne argumenty znanego polityka "wiem ale nie powiem".
    I tu mnie zadziwiasz - nie wiesz tego?
    Nie podałeś, a bez tego Twoje obrazki to tylko...obrazki.
    Odnośnie szkody - patrz wyżej ... zaś w następnym mym poście podałem tu Tobie producenta oraz jego DataShet, więc o co idzie, tak trudno to znaleźć?
    Wszak, co widzę, znalazłeś je sobie sam, więc jak mam to nazwać, takie Twoje postępowanie?

    marekzi napisał:
    Quarz napisał:
    marekzi napisał:
    Mniej więcej jest to pół na pół - Ic=10Ib albo Ic=20Ib. Dla tego samego tranzystora. No to jak jest? - pojawia się tam warunek Ic=10Ib?
    Ponieważ są to różne dane - ja korzystam z tych "bardziej niekorzystnych" wg starej zasady "najgorszego przypadku" i do tego namawiam innych, co też jest i wygodne w praktyce, bez konieczności każdorazowego sięgania po datasheet.
    Wiem, w tabelkach dla BC546 podano Ucesat dla Ic=20Ib - tak, ale tylko wartości max. i dla 2-3 wartości Ic - np. 10mA i 100mA - a co gdy ja potrzebuję to dla Ic=50mA? Na wykresach jest znacznie więcej informacji.
    N.b. - zastanawiajace jest to, że robiono pomiary wielu egz. (aby uchwycić przebieg typowy) dla Ic=10Ib, podczas gdy w tabeli dla Ucenasmax podano je dla Ic=20Ib.
    Mniej więcej oraz "pół na pół", to jest tu zupełnie niewłaściwe określenie.
    Chcąc być w zgodzie z prawdą należałoby zdobyć DataSheet wszystkich produkowanych tranzystorów bipolarnych małej mocy i ogólnego przeznaczenia (Icmax do 100mA) oraz obu polaryzacji, przejrzeć je oraz wykonać stosowne statystyki.
    W przeciwnym przypadku, to upieranie się z warunkiem nasycenia;
    Ic=10•Ib,
    i że jest to "pół na pół" z warunkiem nasycenia;
    Ic=20•Ib
    jest - jak dla mnie - nadinterpretacją, by nie nazwać tego znacznie (i zgodnie z prawdą) dosadniej, ale podaruję tu to sobie, by nie dać Tobie powodu do pisania następnego na mnie do_nosu do 'Wszystkich Świętych' ...

    I tu masz rację - aby użyć słowa każdy tak jak Ty je rozumiesz - czyli dosłownie - należałoby przeczytać wszystkie datasheet. A to niemożliwe, nawet dotarcie do wszystkich, codziennie pewnie kilka powstaje. Dlatego w tym rozumieniu tego słowa nikt nigdy nie mógłby użyć.
    Zdradzę Ci, że to było uogólnienie, takie jakiego używamy wszyscy, w tej liczbie i ja i Ty. [wypraszam siebie, abyś mnie w to mieszał i żądam za to stosownej oraz publicznej satysfakcji - dop. Quarz]
    A nazywaj sobie to jak chcesz. Mnie w Twoim wykonaniu już nic nie zdziwi.
    I vice versa ...

    marekzi napisał:
    Quarz napisał:
    marekzi napisał:
    Tak więc, jeśli tak bardzo uraziło Cię słowo "w każdym datasheet" to będziesz mi musiał wybaczyć to uogólnienie. Być może nie w każdym, chociaż z tych co podałeś - w jedynym możliwym do zidentyfikowania - pojawia się jak wykazałem wyżej.
    Patrz wyżej - producenta oraz źródło podałem, więcej szukaj sobie sam ...
    Zaś co do wybaczenia, to zastanowię się, ponieważ ilość "goryczy" z Twojej strony już dawno przelała jej czarę, ale widzę tu jakiś zwrot z Twojej strony.

