Elektroda.pl
Elektroda.pl
X
Proszę, dodaj wyjątek www.elektroda.pl do Adblock.
Dzięki temu, że oglądasz reklamy, wspierasz portal i użytkowników.

MOSFET-P Zabezpieczenie akumulatorów 6V i mniejszych

snozer 02 Maj 2013 00:40 8124 17
  • #1 02 Maj 2013 00:40
    snozer
    Poziom 17  

    Witam ostatnio borykam się z układem zabezpieczającym akumulator przed nadmiernym rozładowaniem. W sieci można sporo znaleźć odnośnie akumulatorów 12V. Ja chciałem zbudować układ dla akumulatora o napięciu Vminim=6V lub mniej
    Zaprojektowałem coś takiego:
    MOSFET-P Zabezpieczenie akumulatorów 6V i mniejszych]

    jako Mosfet użyłem IRF9540. Ze względu na stosunek R2 do R1 wynikający ze wzoru R2/R1=(Vmin/1.24V)-1 użyłem rezystory R1=50K i R2=210k , ze względu na histerezę układu 0,5V użyłem R4=1M i tu się zaczęły problemy. Przy napięciu 6,5V układ się złącza bez problemu, jednak przy spadku napięcia do 6.2V zaczyna płynąc połowa prądu znamionowego a przy 6V układ się wyłącza. Przypuszczam że problemem jest Mosfet i jego pojemność. Przy prądzie 1,3A układ lepiej, gorzej ale działa, natomiast przy prądzie 2,3A układ nie chce się wyłączać tylko obniża prąd do 1,3A a następnie przy progu 6V się wyłącza.Prosze o pomoc doboru MOSFETA dla 2A i napięcia wyłączenia Vmin 6V.
    Jednocześnie chciał bym zauważyć że układ pracuje dużo bardziej stabilnie dla rezystorów R1 i R2 o pięciokrotnie wyższych nominałach niż podawałem.Czyli około R1=230K i R2=1M.

    Dodam że znalazłem MOSFETY typu P FDD5614P i IRLML2244TRPbF zastanawiam się czy któryś się nada.
    Z góry dziękuje za pomoc

    0 17
  • #2 02 Maj 2013 02:14
    Mirek Z.
    Moderator

    Układ jest zaprojektowany poprawnie, a przyczyną takiego, a nie innego, działania jest charakterystyka wejściowa tego tranzystora IRF9540N - zobacz na stronie 3, Fig 1. Typical Output Characteristics & Fig 2. Typical Output Characteristics, gdzie wyraźnie widać jak dużej wartości napięcia bramka-źródło potrzeba aby ten tranzystor był całkowicie włączony.
    Tu, ze względu na niską wartość zasilania, potrzebny jest tranzystor MOSFET typu Logic Level.
    Z podanych tu typów FDD5614P oraz IRLML2244TRPbF lepszy jest ten drugi.

    P.S. Post przekazany przez Kolegę Quarz.

    0
  • #3 02 Maj 2013 07:17
    Pawel2420
    Poziom 30  

    W ogniwach LI-Ion praktycznie zawsze są zamontowane płytki z tzw. zabezpieczeniem. Znajduję się na nich specjalne zrobione do takich celów tranzystory. Chyba tu przy opisie części płytek znajdziesz jakieś schematy http://www.batimex.pl/towary.php?idzastosowania=1253&idzastosowanianad=1050&search= Z mich można się dowiedzieć jaki konkretnie typ tranzystora został użyty. Możesz ew. zastosować po drobnych przeróbkach gotowy moduł z akumulatora Li-Ion. Pamiętaj jednak, że zabezpieczają one również przed zbyt dużym napięciem na akumulatorze.

