Elektroda.pl
Elektroda.pl
X
Proszę, dodaj wyjątek www.elektroda.pl do Adblock.
Dzięki temu, że oglądasz reklamy, wspierasz portal i użytkowników.

Naukowcy opracowali metodę poprawy wydajności pamięci MRAM

jacu007 31 Gru 2013 17:48 3507 1
  • Naukowcy opracowali metodę poprawy wydajności pamięci MRAM Zespół naukowców z Wydziału Inżynierii Elektrycznej i Komputerowej w National University of Singapore ( NUS ) opracował nową technologię produkcji pamięci MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory), która zwiększy przestrzeń dostępną do przechowywania informacji. Innowacyjna technologia znacząco poprawi także jakość produkowanych pamięci, w których dane pozostają nienaruszone nawet w przypadku zaniku zasiania. Zespół złożył już wniosek o amerykański patent na opisywaną technologię.

    Kierujący pracami Dr Yang, tak mówi o korzyściach wynikających z nowej pamięci: „Z punktu widzenia konsumentów, nie trzeba będzie już czekać na załadowanie danych podczas rozruchu komputerów czy laptopów. Wzrośnie ilość dostępnego miejsca do przechowywania a pamięć zostanie tak ulepszona, że nie będzie już potrzeby ciągłego naciskania przycisku „zapisz” a dane pozostaną nienaruszone nawet w przypadku zaniku zasilania. Zapisane dane będą przechowywane bez żadnego uszczerbku przez co najmniej 20 lat. Aktualnie realizowane projekty wykorzystujące bardzo cienką warstwę magnetyczną, mogą przechowywać dane do roku czasu. Dzięki oszczędności energetycznej jaką oferują nowe pamięci wydłuży się czas pracy naszych laptopów czy smartfonów.

    Jak działa MRAM

    Obecnie realizowane metody produkcji pamięci MRAM krążą wokół magnetyzacji prądami indukcyjnymi na powierzchni lub płaszczyźnie poziomej. Metoda ta wykorzystuje ultracienkie struktury ferromagnetyczne, które są bardzo trudne do wytworzenia z powodu grubości warstwy, która jest mniejsza niż 1 nm. Problemem pozostaje również niezawodność produkcji.

    Zespół naukowców z NUS wraz we współpracy z King Abdullah University of Science and Technology w Arabii Saudyjskiej, starają się rozwiązać problemy pamięciami MRAM, wprowadzając wielowarstwowe struktury magnetyczne o grubości 20nm, zapewniając alternatywną strukturę filmu do transmisji i przechowywanie danych. Wyniki badań zostały przedstawione 9 grudnia w Physical Review Letters.

    W następnej fazie swoich badań zespół planuje zaimplementować stworzone struktury w komórkach pamięci .

    Źródło:
    http://www.ecnmag.com/news/2013/12/new-innovation-enhances-information-storage-electronics

  Szukaj w 5mln produktów