    Tu w oczywisty sposób mijasz się z prawdą: gdzie podałeś producenta i źródło?
    Jak udowadniam wyżej - wkleiłeś tylko obrazki, bez informacji o typie (nazwie) tranzystora, jego producencie.
    Ile razy mam Tobie powtarzać to samo - patrz wyżej oraz czytaj ze zrozumieniem - pytam?
    Ale powtórzę - były to DataSheety od Fairchild'a, a jakie ta Firma produkuje tranzystory bipolarne z podanymi tam (na moich, jak to nazwałeś 'obrazkach') parametrami to przecież powinna być dla Ciebie "bułka z masłem', aby to znaleźć.

    marekzi napisał:
    Czyżbyś zrozumiał to jako przeprosiny?
    Kto, kogo, pytam?

    marekzi napisał:
    No to muszę Cię rozczarować. A tłumaczyć Ci tego nie chce mi się. Jak to Ty piszesz? - "nie mam obowiązku".
    Quarz napisał:
    marekzi napisał:
    Na koniec - proszę porównać konkretne Ucenas z datasheet gdzie podano je dla Ic=10Ib z danymi z datasheet dla Ic=20Ib:
    http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/vishay/85113.pdf - str.4, Ic=20Ib, : Ic=10mA - Uce=70mV, Ic=100mA - Uce=190mV
    http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/fairchild/BC546.pdf - str. 2, Fig.4, Ic=10Ib: Ic=10mA - Uce=45mV, Ic=100mA - Uce=105mV.
    Różnice w Uce baardzo wyraźne. Wskazuje to jasno na to, że dla Ic=20Ib tranzystor nie jest w pełnym, głębokim nasyceniu ale zaledwie na "kolanie" przejścia ze stanu liniowego do stanu nasycenia.
    A przecież ja w całym tym wywodzie o sterowaniu klucza podkreślałem to wiele razy - "warunkiem wprowadzenia tranzystora w stan pełnego, głębokiego nasycenia .."
    A przecież stan głębokiego nasycenia tranzystora nie jest tu potrzebny (patrz wyżej), tak więc reasumując - od kilku Twoich postów - w tym temacie - przebija tu Twoje zwykłe pisanie dla samego pisania, a to nazywają tu zwykłym biciem piany (zauważ, napisałem bez to bez cudzysłowia) ...

    Do tego zagadnienia - czy warunek Ic=20Ib - jest wystarczający do wprowadzenia w stan nasycenia, odniosę się później - jutro.
    Yasne, jednym słowem - jak to masz w zwyczaju - będziesz "szukać dziury w całym" i po raz kolejny podważać dane podawane w DataSheet przez Producenta ...
    Pozwolę sobie nie skomentować szerzej, powyższego, Twojego oświadczenia.

  • #52 01 Kwi 2012 23:09
    KaW
    Poziom 34  

    To Uce sat podane jest dla stanów dynamicznych -impulsowych .Przy czasie zadziałania przekaźnika -rzędu msek-stan nasycenia trwający max 300usec jest zastosowany bez potrzeby /przez wymuszenie Ib/.
    Przekaźnik nie działa od czasu nasycenia tranzystora -tylko od amperozwojów i ma swoją stała czasową .Jest elementem "powolnym".

    //Mozna to policzyć zgrubnie -np 200 omów razy 500mA=100.V. Takie potrzebne będzie napięcie zasilania -/na czas 300us/....//

  • #53 02 Kwi 2012 00:13
    marekzi
    Poziom 38  

    KaW napisał:
    To Uce sat podane jest dla stanów dynamicznych -impulsowych .Przy czasie zadziałania przekaźnika -rzędu msek-stan nasycenia trwający max 300usec jest zastosowany bez potrzeby /przez wymuszenie Ib/.
    Przekaźnik nie działa od czasu nasycenia tranzystora -tylko od amperozwojów i ma swoją stała czasową .Jest elementem "powolnym".