    0
  • #4 02 Maj 2013 15:01
    snozer
    Poziom 17  

    Właśnie kolega 'Pawel2420' trafił z tym ogniwem Li-ion w samo sedno. Układ będzie zabezpieczał akumulator od kamery 7.4V Li-ion. Akumulator posiada zabezpieczenie fabrycznie lecz jest to ostateczne zabezpieczenie przed całkowitym rozładowaniem. Zabezpieczenie to odłącza akumulator przy 5,35V co przy częstym rozładowywaniu do tego poziomu napięcia powoduje spadek pojemności akumulatora.
    Z tego co wiem jest to poziom napięcia do którego raz na kiedy powinno się akumulator rozładować w celu sformatowania.
    Napięcie zadziałania dodatkowego zabezpieczenia nie powinno być niższe niż 6V - zazwyczaj przy tym napięciu układy kontrolujące pracę kamery wyłączają zasilanie.
    Tak wygląda akumulator: MOSFET-P Zabezpieczenie akumulatorów 6V i mniejszych
    Wewnętrzny układ zabezpieczający akumulator wyłącza go również przy zwarciach co jest bardzo przydatne przy stosowaniu akumulatora do innych urządzeń. Wystarczy akumulator podłączyć do ładowarki na chwile i układ odblokowuje akumulator

    Natomiast znalazłem układ do zabezpieczenia ogniw. Jest to np:.NDS9948. Składa się z dwóch Mosfet-ów i jest przeznaczony do zabezpieczenia dwóch ogniw. Ze względu, że zabezpieczam cały akumulator postaram się złożyć i przetestować mój układ na IRLML2244TRPbF tak jak kolega 'Mirek Z.' radzi. O wynikach badań dam znać :D

    0
  • #5 13 Maj 2013 22:12
    snozer
    Poziom 17  

    Jeśli chodzi o układ to trochę nad nim posiedziałem. Podłączyłem MOSFET-N BUZ11 oczywiście do masy i układ idealnie działał tyle że na odwrót. Powyżej 6,4V wyłączał zasilanie a poniżej 6V załączał. Jeśli chodzi o MOSFET -P to układ nie chce działać. Próby skończyłem na NDP6020p i jest ciągle tak samo. Jeśli chodzi o pobór prądu to przy odłączeniu zasilania spada poniżej 1mA więc akumulator praktycznie się nie rozładowuje. Jeśli ktoś ma propozycję tranzystora to proszę o pomoc. Ewentualnie jeśli ktoś zna lepszy układ to poproszę o schemat. Podobnie jest z tranzystorem IRLML64001

    0
  • #6 13 Maj 2013 22:26
    Mirek Z.
    Moderator

    Tranzystor NDP6020p niby odpowiedni - zmniejsz R2 na ok. 10kom. Nie znamy wartości rezystorów R1, R2 i R4, być może tam masz coś źle?

    0
  • #7 13 Maj 2013 23:54
    snozer
    Poziom 17  

    R4 chyba mam za duży bo 4,7M, a R2 mam potencjometr 1M a R1 potencjometr 300k.

    0
  • #8 14 Maj 2013 00:11
    Mirek Z.
    Moderator

    R1 i R2 są o rząd wielkości za duże... a ponadto tam jeszcze powinna być baza tranzystora bipolarnego - C8050 - "przycięta"...
    Trzeba włączyć pomiędzy bazę a emiter rezystor ok. 10kom.

    Poprzedni post "uszczegółowiłem" - dopisałem typ tranzystora, który miałem na myśli.

    0
  • #9 14 Maj 2013 00:20
    snozer
    Poziom 17  

    Ok zmniejszyłem R4 na 1,4M ale histereza mi się zmieniła na 1,5V no i układ działa. Pytanie jak go przerobić by histereza nie była większa niż 0,8V

    0
  • #10 14 Maj 2013 00:38
    Mirek Z.
    Moderator

    Najpierw dobierz dzielnik R1/R2 dla R1<47kom, potem dobieraj R4...

    0
  • #11 14 Maj 2013 12:39
    snozer
    Poziom 17  

    Właśnie zastanawiałem się czy nie dorzucić pomiaru na wyjściu by szybciej zmniejszyć pojemność MOSFET-a no ale te straty. Głównym problemem teraz nie jest wyłączenie tylko załączenie MOSFETA. Jest to zapewne związane z niskim napięciem otwarcia tranzystora. Ogólnie próby robię na zasilaczu laboratoryjnym wiec tętnienia źródła są raczej niskie.
    Słabością układu tak jak kolega kspro napisał jest niestabilna praca przy ograniczaniu prądu płynącego z baterii. Czyli jeśli podłączymy duże obciążenie to spadnie nam napięcie no i MOSFET może się zacząć grzać.

