Elektroda.pl
Elektroda.pl
X
IGE-XAOIGE-XAO
Proszę, dodaj wyjątek dla www.elektroda.pl do Adblock.
Dzięki temu, że oglądasz reklamy, wspierasz portal i użytkowników.

Aktywne obciążenie 1500W - prośba o sprawdzenie poprawności.

12 Sie 2013 14:14 7899 35
  • Poziom 18  
    Potrzebuje aktywnego obciążenia 1500W do 50VDC do testowania zasilaczy impulsowych, co w sieci znalazłem było za słabe lub nie było schematów itp.
    Tutaj: http://mdiy.pl/sztuczne-obciazenie-o-regulowanym-pradzie/
    znalazłem coś ciekawego i trochę przerobiłem:
    Aktywne obciążenie 1500W - prośba o sprawdzenie poprawności.
    Chciałbym zastosować mosfety IRFP064N, chłodzenie będzie wodne.
    Chciałbym abyście sprawdzili poprawność schematu, i czy to będzie działać, powiedzcie co zmienić itp.
    Darmowe szkolenie: Ethernet w przemyśle dziś i jutro. Zarejestruj się za darmo.
  • IGE-XAOIGE-XAO
  • Poziom 43  
    Schemat błędny, a sama zasada użycia MOSFETa (klucza!!!) jako regulowanego obciążenia - jest nieporozumieniem. Nie wierzysz? To zrób układ na 200W na 1 tranzystorze, będzie łatwiej i taniej.
    Błędne jest również łączenie równoległe MOSFETów bez szeregowych oporników wyrównujących rozpływ prądów.
    Wydzielenie 1500W w 8 tranzystorach jest możliwe jednorazowo w ciągu ułamka sekundy, bo potem to "obciążenie" przestanie działać ...
    A na koniec: dobieraj tranzystory w/g wykresów SOAR.
  • Poziom 18  
    Czytam komentarze z linku no i racja, manekinen trochę nakręcił, a ja sam nie jestem mistrz-elektroniki.
    A czemu uważasz że wydzielenie 1500W na 8 mosfetach jest niemożliwe?
    Przecież będą miały bardzo dobre chłodzenie(przewiduje że nie osiągną więcej jak 35stC).
    Czyli sprawa nie jest łatwa jak to wspomniał autor z linku :/ muszę przy tym dłużej posiedzieć.
    Bo chciałbym osiągnąć to co w tym filmiku: http://www.youtube.com/watch?v=t5rglrH168E
    Niestety nigdzie nie ma schematu tego wynalazku.

    EDIT: Wydębiłem schemat drugiej wersji wynalazku z YT od autora, co o tym myślicie??:
    Aktywne obciążenie 1500W - prośba o sprawdzenie poprawności.
  • Poziom 43  
    Tu masz "wiedzę": http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irfp064n.pdf , fig. 8.
    Zrób "przymiarkę", gdzie jesteś ze swoimi parametrami na tym wykresie (a musisz być poniżej pracy impulsowej 10ms).
    Ponadto: w tabelce "thermal resistance" masz informację: Rj-c=0,75°C/W i do tego Rc-s=0,24°C/W, razem 0,99°C/W. Wydzielenie w złączu 200W spowoduje wzrost temperatury o 200W*0,99°C/W=198°C powyżej temperatury płynu opuszczającego chłodnicę, więc nawet, gdybyś miał borygo 0°C, to tranzystor się ugotuje (dozwolone dla złącza 175°C).
    Do schematu się nie odnoszę, bo sama idea jest błędna. Tranzystory MOSFET (klucze!) zostały skonstruowane do pracy w 2 skrajnych stanach: albo maksymalnie przewodzi, albo maksymalnie nieprzewodzi. Stany pośrednie są bardzo nieliniowe i nie są "standardowo" wykorzystywane, a często są niepowtarzalne (nawet między tranzystorami z tej samej paczki). Równoległe połączenie "na żywca" kilku sztuk spowoduje, że pierwszy tranzystor, który zacznie przewodzić - pierwszy będzie przeciążony i "wyparuje".
  • IGE-XAOIGE-XAO
  • Moderator Projektowanie
    Kol.Rzuuf ma rację całkowitą, za wyjątkiem
    Rzuuf napisał:
    Tranzystory MOSFET (klucze!) zostały skonstruowane do pracy w 2 skrajnych stanach: albo maksymalnie przewodzi, albo maksymalnie nie przewodzi.

