Passat_EQ wrote: Z jednej strony piszesz, że brak Ci danych konstrukcyjnych, z drugiej piszesz, ze nie skupili sie na ulepszeniu przeładowania pojemnosci bramek mosfetów.
Nie czyta sz ze zrozumieniem.
Pisałem na temat zadanego pytania przez autora wątku, który chcę zmieniać tranzystory na "mocniejsze" (te, które podał - nie nadają się) i ja jako jedyny próbowałem mu coś odpowiedzieć, a ponadto musiałem napisać co uważam o mocy takiego urządzenia.
Napisze jeszcze raz, zupełnie teoretycznie:
Moc 10KW na wyjściu x 1,2 sprawnośc przetwornicy ( optymistycznie 80%)x 1,2 ( optymistyczna sprawność wzmacniacza D-klasy ) daje 14,4kW.
Napięcie przy takich mocach z praktycznie dostepnego źródła 12V o najniższej oporności wewnętrznej czyli akumulatora ( kilku baterii równolegle połączonych) to w praktyce 9V ( optymistycznie)
Szacowany prąd to 1,6kA !!!
Przy 2x10 tranzystorów mosfet daje to prąd szczytowy 160 A w jednej połówce ( czyli średni 80A)
Przy mocy ciągłej upalą się ścieżki i ( lub) wyprowadzenia tranzystorów mocy ( przekrój doprowadzenia tranzystora w obudowie TO247 to ok 1mm2 !!), a najszybciej padną wewnętrzne połączenia źródła ze struktura krzemową tranzystora mosfet- co tez sie stało.
Jeśłi ktoś sie z tym nie zgadza prosze obejrzeć przekrój i budowę samochodowego bezpiecznika wartości 80A 32V , który ten prąd musi znieść w pracy ciągłej.
Reasumując ,albo wzmacniacz ma te 10 kW , ale przez 1 sekundę czyli PMPO,
Albo ma 5kW RMS, ( czyli ciągła) i ciągnie 600A ( co dla tej konstrukcji jest wartością graniczną dla pracy ciągłej)
Albo ma "10 kW" i prądy sa tak wielkie, że spadki na ściezkach, uzwojeniach, dławikach i tak nie pozwolą na oddanie mocy większej niz 5 kW . I tyle .
. Pozdrawiam
. Pozdrawiam
