Ile cykli zapisu wytrzymuje pamięć flash w urządzeniach?

mam takie może trochę idiotyczne pytanie dla niektórych ale interesuje mnie jak to jest z pamięcią flash, a dokładnie z możliwością jej zapisywania. istnieje teraz wiele urządzeń z tego typu pamięcią np. odtwarzacze mp3, karty pamięci, pendriver. No i wszystko było by ok gdyby nie fakt że przecież możliwości zapisu do tego typu pamięci są skończone, z tego co mi wiadomo. To znaczy że po jakiś np 100tys. zapisów urządzenie jest do wyrzucenia? poprawcie mnie jak się mylę. A może nie mam zielonego pojęcia o tym więc proszę o naprowadzenie mnie bo zaczęło mnie to pytanie ostatnio nurtować. No i jeszcze jedno jak pomyliłem dział do zadania takiego pytania to sorki ale najodpowiedniejsze miejsce wydało mi się tutaj.

Mysle ze to nie bedzie tak ze nagle przestanie dzialac tylko po prostu z czasem przestanie trzymac dane i tego tez nie stwierdzisz od razu ale zacznie sie od tego ze zaczna sie pojawiac pojedyncze bledy po jakims czasie od nagrania.
Ale nie przejmuj sie 100 tys razy to naprawde duzo. Policz sobie jesli np nagrywalbys na pendrive raz na minute to robilbys to 64 dni bez przerwy zeby go zepsuc, szybciej kupisz nowe urzadzenie zwlaszcza ze pamieci ferromagnetyczne sa przed nami (nie maja takich wad)
Jedna mala uwaga jesli planujesz na tym zainstalowac ktoras z wind to trzeba uwazac na swapa ktory ma to do siebie ze czesto zapisuje wiec i szybko wyczerpie mozliwosci zapisu.

pamiec flash rzeczywiscie sie zuzywa. a jak juz padnie to producent nie musi sie tym martwic bop klient kupi nmowy lepszy juz technologicznie (czytaj drozszy ) produkt.

ja natomiast mam inne pytanie bo mi ludzie mieszaja w glowie czy pamiec ktora programuje sie napieciem wyzszym od zasilania nominalnego to pamiec flash czy eeprom ?? bo z moich przemyslen wynika ze to pamiec flash tak sie programuje ale ostatnio zaczynam sie zastanawiac prosze o sprostowanie tej kwestii.

kozak_sc napisał:

ja natomiast mam inne pytanie bo mi ludzie mieszaja w glowie czy pamiec ktora programuje się napieciem wyzszym od zasilania nominalnego to pamiec flash czy eeprom ?? bo z moich przemyslen wynika ze to pamiec flash tak się programuje ale ostatnio zaczynam się zastanawiac prosze o sprostowanie tej kwestii.

Na to niema reguły. Jest różnie.

lepiej powiedzcie jak to jest z tymi "martwymi" komórkami, które nie dają sie programować. Przecierz taka pamieć nie wychodzi z fabryki w 100% dobra (przynajkniej nie wszytskie)

martwym komórkom może zdechnąć (a raczej zblokować się) bootloader i po prostu nie są martwe, tylko nie chcą gadać. Jeśli wylutujesz flasza z komórki i go zaprogramujesz ręcznie, to będzie działać. Bootloader sprawdza eeprom w komórce i jeśli wykryje błąd CRC, czy naruszenie jakichś wartości, co oznacza że ktoś grzebał - to decyduje że komórka dla dobra producenta powinna się nie włączyć. Teoretycznie trakiej komórki się uwalić nie da, tylko często jest to niewykonalne przez to że nie da się zaprogramować ręcznie.

A co do flaszy - niektóre wymagają wyższego napięcia, inne nie. Podobnie z eepromami, ale najczęściej w chipie z eepromem siedzi mała przetworniczka, która dostarcza wyższe napięcie (tak jest w AVRach) Generalnie chodzi o to że napięcie odczytu musii być niższe od zapisu, często wykorzystuje się pamięci które korzystają z napięcia zasilania do zapisu, a napięcie odczytu jest wewnętrznie obniżanie i potem dane są odpowiednio podciągnięte do wyższych wartości stanów.

nie chodziło mi o telefony... miałem na myśle jakąś tam komórke w pamieci

Widze dwie opje:
-albo jednak wszystkie są dobre ( w końcu to nie matryce LCD, tylko rzeźby krzemowe a pentium ileś ma ileś milionów tranzystorów i jako tako działają)

-albo są jakieś rezerwowe komórki (hehe), albo całe wiersze czy kolumny które potem w fazie testowania zastępują te wadliwe.

Jednak wydaje mi się że ta pierwsza opcja jest bardziej prawdopodobna

słyszałem że np karty pamieci testują swoje komórki, i jeśli jakaś tam staje sie felerna to układ sterujacy kartą ją zapamietuje i po prostu z niej nie kożysta. I teraz sie zastanawiam co dzieje sie z jej adresem, zostaje przejecty (nadany) następnej dobrej komórce?

co do adresowania wydaje mi się ze jeżeli juz układ wykryje felerna komórkę to traktuje ja jako nie czytana, a jej adres przejmuje chyba następna komórka. dla równowagi w pamięci jest nieco więcej wolnych komórek na końcu całej pamięci które to zastępują braki czyli zapisywane są kolejne o tyle ile padło po drodze. ale mogę się mylić. zresztą denerwuje mnie fakt ze producenci wydaja rzeczy które i tak w przyszłości wiemy na 100% że padną.