    W niczym to nie przeszkadza aby zmusić taki tranzystor do pracy liniowej, zwłaszcza gdy pracuje on w obwodzie zamkniętej pętli sprzężenia zwrotnego wzm. operacyjnego. Sprawdzone wielokrotnie.

    Rzuuf napisał:
    Stany pośrednie są bardzo nieliniowe i nie są "standardowo" wykorzystywane, a często są niepowtarzalne (nawet między tranzystorami z tej samej paczki). Równoległe połączenie "na żywca" kilku sztuk spowoduje, że pierwszy tranzystor, który zacznie przewodzić - pierwszy będzie przeciążony i "wyparuje".

    I to jest prawda, takich tranzystorów nie należy łączyć równolegle gdyż jest to proszenie się o kłopoty, nawet z wyrównawczymi rezystorami źródłowymi, które musiałyby mieć duże wartości (i ogromne moce) a to z powodu dużych wartości Vgs. Tak można było łączyć "lateral MOSFET".
    Aby w układzie uzyskać duże prądy rzędu kilkudziesięciu A trzeba multiplikować źródła prądowe np 5A - łączyć je równolegle w odpowiedniej ilości, aby wspólnie pracowały na obciążenie.
    To jest kłopotliwe i drogie, gdyż każde źródło musi mieć odpowiedni opornik źródłowy - sporej mocy (kilka W), o odpowiedniej tolerancji np. 1%, stabilny temperaturową, i najlepiej w wersji czterokońcówkowej - a to z powodu problemów z prowadzeniem masy (będą problemy !) - a takie oporniki są drogie i trudno dostępne. Np. http://www.conrad.pl/Rezystor-pomiarowy-Isabe...7=conrad&pi=447382&ci=SHOP_AREA_17626_0241460 , a dla 1500W takich źródeł (i oporników) trzeba by co najmniej 20 (strzelam pobieżnie).
    Inne problemy - wzbudzanie się układu, zwłaszcza gdy chcesz aby był szybki (skok jednostkowy), potrzebna duża wiedza praktyczna co do montażu itp. Wiem co piszę, bo niedawno projektowałem układ ładowania/rozładowania super kondensatora 3000F regulowanym, stabilizowanym prądem - działa świetnie.
    W sumie - jeśli rysujesz takie potworki jak w pierwszym schemacie - odpuść sobie, bo to kosztowna nauka.
  • Poziom 18  
    A schemat z ostatniego postu?
    Niby electrican engineer robił i jest dobry.
  • Poziom 43  
    Doctore. napisał:
    Niby electrican engineer robił i jest dobry.
    - do czego?
    Jakie ma mieć parametry?
    Z pojedynczym tranzystorem "200W" i dobrym radiatorem możesz wydzielić moc 15W, a z wentylatorem ok. 25-30W.
    Nie rzucaj się z motyką na słońce, przekop raczej ogródek, a najpierw trochę poczytaj o "pułapkach cieplnych" czyhających w tranzystorach mocy i co to jest SOAR ...
  • Poziom 18  
    No dobra SOAR i pułapki cieplne - lektury na jutro.
    No ale kolesiowi z filmiku działało.
    A schemat tej drugiej wersji który tu zamieściłem jest chyba nie kompletny, zadałem mu pytanie o parametry.
    Co do chłodzenia to nie będę się bawił w radiatory tylko zrobię chłodzenie wodne(chłodnica samochodowa, kilka dużych wentylatorów, mosfety na miedzianej rurze odpowiednio ukształtowanej i mocna pompka), już o tym pisałem.
    Do czego? a no do tego o czym pisze w pierwszym poście.