    Kolego kspro poprosimy o schemacik na LM385

    Dodano po 36 [minuty]:

    Mirek Z. napisał:
    Najpierw dobierz dzielnik R1/R2 dla R1<47kom, potem dobieraj R4...


    Ale to już próbowałem przecież mam potencjometry od 10K do 300K ustawiałem R1 i dobierałem R2

    Dodano po 2 [minuty]:

    Mirek Z. napisał:
    R1 i R2 są o rząd wielkości za duże... a ponadto tam jeszcze powinna być baza tranzystora bipolarnego - C8050 - "przycięta"...
    Trzeba włączyć pomiędzy bazę a emiter rezystor ok. 10kom.

    Poprzedni post "uszczegółowiłem" - dopisałem typ tranzystora, który miałem na myśli.


    Ok faktycznie spróbuje

    0
  • #12 15 Maj 2013 01:54
    kspro
    Poziom 27  

    Problemy z osiągnięciem małej histerezy wynikają przypuszczalnie stąd, że przy odłączaniu obciążenia napięcie baterii się podnosi, co przeciwdziała wyłączaniu. Duża pojemność na wejściu MOSFET jest rozładowywana przez 22kΩ dość wolno, więc przy małej histerezie może dojść do równowagi (tak jak opisywałeś), w której napięcie przed R4 jest gdzieś pomiędzy V+ i 0V.

    Do sprzężenia zwrotnego dobrze byłoby wykorzystać napięcie za MOSFET-em, wówczas proces wyłączania MOSFET-a wspomagałby działanie histerezy, ale w tym celu należałoby zmienić układ na taki, który mierzy napięcie względem masy, więc LM4041 odpada, nadawałby się za to TL431 gdyby nie jego dość duży pobór prądu. Chyba lepiej byłoby wykorzystać LM385 jako VREF i TLC271 z ustawionym LowBias jako komparator, przy zastosowaniu oporników o dużych wartościach przypuszczalnie udałoby się ograniczyć pobór prądu takiego układu do jakichś 50µA. Schemat mógłby być na przykład taki:
    MOSFET-P Zabezpieczenie akumulatorów 6V i mniejszych
    Napięcia progowe wynoszą:
    U+ = VREF • (1 + R11/R13 + R11/R12)
    U- = U+ - ΔU
    ΔU = VBAT • R11/R13

    Przy tych wartościach elementów (VREF=1.23V) U+ = 6.94V, U- = 6.3V
    Pobór prądu TLC271 z ustawionym LowBias (pin 8 do VDD) wynosi 10µA (20µA max.), użyłem go zamiast komparatora ze względu na szeroki zakres napięć, niski pobór mocy i dostępność. LM385-1.2V działa już od 10µA (przy napięciu 7V przez R1 płynie 15µA), więc jest lepszy od LM4041, który wymaga 60µA. Do tego dochodzi prąd kilka µA płynący przez dzielnik R11/R12, więc łączny pobór prądu wyniesie jakieś 30-40µA. Wydajność prądowa TLC271 jest rzędu co najmniej kilkunastu mA niezależnie od ustawionego biasu, a napięcie na wyjściu bez obciążenia może się zmieniać od 0V do VDD-1V, więc jest w stanie pewnie włączać i wyłączać MOSFET nawet taki jak IRF9540. Oczywiście logic-level byłby lepszy jeśli chodzi o włączanie, ale nie jestem pewien czy TLC271 byłby w stanie go całkowicie wyłączyć. Opornik 150Ω na wyjściu wzmacniacza izoluje je od pojemności bramki i tłumi ewentualne rezonanse, przez które obwód bramki czasami "ryksztosuje".

    Ten układ, rzecz jasna, też będzie w jakimś stopniu podatny na efekt podskoku napięcia baterii przy jej odłączaniu, jednak wykorzystanie do dodatniego sprzężenia zwrotnego napięcia za MOSFET-em powinno umożliwić zejście do znacznie mniejszej wartości histerezy niż poprzednio. Mam nadzieję, że próby to potwierdzą, bo ja już nie będę więcej łamał sobie nad tym głowy, przykro mi ale nie mam zamiaru więcej w śmietniku grzebać.