Oj nie jest tak do końca, jak myślą koledzy, nie wiem, czy zauważyliście, że na tych pamięciach tworzy się filesystem (tzw. formatowanie, np. FAT16), w którym mozna zaznaczać tzw. "badsectors" ?
Light'I

olo.d napisał:

co do adresowania wydaje mi się ze jeżeli juz układ wykryje felerna komórkę to traktuje ja jako nie czytana, a jej adres przejmuje chyba następna komórka. dla równowagi w pamięci jest nieco więcej wolnych komórek na końcu całej pamięci które to zastępują braki czyli zapisywane są kolejne o tyle ile padło po drodze. ale mogę się mylić. zresztą denerwuje mnie fakt ze producenci wydaja rzeczy które i tak w przyszłości wiemy na 100% że padną.

Prosze o 1 (slownie jeden) przyklad rzeczy, ktora mozna kupic, a napewno bedzie dzialac na wieki wiekow

no tak wiem głupio wyszło ale nie o to mi chodziło. wiem że z czasem wszystko się psuje ale producent wypuszczając pamięć wie na pewno że padnie, a klient świadom tego daje gruba kasę za z góry zmarnowana rzecz. jeżeli dodamy do tego fakt że producent wie ile razy da się jego pamięć zapisać i nie będzie to znaczna ilość, to może sobie wielokrotnie nabijać kasę. a co z przeciętnym kowalski, który o tym niema pojęcia?? ale nieważne cała gadka ta będzie bez sensu więc nie będę się spierać.

P.S.

MirekCz napisał:

olo.d napisał:

co do adresowania wydaje mi się ze jeżeli juz układ wykryje felerna komórkę to traktuje ja jako nie czytana, a jej adres przejmuje chyba następna komórka. dla równowagi w pamięci jest nieco więcej wolnych komórek na końcu całej pamięci które to zastępują braki czyli zapisywane są kolejne o tyle ile padło po drodze. ale mogę się mylić. zresztą denerwuje mnie fakt ze producenci wydaja rzeczy które i tak w przyszłości wiemy na 100% że padną.

Prosze o 1 (slownie jeden) przyklad rzeczy, ktora mozna kupic, a napewno bedzie dzialac na wieki wiekow

Choćby butelka plastikowa, materiał z którego jest wykonana będzie się rozkładał kupę czasu a jak jej na chama nie zepsujesz to myślę że będzie działać i na przykład wodę nosić z punktu A do B. To tak mimo chodem.

albo kulka... prędzej ją zgubimy
Wracajać do tematu... Raczej pojedyńcze padniete komórki nam nie zaszkodzą. bo tym zajmie sie sama "karta". Gołe pamięci tez by można było w ten sposób sprawdzać...
odczytać i zachować wartość, zapisać inną wartosć, znów odczytać, sprawdzić czy odczytana wartosć jest równa zapisanej i zapisać pierwotna wartosć.
Wydaje mi sie jednak że wiele więcej kłopoty było by z programem który by omijał felerne komórki. Najprosciej było by wywalić komunikat o błędzie pamieci....

Może niedługo pokażą się pamięci szeroko opisywane i wychwalane, które nie będą się zajeżdżać.

Może pamięci SRAM, podtrzymywane bateryjnie, one się nie zajadą Tylko z bateryjką problem.

Niestety flasze się zajadą, dyski przestaną się kręcić, a my itak umrzemy

Dlatego pamięci flasz są takie tanie (względnie) i niestety trzeba to brać pod uwage podczas zakupu, ale może są jakieś nieco droższe i bardziej odporne

Może warto też wspomnieć jak w ogóle te flashe są tak naprawde programowane?

Dzieje się to mniej więcej tak, że przykładając odpowiednie napięcia w odpowiednie linie, można się dostać do wszystkch programowalnych komórek. Oczywiście oznacza to, że odpowiednia sekwencja sygnałów pozwoli na zaprogramowanie po kolei wszystkich komórek..

Sama komórka pamięta swój stan w dość ciekawy sposób.
Otóż jest to tranzystor z podwójną bramką. Zawiera on specjalną warstwę - obszar, w którym mogą się znajdować lub nie znajdować nośniki - np elektrony. Elektrony te, zależnie czy się tam znajdują, czy nie, wpływają na pole pod bramką i na fakt powstawania kanału w tranzystorze.

Elektrony te same też z tamtąd nie uciekną, ponieważ musiały by pokonać barierę potencjału.
Programowanie polega na dostarczeniu nośników do tranzystorów w odpowiednich komórkach.
Kasowanie pamięci polega na pozbyciu sie elektronów ze wszystkich komórek.
Z kasowaniem jest łatwiej - elektrony by pokonać barierę potencjału muszą dostać energii. w EPROMach dostarcza się energii za pomocą światła UV. W EEPROMach i zwyklych FLASHach, energia jest elektryczna. Nośniki uwalniają się ze wspomnianego obszaru e półprzewodniku i pamięć jest wyczyszczona.

Zaprogramowanie polega na takim przesterowaniu bramek i drenów oczekiwanych tranzystorów, że spowoduje to napływ (bądź brak napływu) elektronów z prądu drenu do obszaru pod bramką. Po powrocie do napięć występujących podczas normalnej pracy układu, elektrony uciekać już nie będą.

Niszczenie pamięci polega na tym, że płynące elektrony - poprzez tlenek bramkowy, uszkadzają go i zmniejszają jego oporność. Po pewnym czasie, może powstać prąd upływu, poprzez który przestrzeń w tranzystorze się rozładuje i komórka straci swoją zawartość, w kontroler pamięci zauważy błąd CRC w swoim systemie plików.