    Edicao: Zamieszczam schemat pierwszej wersji, to co jest z filmiku.
    Zdecyduje się na pierwszy(DL1) bo druga(DL2) ma być drogą pro wersją o mocy 1700W, a tyle to nie potrzebuje.
    Schemat DL1:
    Aktywne obciążenie 1500W - prośba o sprawdzenie poprawności.
    Trzeba by go rozkodować, bo ten hamerikan engineer dziwnie rysuje.
    Aha a może jakieś inne hasło, bo po wpisaniu soar w gugla mi wyskakuje min. bilbijne miasto i sporo innych rzeczy.
    Kolejny edit, te pułapki cieplne to też za wieloznaczne hasło, może podaj hasła dzięki którym znajdę co trzeba...
  • Poziom 43  
    W DL1 część sterowana czujnikiem temperatury nie będzie działać.

    A tu lektury:
    http://www.google.pl/?gws_rd=cr#bav=on.2,or.r...fp=753ae4548230c5bc&psj=1&q=%22wykres+soar%22 ,
    https://www.google.pl/search?q=soar&source=ln...d5&q=%22safe+operating+area%22+&sa=1&tbm=isch ,
    http://www.google.pl/?gws_rd=cr#bav=on.2,or.r...&psj=1&q=transistor+%22thermal+catastrophe%22 .

    Działającego obciążenia aktywnego na 1700W w/g tych schematów nie zbudujesz, sukcesem będzie 100W na 2 tranzystorach wykonawczych (schemat DL1!) z chłodzeniem wodnym ...

    A na YT działa wszystko, nawet Perpetuum Mobile!
  • Poziom 18  
    Czy ktoś potwierdzi kolegę Rzuuf i to iż schemat DL1 jest niesprawny do działania w 1500W?
  • Moderator Projektowanie
    Pytasz o potwierdzenie tego co pisze mądrzejszy od Ciebie?
    Może dlatego, że ma on w rubryce specjalność" Dezinformatyk"? :D
    Nie pytaj o takie rzeczy, dokształć się trochę, popróbuj mniej wymagające układy.
    Pomijając błędy tego układu, to najwyżej 50-100W
  • Moderator Projektowanie
    Ten temat wyżej trochę za trudny, koledzy się tam poprztykali i zeszli na osobny temat.
    Poczytaj tu:
    https://www.elektroda.pl/rtvforum/topic2538938.html
    https://www.elektroda.pl/rtvforum/topic2601708.html
    https://www.elektroda.pl/rtvforum/topic2394522.html
    https://www.elektroda.pl/rtvforum/topic1891705.html
    https://www.elektroda.pl/rtvforum/topic2416201-0.html
    Szukaj, czytaj - bo na elektrodzie jest mnóstwo takich tematów i kopalnia wiedzy - ale trzeba rozumieć co tam napisano, umieć zadać pytanie też trzeba.
  • Specjalista elektronik
    Niech kolega na początek sprawdzi w praktyce efektywność swojego wodnego chłodzenia.
    Z wykorzystaniem jednego tranzystora + WO w roli źródła prądowego. I sprawdzi ile mocy strat jest w stanie rozproszyć MOSFET. Ustawić np. 4A przy 25V i kontrolować temperaturę i obserwować czy MOSFET nie spalił się. Z własnego doświadczenie wiem że układ ten (WO + MOSFET w roli źródła prądowego) ma spore skłonności do samowzbudzenia. I na to też trzeba uważać.
    I dopiero po udanych próbach z jednym tranzystorem można brać się za 1500W.
  • Poziom 18  
    rekinisko napisał:
    Poczytaj tutaj https://www.elektroda.pl/rtvforum/topic2396598.html]
    No to czytam i znajduje to "Wydzielenie w tym tranzystorze mocy 120W bez zniszczenia jest możliwe tylko przy chłodzeniu idealnym / temp. obudowy 25 stopni."
    Takowe chłodzenie planuje.

    trymer01 napisał:
    Pytasz o potwierdzenie tego co pisze mądrzejszy od Ciebie?