    Moderowany przez Mirek Z.:

    Tranzystor IRF9540 to nieporozumienie i o tym już było! Z kolei wzory zamieszczone pod schematem są niedokładne, ponieważ nie uwzględniają wartości rezystancji rezystora R13 w sposób właściwy, wynikający z Teorii Obwodów Elektrycznych.Trzeci z wzorów jest niepoprawny, a układ TLC271 jest drogi.

    0
  • #13 16 Maj 2013 00:40
    kspro
    Poziom 27  

    Przyznam się, że wzory przepisałem z moich notatek zrobionych dość dawno temu, więc wobec zarzutu nieznajomości itd. zmuszony byłem wyprowadzić je sobie jeszcze raz i wszystko jest OK. Napięcie U+ wyprowadzamy przy założeniu, że opornik R13 dołączony jest do masy, a więc bocznikuje R12, natomiast napięcie U- przy założeniu, że R13 dołączony jest do plusa baterii, a więc bocznikuje R11. W obu przypadkach zakładamy, że wejście wzmacniacza nie pobiera prądu.

    Najwygodniej jest potraktować takie połączenie oporników jako układ sumatora dwóch napięć: U1 podawanego na R11 i U3 podawanego na R13, wówczas suma prądów płynących przez R11 i przez R13 musi się równać prądowi płynącemu przez R12 do masy. Wiedząc, że napięcie na R12 wynosi VREF, mamy:
    (U1 - VREF)/R11 + (U3 - VREF)/R13 = VREF/R12
    U1/R11 + U3/R13 = VREF • (1/R12 + 1/R11 + 1/R13) = VREF/Rw
    gdzie Rw = R11•R12•R13/(R11•R12 + R11•R13 + R12•R13) jest równoległym połączeniem wszystkich trzech oporników.

    Mając wzór ogólny możemy obliczyć U+ jako U1 przy U3 = 0:
    U+/R11 + 0 = VREF/Rw
    U+ = VREF • R11/Rw = VREF • (1 + R11/R13 + R11/R12)
    Podobnie możemy obliczyć U- jako U1 przy U3 = VBAT:
    U-/R11 + VBAT/R13 = VREF/Rw
    U- + VBAT • R11/R13 = VREF • R11/Rw = U+
    U- = U+ - VBAT • R11/R13 , czyli ΔU = VBAT • R11/R13

    Tak więc podane przez mnie wzory są jak najbardziej poprawne, a jedyną nieścisłością (czy może raczej sztuczką) popełnioną przy wyprowadzaniu wzoru na U- było przyjęcie, że U3 jest równe VBAT zamiast U-. Dzięki temu otrzymuje się jednak wygodne wzory projektowe. Zresztą można wyprowadzić U- oraz ΔU jeszcze raz zakładając tym razem, że U3 = U-:
    U-/R11 + U-/R13 = VREF/Rw
    U- + U- • R11/R13 = VREF • R11/Rw = U+
    U- • (R11 + R13)/R13 = U+
    U- = U+ • R13/(R11 + R13)
    ΔU = U+ - U- = U+ • R11/(R11 + R13)
    Jak widać ścisły wzór na ΔU nie będzie dawał istotnie różnych wyników od poprzedniego biorąc pod uwagę, że R11<<R13 a U+ jest nieco większe od średniej wartości VBAT, co częściowo kompensuje brak R11 w mianowniku. Jest to jednak wzór ścisły tylko dla tego konkretnego układu, bo w ogólnym przypadku wcale nie jest powiedziane, że napięcie w sprzężeniu zwrotnym U3 będzie się zmieniało tak samo jak napięcie wejściowe U1. Moje poprzednie wzory były wyprowadzane dla ogólnego przypadku komparatora, którego napięcie wyjściowe przyjmowało wartości 0 i VBAT, natomiast napięcie wejściowe U1, dla którego należało zaprojektować histerezę, nie było w żaden sposób związane z zasilaniem.

