Elektroda.pl
Elektroda.pl
X

Search our partners

Find the latest content on electronic components. Datasheets.com
Elektroda.pl
Please add exception to AdBlock for elektroda.pl.
If you watch the ads, you support portal and users.

Rekord w ruchliwości elektronów tranzystora organicznego

jacu007 24 Nov 2013 20:06 3144 3
  • Rekord w ruchliwości elektronów tranzystora organicznego Półprzewodniki organiczne to materiały mające wiele zalet w tym niską cenę, wysoką elastyczność, niewielką wagę oraz łatwość przetwarzania. Jednakże jedną z największych wad takich elementów jest ich niska ruchliwość elektronów, skutkującą w niewielkich prądach oraz słabej przewodności.

    W ostatnich dniach naukowcy z Narodowego Uniwersytetu Taiwanu ogłosili wyniki swoich badań nad organicznym tranzystorem, w którym ruchliwość elektronów, jest 2 do 3 rzędów większa niż znanych dotychczas organicznych półprzewodnikach. Zwiększenie ruchliwości elektronów daje nadzieję na możliwość szerszego zastosowania takich materiałów m.in. w elastycznych wyświetlaczach AMOLED, kolektorach słonecznych, czy organicznych tranzystorach polowych.

    Głównym powodem niskiej ruchliwości elektronów w konwencjonalnych przewodnikach organicznych jest rozpraszanie elektronów spowodowane granicami ziaren w sieci krystalograficznej. Naukowcy rozwiązali ten problem projektując organiczny tranzystor półprzewodnikowy złożony tylko z jednego ziarna.



    W swoim eksperymencie naukowcy zbudowali tranzystor złożony z pojedynczej organicznej nanocząsteczki PCTDA (di-bezwodnik-perylenu-3,4,9,10-tetra-karboksylowy) wbudowanej w nanopor otoczony elektrodami. Wytworzony element półprzewodnikowy ma ruchliwość elektronów na poziomie 0,08 cm2/Vs w temperaturze pokojowej oraz 0,5cm2/Vs w temperaturze 80K. Jest to wartość, która jest zbliżona do ruchliwości wewnętrznej PTCDA.

    Wraz z wysoką wartością ruchliwości elektronów, nowe tranzystory organiczne charakteryzują się najwyższą w tej klasie urządzeń zewnętrzną wydajnością kwantową. Jest to cecha świadcząca o wydajności materiału w zastosowaniu w ogniwie słonecznym. Odnosi się ona do liczby elektronów przepływających co sekundę w zewnętrznym obwodzie ogniwa słonecznego, podzielonej przez liczbę fotonów na sekundę wchodzących do ogniwa

    W przyszłości naukowcy planują dalsze badania nad właściwościami pojedynczych nanocząsteczek innych materiałów półprzewodnikowych.

    Źródło:
    http://phys.org/news/2013-11-semiconductor-transistor-nanoparticle-highest-mobility.html

    Cool? Ranking DIY
    About Author
    jacu007
    Level 22  
    Offline 
    Has specialization in: systemy mikroprocesorowe, raspberry pi
    jacu007 wrote 688 posts with rating 77, helped 0 times. Live in city Dąbrowa Górnicza. Been with us since 2007 year.
  • #3
    teofil111
    Level 13  
    Wiele brakuje, ale jakiś postęp jednak jest.
  • #4
    miszcz310
    Level 20  
    szymon122 wrote:

    "Typowe wartości ruchliwości w półprzewodnikach wynoszą 10 – 1000cm2/Vs."
    Źródło: Link
    Więc do krzemu jeszcze im wiele brakuje.


    Prawda, ale jest jeszcze jedna sprawa. Efektywna ruchliwość nośników w urządzeniu jest zazwyczaj mniejsza niż w materiale z którego jest zrobione. Dlatego to, że osiągnęli prawie takie same wartości jest dość sporym osiągnięciem. Btw grafen ma ruchliwości ~200 000 cm2/Vs... Tylko co z tego :D

    Poza tym duże ruchliwości są potrzbne do wysokich częstotliwości zazwyczaj. Jednak jeżeli im się uda teraz opracować jakaś technologię seryjnej produkcji to może "wreszcie" będziemy mieli "plastikową" elektronikę. :D