    Tak, tym bardziej że jeden mówi drugiemu że się myli.

    jony napisał:
    Niech kolega na początek sprawdzi w praktyce efektywność swojego wodnego chłodzenia.
    Z wykorzystaniem jednego tranzystora + WO w roli źródła prądowego. I sprawdzi ile mocy strat jest w stanie rozproszyć MOSFET. Ustawić np. 4A przy 25V i kontrolować temperaturę i obserwować czy MOSFET nie spalił się. Z własnego doświadczenie wiem że układ ten (WO + MOSFET w roli źródła prądowego) ma spore skłonności do samowzbudzenia. I na to też trzeba uważać.
    I dopiero po udanych próbach z jednym tranzystorem można brać się za 1500W.

    Właśnie o czymś takim myślałem, w końcu jakiś konkret a nie biadolenie że niemożliwe, nie da się itp.

    Dzięki, tylko muszę się uporać z odczytaniem schematu, bo jednak że amerykański to prawie nic w nim nie rozumiem.
  • Poziom 43  
    Doctore. napisał:
    ... przy chłodzeniu idealnym / temp. obudowy 25 stopni."
    Takowe chłodzenie planuje.

    A jak je zrealizujesz?
    Aby utrzymywać temperaturę obudowy 25°C, czynnik chłodzący MUSI mieć temperaturę znacznie niższą. O ile? to zależy od ilości ciepła i "oporności cieplnej" (Prawo Ohma dla przepływu ciepła!).
    Jeśli obudowa tranzystora i chłodnica mają TAKIE SAME temperatury, to nie ma transportu ciepła, który odbywa się tylko dzięki różnicy temperatur!

    Kolega jony dobrze Ci radzi: spróbuj "na małym"!
  • Moderator Projektowanie
    Doctore. napisał:
    rekinisko napisał:
    Poczytaj tutaj https://www.elektroda.pl/rtvforum/topic2396598.html]
    No to czytam i znajduje to "Wydzielenie w tym tranzystorze mocy 120W bez zniszczenia jest możliwe tylko przy chłodzeniu idealnym / temp. obudowy 25 stopni."
    Takowe chłodzenie planuje.

    Pogratulować.
    Jeśli uda ci się zbudować chłodzenie idealne, to już tylko krok dzielić Cię będzie od zbudowania perpetuum mobile.
    Na poważnie - widać wyraźnie, że nie wiesz o czym piszesz.

    Doctore. napisał:
    trymer01 napisał:
    Pytasz o potwierdzenie tego co pisze mądrzejszy od Ciebie?

    Tak, tym bardziej że jeden mówi drugiemu że się myli.

    Potwierdzasz, że nic nie zrozumiałeś.

    Doctore. napisał:
    Dzięki, tylko muszę się uporać z odczytaniem schematu, bo jednak że amerykański to prawie nic w nim nie rozumiem.

    Myślisz, że to dlatego że jest on "amerykański"?
    Pewnie nie uwierzysz (jak Cię już znam) - ale zapewniam Cie, że to nie dlatego nie rozumiesz. Po prostu trzeba umieć czytać schematy. Brak Ci podstaw - jak to ktoś już napisał, nie porywaj się z tą motyką na słońce.
  • Specjalista elektronik
    Rzuuf napisał:
    I tu masz potwierdzenie "czarnych" przeczuć kolegi jony:
    https://www.elektroda.pl/rtvforum/topic2628759.html .

    To normalnie, u mnie też ten układ prawie zawrze się wzbudzał. Nieraz układ się wzbudzał dopiero po zwiększeniu napięcia zasilania powyżej pewnej wartości.
    Aktywne obciążenie 1500W - prośba o sprawdzenie poprawności.

    Aktywne obciążenie 1500W - prośba o sprawdzenie poprawności.

    No i rozwiązanie problemu
    Aktywne obciążenie 1500W - prośba o sprawdzenie poprawności.
  • Moderator Projektowanie
    To rozwiązanie jest znane, i ma wadę. Pogarsza szybkość (odpowiedź na skok jednostkowy).
    Ale coś za coś.
    Najlepszym rozwiązaniem problemu jest przemyślany, odpowiedni montaż - żadnych przewodów, krótkie ścieżki. Ale to nie zawsze jest możliwe, zwłaszcza przy dużych mocach (prądach). Mnie źródło prądowe 10A jedno generowało - drugie stabilne jak skała - mimo, że konstrukcyjnie podobne, tylko ścieżki (od opornika żródłowego do we- wzm.op.) różnych długości.
  • Poziom 36  
    AVE...