    //Mozna to policzyć zgrubnie -np 200 omów razy 500mA=100.V. Takie potrzebne będzie napięcie zasilania -/na czas 300us/....//


    Mylisz metodę pomiaru z zastosowaniem.
    Metoda "pulse test" to sposób pomiaru - przez bardzo krótki czas (za pomocą sprzętu opartego np. na oscyloskopie) po to aby tranzystor się nie grzał, bo to zmienia jego punkt pracy i wyniki.
    Policz sobie np. dla tego BC327 przy Ic=500mA gdy będzie miał Ucesat=0,5V - Pstrat=0,25W (oprócz tego moc strat w złączu bazy ok. Ube=1V, Ib=50mA - P=ok.50mW) i taka moc szybko zagrzeje tranzystor zmieniając np. jego Ube - parametry pomiaru zaczęłyby się "rozjeżdżać".
    Dlatego robi się pomiar z tymi prądami ale w czasie tp około milisekundy z małym wypełnieniem - rzędu 1-2% (np. impuls prądu trwający 300µs i przerwa 29,7ms - w sumie okres T wynosi 30ms) - wtedy moc średnia wynosi Pśr=Ptp/T=0,01P - w tym przypadku Pśr=0,01x250mW=2,5mW i taka moc nie nagrzewa tranzystora.
    A te wyliczenia 100V to.... daj spokój.

  • #54 02 Kwi 2012 00:31
    Quarz
    Poziom 43  

    Nawet jak bym nie chciał, to muszę - dla dobra innych czytających - 'pokazywać palcem' "postawione kupy" tu przez Ciebie:

    marekzi napisał:
    [ ... ]
    Dlatego robi się pomiar z tymi prądami ale w czasie tp około milisekundy z małym wypełnieniem - rzędu 1-2% (np. impuls prądu trwający 300µs i przerwa 29,7ms - w sumie okres T wynosi 30ms) - wtedy moc średnia wynosi Pśr=Ptp/T=0,01P - w tym przypadku Pśr=0,01x250mW=2,5mW i taka moc nie nagrzewa tranzystora.
    A te wyliczenia 100V to.... daj spokój.
    więc popatrz i podziwiaj coś tu "postawił" ... :!: :!: :!:
    Przyjmij też do wiadomości, iż żadnego usprawiedliwienia w tej sprawie od Ciebie nie przyjmuję - robisz, co raz, kardynalne błędy na forum, a jak je Tobie tu wytkną, to idziesz z żalami, że Cię tu sekują ...
    marekzi napisał:
    @Quarz; - ignoruję [c]Cię, i po raz ostatni Cię o tym informuję.
    I wcale mnie to nie zdziwiło, skoro nim jesteś i do tego tu przyznajesz się ... :idea:

  • #55 15 Kwi 2012 19:29
    Jarik
    Specjalista Automatyk

    Wartość ograniczająca prąd bazy jest do policzenia z prawa oma. Trzeba wyjść od obliczenia prądu bazy tranzystora a ten zależny jest od wartości prądu kolektora i tzw Bety tranzystora czyli wzmocnienia prądowego tranzystora. Ten parametr zależy od typu i grupy tranzystora (literki na końcu oznaczenia A,B i C lub jak w twoim schemacie mogą być cyferki 16, 25 lub 40). Z katalogu wybierasz wartość najmniejszą dla danego tranzystora dla tego tranzystora zakładam ten parametr = 60 . Czyli prąd bazy będzie 60 razy mniejszy niż prąd kolektora. Jeżeli w trakcie załączenia będzie pobierany prąd 120 mA to prąd bazy powinien wynosić 2 mA. Stąd obliczysz wartość rezystora. U zasilania minus 1,2V (1,2 to napięcie UBE tranzystora z karty katalogowej). Przy napięciu zasilania 14,3V bo tyle może być w instalacji samochodowej wartość rezystora wyniesie ok. 6k5 ale takiej wartości nie znajdziesz w typoszeregu więc wybieramy z szeregu np E12 wartość mniejszą niż wyliczona czyli 5k6 (tu jedynie należy zwrócić uwagę żeby nie przekroczyć wartości maksymalnej prądu bazy tranzystora). Taką samą wartość rezystora można połączyć pomiędzy bazę a emiter. Przy takim założeniu prąd płynący przez rezystor będzie ok. 10X mniejszy od prądu bazy (zgrubny szacunek). Jeżeli prąd przekaźników będzie większy to należy wartość przeliczyć. Analizując kartę katalogową (http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/fairchild/BC327.pdf) przy założonym prądzie bazy i prądzie kolektora, napięcie nasycenia powinno wynieść ok 300mV (wykres nr 1). Dioda może być zwykła prostownicza. Szybkie diody różnią się tym zwykłych diod prostowniczych tym że potrzebują mniej czasu na wytworzenie warstwy zaporowej a tu w tej aplikacji nie jest istotne.