    TLC271 chodzi po 1.50zł, to chyba nie jest specjalnie drogo, a co do IRF9540 nie będę się upierał, zamieściłem taki jak na oryginalnym schemacie zakładając, że głównym problemem autora wątku jest jednak histereza a nie MOSFET. Zresztą wcale nie jestem pewien, czy MOSFET typu Logic Level jest panaceum na wszystko, i nawet zamieściłem uwagę co do braku pewności w jego wyłączaniu przez TLC271.
    W międzyczasie przyszło mi jeszcze do głowy rozwiązanie bez wzmacniacza operacyjnego, pobierające jeszcze mniej prądu, ale zanim zacznę rysować schemat, co jest w moim przypadku dość skomplikowane i pracochłonne, najpierw chcę zobaczyć jaka będzie reakcja na moje wzory i ich wyprowadzenie, bo doprawdy nie mam więcej ochoty tłumaczyć się ze wszystkiego.

    0
  • #14 16 Maj 2013 01:46
    Mirek Z.
    Moderator

    Skończ już, kolego! Błąd w rozumowaniu ... -> Podobnie możemy obliczyć U- jako U1 przy U3 = VBAT:

    ... wtedy jest -> U- = U1 = VBAT = U3, czyli -> U - = U1 i U3 = U1 !!
    a wtedy jest ->
    U-/R11 + U-/R13 = VREF/Rw
    i nie ma we wzorach wielkości VBAT, bo i niby skąd miałaby tam być?


    MOSFET-P Zabezpieczenie akumulatorów 6V i mniejszych

    0
  • #15 16 Maj 2013 02:04
    kspro
    Poziom 27  

    Mirek Z. - Przypuszczam, że analizowałeś mój post podczas gdy ja edytowałem jego ostateczną wersję. Jeśli tak to przeczytaj jeszcze raz, bo dodałem nieco uzasadnienia. Jeśli się nadal nie zgadzasz i do tego jeszcze zarzucasz mi błędy w rozumowaniu albo wręcz nieznajomość teorii obwodów (tak jakby tu jakaś wielka teoria potrzebna była), to proponuję, żebyś zamiast krytykować podał poprawne według Ciebie wzory tak żebyśmy mogli porównać wyniki jakie wychodzą dla konkretnych wartości oporności. To definitywnie zakończyłoby sprawę. Ja oczywiście już teraz na tym skończę, bo co mógłbym jeszcze dodać, chyba tylko tyle, że się cieszę, że przynajmniej w jakimś tam drobnym szczególe miałem rację, bo zarzut prądożerności mojego rozwiązania jakoś już nie jest podtrzymywany. A może jednak się mylę?


    Moderowany przez Mirek Z.:

    Proponuję przeanalizować wzory podane w poprzednim moim poście w załączniku, zamiast unosić się.

    0
  • #16 16 Maj 2013 02:47
    Mirek Z.
    Moderator

    kspro napisał:
    ... a napięcie na wyjściu bez obciążenia może się zmieniać od 0V do VDD-1V, więc jest w stanie pewnie włączać i wyłączać MOSFET nawet taki jak IRF9540. Oczywiście logic-level byłby lepszy jeśli chodzi o włączanie, ale nie jestem pewien czy TLC271 byłby w stanie go całkowicie wyłączyć.
    A tu wyżej sam przyznajesz się do tego, iż zaproponowany przez Ciebie układ NIE jest poprawny, ponieważ wartość napięcia 1V na bramce tranzystora MOSFET (niezależnie, czy będzie to IRF9540, czy typu LogicLevel) będzie już dość mocno takie tranzystory włączać, a co zaskutkuje płynięciem prądu przez - przecież - ciągle podłączone obciążenie i dalsze rozładowywanie baterii.
    A przypomnę: zadaniem tego układu ma być właśnie ochrona baterii przez nadmiernym rozładowaniem.