    Ja mam taką drobną uwagę do kolegi Rzuuf: kolega słyszał o wzmacniaczach mocy na tranzystorach MOSFET? Pracujących liniowo bez większych trudów, i to nawet do absurdalnych mocy 1-3kW na kanał? Często w klasie AB(30% mocy wytracanej na tranzystorach) lub A(50-90% mocy wytracanej na tranzystorach)? Może koledze wyda się to niewiarygodne, ale takie rzeczy są robione na MOSFETach częściej, niż na tranzystorach bipolarnych...

    Problemy ze źródłem na bazie MOSFETa są zasadniczo trzy:
    1. Nie wolno przekroczyć parametrów SOAR i temperatury.
    2. WO musi być dość szybki by szlag układu nie trafił przy załączaniu obciążenia.
    3. WO musi być na tyle wydajny by szybko przeładowywać pojemność bramki. A jak jest więcej tranzystorów, to pojemność rośnie jeszcze bardziej. To też jest źródłem wzbudzania się takich układów.

    Doctore, przy Twej wiedzy radziłbym zacząć od jakiejś mrygałki LED, czy innej syreny albo wzmacniacza na LM386. Szkoda marnować pieniądze na coś, czego nie zrobisz na tym etapie rozwoju elektronicznego. A takie źródło/obciążenie jednak lepiej byś robił na tranzystorach bipolarnych - moce do wytracenia łatwiejsze do policzenia, a i koledzy nie będą psioczyć, że się nie da(choć się da, i ludzie robią)...
  • Poziom 18  
    trymer, ja zawsze wszystkie pcb jakie robię mocno ściskam i robię jak najkrótsze ścieżki.
    Ale przewody będą bo 10 mosfetów nie mieści mi się na pcb(ograniczenie eagle) więc mosfety będą o kilka cm oddalone od pcb, w ogóle to nie za bardzo mi się wyobrażało dolutowywać grubych kabli od obciążenia do pcb.
    Amerykański kolega twierdzi że na mosfecie temperatura może się utrzymać do 100st.C maksymalnie.
    I że by dostatecznie dobrze odprowadzić ciepło z mosfetów trzeba przylutować mosfety do rurki w której będzie płynąć schłodzona woda.
    Najlepiej zrobić to używając pasty lutowniczej do SMT?

    EDIT:
    Ja i urgon pisaliśmy razem.
    urgon, no ale po co mi migająca dioda(którą zresztą dawno temu sobie zrobiłem).
    Wgl. ja przecież nie robię układu, nie konstruuje go, tylko z schmeatu robie pcb.
    Układ działa, i to powinno wystarczyć.
    No bo co, potrzebne mi takie obciążenie, więc zrobię takie, będzie mnie kosztować do 200zł, mogę też za kilka tysięcy zlecić komuś zbudowanie takiego czegoś...
    Powiadasz na tranzystorach bipolarny, tylko że jakoś na elce nie ma dobrze opisanego takiego układu o takiej mocy.
  • Moderator Projektowanie
    Urgon napisał:


    3. WO musi być na tyle wydajny by szybko przeładowywać pojemność bramki. A jak jest więcej tranzystorów, to pojemność rośnie jeszcze bardziej. To też jest źródłem wzbudzania się takich układów.

    A jeśli zastosujemy drivery pośredniczące - to one też "pomagają" we wzbudzaniu się.

    Doctore. napisał:

    Amerykański kolega twierdzi że na mosfecie temperatura może się utrzymać do 100st.C maksymalnie.

    A to jakaś nowa teoria jest. Wierzysz jemu (bo on "amerykański jest ?) czy datasheet producenta?