  • #56 15 Kwi 2012 20:07
    nelik1987

    Poziom 31  

    Dziękuję wszystkim za odpowiedzi. Jak na razie do testów przyjąłem rezystor bazy 1k a rezystor podciągający 10k

  • #57 15 Kwi 2012 20:10
    marekzi
    Poziom 38  

    Kolega Jarik kilka błędów tu napisał.
    Zalecam uważne przeczytanie tematu od początku, datasheet BC327, zwłaszcza wykresów Ucenas i opisów na nich, ale raczej nie ten podany wyżej
    http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/fairchild/BC327.pdf
    gdyż podano tam niewiele informacji n/t nasycenia, są tam też błędy (np. Fig.4),
    lecz ten
    http://www.datasheetcatalog.org/datasheet2/9/0ofp1a46s6ah2k28u07jlt9rl0wy.pdf
    oraz przyswojenie sobie pojęcia "nasycenie tranzystora".
    Podstawowa - wydawałoby się - sprawa a tu kolejny post świadczący o niezrozumieniu.
    Zacytuję tu Horowitz'a z jego znanej książki pt. "Sztuka Elektroniki":
    str.74:
    Przy projektowaniu przełączników tranzystorowych należy uwzględnić następujące uwagi:
    ... Wartość rezystancji rezystora w obwodzie bazy należy wybierać tak, aby otrzymać znaczny nadmiar prądu bazy...

    str.645:
    "W nasycajacych się układach kluczujacych do bazy dostarczany jest spory prąd (zazwyczaj 1/10 lub 1/20 prądu kolektora), co pozwala uzyskać napięcie nasycenia od 0,05V do 0,2V. Jeżeli obciążenie niespodziewanie zażąda większego prądu, tranzystopr wyjdzie z nasycenia i znacznie wzrosną straty mocy.
    Charakterystyki z rys. G4 pokazują, że trudno jest dokładnie określić obszar nasycenia tranzystora; można stosować kryteria arbitralne w rodzaju Ic=10Ib"

    Od siebie dodam tylko jeszcze aby "wątpiący" zamiast wspomnianego przez Horowitz'a przypadku gdy "obciążenie niespodziewanie zażąda większego prądu" rozpatrzyli sobie przypadek obniżenia się temperatury - nawet o 50 stC (w samochodzie to możliwe - układ konstruujemy w temp. pokojowej, a rano, podczas srogiej zimy jest -30 stC) i jakie to będzie mieć konsekwencje gdy tranzystor będzie wysterowany "na styk", w płytkim nasyceniu (w tym przypadku rezystor w bazie rzędu 6k).

  • #58 18 Kwi 2012 09:26
    kybernetes
    Poziom 39  

    Ja tu mam jeszcze jedną uwagę do wypowiedzi kol. Jarika - przy projektowaniu urządzeń samochodowych należy przyjąć generalną zasadę, że napięcie w sieci pokładowej pojazdu może się wahać w granicach 8-16 V i dla takich napięć układ powinien poprawnie pracować. Unikniemy w ten sposób niespodzianek.

  • #59 18 Kwi 2012 13:40
    marekzi
    Poziom 38  

    To też jest racja, chociaż z tym zakresem napięć akumulatora bym dyskutował. W skrócie - 8V to akumulator trup, 16V to awaria ładowania. A nasz układ ma pracować w zakresie napięć dopuszczalnych i nie w momencie rozruchu gdy na kiepskim akumulatorze napięcie może spaść do 8V. Dlatego brałbym pod uwagę zakres napięć 11-15V - i to już z "zapasem" w obie strony.

  • #60 18 Kwi 2012 18:16
    elek555
    Poziom 37  

    marekzi napisał:
    W skrócie - 8V to akumulator trup, 16V to awaria ładowania..
    Marku nazewnictwo nie ma znaczenia natomiast instalacje w samochodach muszą być pewne /w skrajnych warunkach też/, bo mogą pośrednio stwarzać zagrożenia dla innych