Elektroda.pl
Elektroda.pl
X
Proszę, dodaj wyjątek www.elektroda.pl do Adblock.
Dzięki temu, że oglądasz reklamy, wspierasz portal i użytkowników.

Tranzystor mocy MOSFET z ultra niską rezystancją w stanie załączenia

jacu007 30 Lis 2013 08:11 1167 0
  • Tranzystor mocy MOSFET z ultra niską rezystancją w stanie załączenia Tranzystory MOSFET pracujące jako przełączniki przy dużych wartościach prądu powinny się cechować się jak najniższymi spadkami napięć, aby maksymalnie zminimalizować straty przewodzenia. Aby jak najlepiej spełnić te wymagania firma Advanced Power Electronics wprowadziła na rynek nowy tranzystor mocy MOSFET AP1A003GMT-HF-3 z ultra niską rezystancją w stanie załączenia wynoszącą tylko 0,99mΩ (Vgs=10V, Id=25A; 2mΩ przy 5Vgs).

    Tranzystory dostarczane są w obudowach PMPAK o rozmiarach 5 x 6 mm, z wyprowadzeniami zgodnymi ze standarem SO-8. Metalowe pady w podstawie ułatwiają ponadto rozprowadzanie ciepła. Napięcie przebicia tranzystorów AP1A003GMT-HF-3 wynosi 30V a maksymalny prąd dren - źródło może mieć wartość 260 A.

    Aktualnie firma jest na etapie rozprowadzania próbek.

    Źródło:
    http://www.electropages.com/2013/11/advanced-...rmance-mosfet-offers-ultra-low-on-resistance/

  Szukaj w 5mln produktów