    Doctore. napisał:
    No bo co, potrzebne mi takie obciążenie, więc zrobię takie, będzie mnie kosztować do 200zł, mogę też za kilka tysięcy zlecić komuś zbudowanie takiego czegoś...

    Ha, ha - za 200zł to sobie zrobisz kilka fajerwerków i tyle Cię będzie kosztowało zniechęcenie - zrozumienie, że porwałeś się z motyką na słońce.
    Doctore. napisał:
    Powiadasz na tranzystorach bipolarny, tylko że jakoś na elce nie ma dobrze opisanego takiego układu o takiej mocy.

    Układ jest na tyle prosty, że jeśli nie potrafisz go sobie sam narysować na BJT zamiast MOSFET-ów, to jeszcze jeden dowód na to, że nie powinieneś się za to zabierać.
    A sam pomysł z BJT jest kiepski, bardzo kiepski, bo jak wiadomo Ic≠Ie, a przy dużych prądach ta różnica jest duża.
  • Poziom 36  
    AVE...

    Taki driver robi się na tranzystorze w układzie wtórnika emiterowego. Będzie to dostatecznie szybkie(we wzmacniaczach działa do tych 20-30kHz[wiem, że niepotrzebnie, ale audiofile wszystko łykną, z ultradźwiękami włącznie]). Problemem faktycznie jest wzbudzanie się układu, ale rozwiązanie tego problemu zostało już wskazane...

    Co do tranzystorów bipolarnych, to nawet jak są większe straty(a wtórnik emiterowy jest niezbędny, bo tranzystory mocy mają małe wzmocnienie prądowe) to i tak łatwiej jest policzyć moc strat i dobrać chłodzenie. Rezystory wyrównawcze mogą być też mniejsze. Dodatkowo problemy ze wzbudzaniem są mniejsze...

    Cały temat w sumie jest akademicki, bo Doctore nie podoła złożeniu tego projektu...
  • Moderator Projektowanie
    Urgon napisał:
    AVE...

    Taki driver robi się na tranzystorze w układzie wtórnika emiterowego.

    A jeszcze lepiej na dwóch - parze pnp-npn.


    Urgon napisał:
    Co do tranzystorów bipolarnych, to nawet jak są większe straty(a wtórnik emiterowy jest niezbędny, bo tranzystory mocy mają małe wzmocnienie prądowe) to i tak łatwiej jest policzyć moc strat i dobrać chłodzenie.

    Łatwiej policzyć straty? - ja jestem zdanie, że trudniej. Bo przy MOSFET sprawa jest prosta jak drut - P=Uds x Id, przy BJT dochodzą starty w obwodzie bazy (całkiem niemałe). A największym problemem przy BJT jest nieliniowość takiego źródła - stabilizujemy Ie a korzystamy z Ic, który to prąd jest różny od Ie. Przy małych i dużych prądach ta różnica jest duża, a co gorsze - różnica ta zmienia się z prądem.Są na to pewne sposoby - ale po co jeśli są MOSFET-y?
    Dlatego w takich źródłach - tylko MOSFET, tym bardziej że żaden BJT nie rozproszy takich mocy jak odpowiedni MOSFET: - duża różnica w Rthjc, prądy Id dużo większe niż Ic dla BJT, SOAR dla MOSFET ma znaczenie tylko symboliczne, podczas gdy dla BJT ma znaczenie ogromne - zjawisko wtórnego przebicia, które w MOSFET-ach nie występuje.


    Urgon napisał:
    Cały temat w sumie jest akademicki, bo Doctore nie podoła złożeniu tego projektu...

    Ot co.
  • Poziom 43  
    trymer01 napisał:
    To rozwiązanie jest znane, i ma wadę. Pogarsza szybkość (odpowiedź na skok jednostkowy).
    Ale coś za coś.
    Najlepszym rozwiązaniem problemu jest przemyślany, odpowiedni montaż - żadnych przewodów, krótkie ścieżki.
    Siejesz zamęt, próbujesz podważać jedyne sensowne rozwiązanie problemu wzbudzenia, jakie padło w tym temacie - kompensacji z dominującym biegunem.
    Odpowiedni montaż nic ci nie da, większość wzmacniaczy operacyjnych dostępnych na rynku się wzbudzi jak obciążysz je pojemnością kilku nF (tyle co bramka MOSFET'a), przesunięcie fazy wywołuje rezystancja wyjściowa wzmacniacza, z pojemnością wejściową MOSFET'a, jakaś kompensacja jest konieczna, może zaproponujesz inną?