    0
  • #17 16 Maj 2013 03:35
    kspro
    Poziom 27  

    No i się zgadza z tym co uzyskałem zakładając U3=U- przy drugim wyprowadzeniu wzoru na U-, bo napisałem, że U- = U+ • R13/(R11 + R13), czyli 6.94391*10/11=6.31264V. Co do U+ nie ma kontrowersji, już w pierwszym moim poście (#12) wyliczyłem taką samą wartość, ale ciekawe jest że w tym samym poście podałem też wartość U- = 6.3V, a więc bardzo bliską obliczonej przez Ciebie. A przecież korzystałem z mojego uproszczonego wzoru zakładając jakąś tam wartość VBAT wynoszącą około 6.3V (jeśli dobrze pamiętam). Jak to możliwe?
    Otóż istotne jest przede wszystkim to, że uproszczony wzór na ΔU pozwala na łatwe dobranie elementów, przynajmniej wstępne, pod konkretną wartość histerezy. Wiedząc, że układ ma wyłączyć baterię przy napięciu 6V i że histereza powinna mieć około 0.5V wybrałem R13=10MΩ i R11=1MΩ jako typowe wartości pod kątem minimalnego poboru prądu. Zakładając z grubsza VBAT=6.3V wyszło ΔU=0.63V, trochę więcej niż 0.5V ale nie chciałem już zmniejszać R11 więc uznałem, że może być. Dalej dobrałem R12=220kΩ tak żeby U+ wynosiło 6.9-7.0V (czyli tyle ile się spodziewałem mając ΔU=0.63V, wyszło U+=6.94391V) i dopiero na końcu odjąłem ΔU dostając U-=6.313V). Jak widać różnica w wartościach U- nie jest zbyt duża. Opisałem to wszystko tylko po to, żeby pokazać jak uzyskałem U-=6.3V w moim poście #12. Równie dobrze mógłbym przyjąć arbitralnie VBAT jako wartość średnią pomiędzy U- i U+ i w ten sposób najpierw obliczyć stosunek R11/R13 a potem dobrać R12, i nie sądzę, żeby popełniony w ten sposób błąd był duży zwłaszcza że samo U+ jest obliczane dokładnie (nie zależy od VBAT), co najwyżej U- będzie trochę niedokładne ale za to w odróżnieniu od Twoich wzorów dobór wartości oporników jest mocno ułatwiony, więc można sobie kombinować. A zresztą nawet ścisłe dokładne wzory nie sprawdzą się idealnie w tym układzie, bo napięcie za MOSFET-em nie będzie takie samo jak napięcie baterii, no chyba że w ogóle bez obciążenia.

    0
  • #18 16 Maj 2013 16:06
    Mirek Z.
    Moderator

    kspro napisał:
    No i się zgadza z tym co uzyskałem zakładając U3=U- przy drugim wyprowadzeniu wzoru na U-, bo napisałem, że U- = U+ • R13/(R11 + R13), czyli 6.94391*10/11=6.31264V. Co do U+ nie ma kontrowersji, już w pierwszym moim poście (#12) wyliczyłem taką samą wartość, ale ciekawe jest że w tym samym poście podałem też wartość U- = 6.3V, a więc bardzo bliską obliczonej przez Ciebie.
    Podanie tu tylko dwóch miejsc znaczących daje wartośc błędu względnego przedmiotowej liczby nie do przyjęcia:
    (0,1/6.3)•100%=1.587...%

