Pamięć 400 MHz to inaczej 800MHz efektywnej częstotliwości ponieważ DDR2 działa dwa razy częściej (na narastającym i opadającym zboczu) i dlatego nazywa się 2

. Natomiast można nieco podnieść (nawet nie ruszając timingów) z 400 (czyli 800) na nieco więcej np 430 (860) zwiększając napięcie np z 1,8V na 1,9V . Wszystko trzeba wybadać - na każdej płycie i z każdą pamięcią jest nieco inaczej . Ja mam Samsungi i te kości dobrze się kręcą , ale są też takie które nie da się wiele podkręcić nawet luzując timingi i podnosząc napięcie ponad 2V. Każda pamieć jest zrobiona z małych kostek i w zależności od tego jakie zostały użyte to tak się kręcą. Firma XXX może robić pamieć na układach np samsunga i o szybkim dostępie a inna znana firma może wypuścić pamięć na układach marnej jakości gdzie nie ma juz szans na kręcenie.
By rozgryść pamięć trzeba odczytać z jakich kosteczek jest zrobiona i w datasheet będzie wszystko - od napięć do czasów (czyli szybkość) jakie można próbować osiągnąć . Kostki 1,2 ns czasem są wykorzystane w pamięciach 800MHz więc już wynika z tego że 833Mhz można osiągnąć co najmniej! - bez żadnego podnoszenia napięcia i luzowania timingów. A gdy na kostkach 1ns jest zrobiona pamięć 400 (800) (ewenement) to teoretycznie tylko dodatkowe układy mogą uniemozliwić osiągniecie 1MHz
Dodano po 1 [godziny] 47 [minuty]: kamilm123 napisał: To może mi powiedzcie jeszcze czy chcąc dać pamięć na 450MHz muszę zwiększać napięcie? I jakie timmingi ustawić do 450MHz?
Jak wcześniej pisałem nie ma jednoznacznych i precyzyjnych odpowiedzi. Zapewne napięcie trzeba podnieść . Producent podaje napięcie znamionowe które zazwyczaj wynosi 1,8V lub nieco więcej . Maksymalne napięcie które zazwyczaj wynosi 2,2V czasem nawet więcej (np OCZ ma pamięci DDR2 o standardowym zasilaniu 2,1V i nawet 2,3V spokojnie można im dać ) . Ale są pamięci które 2,2V mogą nie przeżyć. Podaj dokładne oznaczenie tych pamięci i dla pewności zobacz przez szkło powiększające na te małe moduły - co na nich pisze.