    Rzuff napisał:
    sama zasada użycia MOSFETa (klucza!!!) jako regulowanego obciążenia - jest nieporozumieniem
    Wszyscy znają układy w których MOSFET'y pracują w zakresie liniowym, jak podajesz takie "rewelacje" wypadało by to jakość uzasadnić, większość użytkowników elektrody czuje że to absurd i wywiązuje się kłótnia (jak w wątku podanym przez kol rekinisko).
    Twoje twierdzenie jest zbytnim uproszczeniem, ale jest to problem jest znany, informacje można znaleźć szukając "thermal instability inside soa", występuje w wielu tranzystorach MOSFET, wielu producentów, ale nie we wszystkich, publikowane krzywe SOA nie są oparte na pomiarach, takie tranzystory "padają" przy mocach kilkukrotnie mniejszych niż katalogowe.

    IRFP064 nie ma w ogóle podanego SOA dla DC więc nie można mieć pretensji do producenta jeśli padnie przykładowo przy mocy 10 krotnie mniejszej niż katalogowa maksymalna.

    Są producenci którzy deklarują że ich tranzystory mogą pracować przy DC i tranzystory które mają SOA mniej optymistyczne, o bardziej skomplikowanym kształcie niż trzy proste linie, przykładowo taki FDB3632 katalogowe Pd=310W, z SOA przy 100V DC wynika że max 30W przypuszczam że to wartości na tyle "pesymistyczne" że prawdziwe.

    BJT mają jedną zaletę SOA musiały być zmierzone.


    Cytat:
    SOAR dla MOSFET ma znaczenie tylko symboliczne, podczas gdy dla BJT ma znaczenie ogromne - zjawisko wtórnego przebicia, które w MOSFET-ach nie występuje.
    Wygląda na to że mamy takie inne zjawisko, które ma takie same objawy jak jakby było drugie przebicie, ogranicza moc maksymalną przy wyższych napięciach, SOA w MOSFET'ach nabrało znaczenia
  • Moderator Projektowanie
    jarek_lnx napisał:
    trymer01 napisał:
    To rozwiązanie jest znane, i ma wadę. Pogarsza szybkość (odpowiedź na skok jednostkowy).
    Ale coś za coś.
    Najlepszym rozwiązaniem problemu jest przemyślany, odpowiedni montaż - żadnych przewodów, krótkie ścieżki.
    Siejesz zamęt, próbujesz podważać jedyne sensowne rozwiązanie problemu wzbudzenia, jakie padło w tym temacie - kompensacji z dominującym biegunem.
    Odpowiedni montaż nic ci nie da, większość wzmacniaczy operacyjnych dostępnych na rynku się wzbudzi jak obciążysz je pojemnością kilku nF (tyle co bramka MOSFET'a), przesunięcie fazy wywołuje rezystancja wyjściowa wzmacniacza, z pojemnością wejściową MOSFET'a, jakaś kompensacja jest konieczna, może zaproponujesz inną?

    To rozwiązanie sam podałem w linku przywołanym przez Kol. Rzuuf: https://www.elektroda.pl/rtvforum/topic2628759.html
    Montaż ma duże znaczenie - robiłem wiele takich źródeł, na BJT i na MOSFET-ach, od mikroA do 10A i wzbudzały się tylko te, które oporniki źródłowe (emiterowe) - sensory prądu miały z dala od WO - sygnał sprz. zwr. był doprowadzony kablem. Np. źródło 3A na MOSFECIE wstawionym na PCB (niewielki radiator, bo moc rzędu 10W) - stabilny jak skała, takie samo źródło z tym samym MOSFETEM na radiatorze wraz z opornikiem źródłowym (kabel do we- WO) - generował.
    Oczywiście typ WO ma znaczenie - ale są typy odporne na obciążenie pojemnością. I takie należy tu stosować, a nie "na pałę" - co leży w szufladzie.
    Poza tym jest stary sposób na uniknięcie niestabilności WO obciążonego pojemnością - to tylko opornik. Nie znasz go? Są jeszcze inne - chociażby driver pośredniczący.
    Spróbuj dobierać inne słownictwo ("siejesz zamęt").