    kspro napisał:
    A przecież korzystałem z mojego uproszczonego wzoru zakładając jakąś tam wartość VBAT wynoszącą około 6.3V (jeśli dobrze pamiętam). Jak to możliwe?
    Teraz mi zgadza się ze wzorami Twoimi i dokładnymi - przypomnę co w poście #13 (poprawionym) napisałeś:
    kspro napisał:
    Tak więc podane przez mnie wzory są jak najbardziej poprawne, a jedyną nieścisłością (czy może raczej sztuczką) popełnioną przy wyprowadzaniu wzoru na U- było przyjęcie, że U3 jest równe VBAT zamiast U-. Dzięki temu otrzymuje się jednak wygodne wzory projektowe. Zresztą można wyprowadzić U- oraz ΔU jeszcze raz zakładając tym razem, że U3 = U-:
    U-/R11 + U-/R13 = VREF/Rw
    U- + U- • R11/R13 = VREF • R11/Rw = U+
    U- • (R11 + R13)/R13 = U+
    U- = U+ • R13/(R11 + R13)
    ΔU = U+ - U- = U+ • R11/(R11 + R13)
    A było na samym początku podać dokładne wzory, wszak ni słowa nie napisałeś tam (post #12), iż są to wzory przybliżone !!!.
    MOSFET-P Zabezpieczenie akumulatorów 6V i mniejszych MOSFET-P Zabezpieczenie akumulatorów 6V i mniejszych
    kspro napisał:
    Otóż istotne jest przede wszystkim to, że uproszczony wzór na ΔU pozwala na łatwe dobranie elementów, przynajmniej wstępne, pod konkretną wartość histerezy. Wiedząc, że układ ma wyłączyć baterię przy napięciu 6V i że histereza powinna mieć około 0.5V wybrałem R13=10MΩ i R11=1MΩ jako typowe wartości pod kątem minimalnego poboru prądu.
    Rozumowanie błędne, należy wstępnie dobrane wartości rezystancji rezystorów R11, R12, R13, zweryfikować za pomocą wzorów dokładnych... :idea: ... tak więc pytanie oraz zarzut; kto tu nie zna Teorii Obwodów Elektrycznych oraz inżynierskich zasad porządnego projektowania są zasadne.




    A gdzie podane wartości telerancji obliczonych wartości rezystancji rezystorów; R11, R12, R13, pytam retorycznie?
    A gdzie - po przyjęciu wartości tolerancji w/w rezystorów - obliczenia na najgorszy możliwy przypadek?
    I nie ma tu tłumaczenia, że była późna pora, że pomyliłem się, itd. post Twój znalazł się na forum i został skrytykowany, ponieważ na tym forum nie ma miejsca na opowiadanie 'koszałków opałków' - do tego znajdź sobie inne forum.

    kspro napisał:
    Zakładając z grubsza VBAT=6.3V wyszło ΔU=0.63V, trochę więcej niż 0.5V ale nie chciałem już zmniejszać R11 więc uznałem, że może być. Dalej dobrałem R12=220kΩ tak żeby U+ wynosiło 6.9-7.0V (czyli tyle ile się spodziewałem mając ΔU=0.63V, wyszło U+=6.94391V) i dopiero na końcu odjąłem ΔU dostając U-=6.313V). Jak widać różnica w wartościach U- nie jest zbyt duża. Opisałem to wszystko tylko po to, żeby pokazać jak uzyskałem U-=6.3V w moim poście #12. Równie dobrze mógłbym przyjąć arbitralnie VBAT jako wartość średnią pomiędzy U- i U+ i w ten sposób najpierw obliczyć stosunek R11/R13 a potem dobrać R12, i nie sądzę, żeby popełniony w ten sposób błąd był duży zwłaszcza że samo U+ jest obliczane dokładnie (nie zależy od VBAT), co najwyżej U- będzie trochę niedokładne ale za to w odróżnieniu od Twoich wzorów dobór wartości oporników jest mocno ułatwiony, więc można sobie kombinować.
    To tylko tak Tobie wydaje się, iż jest tu coś ułatwione - patrz wyżej - zaprezentowane obliczenia Twoje oraz brak ich weryfikacji za pomocą wzorów dokładnych, brak podania wartości tolerancji, stoją w sprzeczności z porządną sztuką projektowania tego, i tak prostego, obwodu elektrycznego.
    Natomiast wg znanej niegdyś(?) nomenklatury tłumaczy się tylko ten (i nie proszony o to), kto poczuwa się do winy...

    kspro napisał:
    A zresztą nawet ścisłe dokładne wzory nie sprawdzą się idealnie w tym układzie, bo napięcie za MOSFET-em nie będzie takie samo jak napięcie baterii, no chyba że w ogóle bez obciążenia.
    Wartość różnicy napięcia pomiędzy napięciem na baterii zasilającej, a napięciem za porządnie włączonym tranzystorem MOSFET niech będzie ok. 50mV - więcej być nie powinno dla porządnego projektu - to ile to jest procentowo błędu:
    (0.1V/6,3)•100%=0,794...%
    czyli mniej jak wartość tolerancji porządnych rezystorów jakie tu powinny być użyte (±1%).

    0
  Szukaj w 5mln produktów