    Dodano po 59 [minuty]:

    Dyskusja jest akademicka.
    Co do skrótów myślowych - Ty też takich używasz, przecież to konieczność, bo nie da się tu prowadzić wykładów ze szczegółami. Drivery - jak każde rozwiązanie mają wady i zalety - mogą pomóc, a w skrajnym przypadku pogorszyć sprawę.
    Co do SOA w MOSFET-ach - temat rzeka, pokutuje na ten temat wiele mitów, różnie też jest u różnych producentów. Generalnie (w większości przypadków) należy wykres SOA rozumieć jako złożenie ograniczeń katalogowych: Rdson, obudowy, Pmax, "thermal stability", Umax. Nie bez znaczenia jest ZTC.
    Chętnych zachęcam do czytania - ot tak od ręki:
    https://www.google.pl/url?sa=t&rct=j&q=&esrc=...LW9cwZVntFryfrQ&bvm=bv.50723672,d.bGE&cad=rja
    http://www.google.pl/url?q=http://www.ti.com/...920555&usg=AFQjCNGtcjRVrbsDasl7isik_rBfjZC_yg
    http://www.google.pl/url?sa=t&rct=j&q=&esrc=s...K149JssZMHK6eYw&bvm=bv.50768961,d.Yms&cad=rja
    http://www.google.pl/url?sa=t&rct=j&q=&esrc=s...kNj99_pLB2un2sw&bvm=bv.50768961,d.Yms&cad=rja
  • Poziom 43  
    Cytat:
    Co do SOA w MOSFET-ach - temat rzeka, pokutuje na ten temat wiele mitów, różnie też jest u różnych producentów. Generalnie (w większości przypadków) należy wykres SOA rozumieć jako złożenie ograniczeń katalogowych: Rdson, obudowy, Pmax, "thermal stability", Umax. Nie bez znaczenia jest ZTC.


    Dla mnie liczy się fakt że istnieją tranzystory w których zachowanie SOA nie gwarantuje niezawodności - jest to wadliwa dokumentacja, są na to dowody w postaci artykułów naukowych, nie tylko plotki i mity z forów internetowych.

    Jest wiele not aplikacyjnych w których producenci tłumaczą problem pracy w zakresie liniowym, gdyby SOA było rzetelnie zrobione, problem by nie istniał.
  • Poziom 18  
    Cytat:
    Urgon napisał:
    Cały temat w sumie jest akademicki, bo Doctore nie podoła złożeniu tego projektu...

    Ot co.

    Tak, zgadzam się, nie znam się na elektronice tak jak wy, jestem głupi i na pewno nie złoże tego układu na zawartych tu poradach/informacjach bo każdy ma inne zdanie, a temat raczej powinien mieć tytuł "kto jest mądrzejszy i kto ma racje"
    Irytuje mnie to(nie cytować tego i nie gadać co was irytuje) że każdy się wymądrza, wiecie jak to zrobić, co jest najlepsze, a nie zapodaliście żadnego schematu, tak by taki newbie jak ja bez przesiewania google mógł sobie zrobić układ którego niezbyt rozumie.
    >Żalenia się koniec<

    Mam pomysł, może zapodacie jakiś banalny układ na jednym tranzystorze który zbuduje "za kilka zł" i sprawdzę nim czy dam rade go schłodzić na tyle wystarczający sposób że to samo schłodzenie da rade w tym co chce zbudować.
    A jak się nie uda to będę miał najlepsze diy chłodzenie wodne do PC :D
  • Poziom 32  
    Dostałeś taki schemat kilka postów wyżej. A przesiewanie Google jest umiejętnością w tej dziedzinie niemal kluczową.