Elektroda.pl
Elektroda.pl
X
Arrow Multisolution Day
Proszę, dodaj wyjątek www.elektroda.pl do Adblock.
Dzięki temu, że oglądasz reklamy, wspierasz portal i użytkowników.

Atmega8 - Jaki kondesator? przy prostych układach

bladyziom 17 Cze 2014 15:38 2388 29
  • #1 17 Cze 2014 15:38
    bladyziom
    Poziom 11  

    Witam, zacząłem swoją przygodę z atmegą8. Pierwsze układy udało się zaprogramować/uruchomić(migające diody itd.)
    Na razie bazuję na gotowych układach, w opisach potrzebnych części podane są oznaczenia kondensatorów np 10pF, 20pF, podane tylko pojemności, brak info o tym ile Volt mają mieć, czy ma to znaczenie?
    np kondensatory uF zazwyczaj zaczynają się od 16V. pF z tego co widzę większe napięcia, a przy małych układach zasilanych z USB lub zasilacza 5-12V takich napięć brak.
    Oraz jaki ich rodzaj, elektrolityczne czy ceramiczne? jakie ma to znaczenie?

    To samo pytanie co do rezystorów, np szukam rezystora 1.5K, i tu do wyboru 0,5W, 0,6W itd.

    Pozdrawiam

    0 29
  • Arrow Multisolution Day
  • Pomocny post
    #2 17 Cze 2014 16:00
    dondu
    Moderator Mikrokontrolery Projektowanie

    10pf, 20pf które podałeś jak sądzę dotyczą kondensatorów przy kwarcu. Jeżeli tak to ceramiczne na napięcia np. 50V. Dlaczego 50V? Bo takie są tanie i dostępne :-)

    100nF ceramiczne także na 50V - do filtrowania zakłóceń generowanych przez układy scalone, także powinny być ceramiczne.

    Te liczone w µF to z reguły elektrolityczne lub tantalowe. W ich przypadku warto dobierać napięcia co najmniej o 50% większe niż napięcie zasilania. De facto jeżeli zastosujesz taki na 16V przy zasilaniu 5V, jest OK.

    Więcej: http://mikrokontrolery.blogspot.com/2011/03/kondensator.html

    Warto także zaglądać do dokumentacji regulatorów napięcia w zakresie kondensatorów im potrzebnych: http://mikrokontrolery.blogspot.com/2011/04/zasilanie-mikrokontrolera.html

    Moc rezystorów dobiera się do prądów przez nie płynących. Dlatego w jednym miejscu schematu może być to np. 0,125W, a w innym 1W.

    0
  • #3 18 Cze 2014 13:56
    bladyziom
    Poziom 11  

    A no to już coś więcej wiem, poczytałem, jakoś umknęły mi te działy na Twojej stornie(bo na Twoim blogu bazuje w większości:) ). puki co dzięki za wyjaśnienie.

    0
  • #4 19 Cze 2014 22:35
    M. S.
    Poziom 34  

    Jeśli chcesz bawić się prockami to musisz sięgnąć do podstaw elektroniki. Inaczej pozostanie ci miganie diodą (bez rezystora ograniczającego jej prąd przewodzenia). Zapoznaj się ze sposobem użycia tranzystora, rezystorami, kondensatorami, diodami, triakami i całą resztą. Możesz to zrobić analizując proste schematy. Uwierz też w prawo Ohma czyli na rezystorze R, poprzez który płynie prąd I odkłada się napięcie U wg wzoru U=R*I. Pokłoń się co najmniej nad szeregowym połączeniem rezystorów, bo będziesz potrzebował dzielników napięcia. Co do tranzystora bipolarnego krzemowego to podstawowa zasada jest następująca: tranzystor pomiędzy kolektorem, a emiterem zaczyna przewodzić gdy napięcie pomiędzy emiterem a bazą przekracza ok. 0,7V (wtedy zaczyna płynąć prąd do bazy). Musisz rozróżniać również tranzystory npn i pnp.
    Tyle na początek. Powodzenia.

    0
  • #5 20 Cze 2014 09:59
    GanzConrad
    Poziom 21  

    Podepnę się pod temat: zarówno "przed" jak i "za" stabilizatorem LM7805 są kondensatory 100nF, oraz elektrolity (powiedzmy 10uF) Pytanie: czy elektrolity mogę zastąpić ceramicznymi o tej samej pojemności? Robię wersję SMD i nie wiem, czy ładować tam duże (gabarytowo) elektrolity, czy wystarczą ceramiczne w obudowie 0805.

    0
  • Arrow Multisolution Day
  • #6 20 Cze 2014 10:54
    94075
    Użytkownik usunął konto  
  • #7 20 Cze 2014 13:04
    M. S.
    Poziom 34  

    10u przed stabilizatorem liniowym to moim zdaniem dużo za mało. No chyba, że na stabilizator podane jest już napięcie porządnie odfiltrowane, tj napięcie, które nigdy nie spada poniżej Vstab + Vdropp.

    0
  • #8 20 Cze 2014 15:25
    GanzConrad
    Poziom 21  

    za mostkiem graetza będzie jakiś elektrolit (470uF lub więcej), więc dla bezpieczeństwa dam jakiś większy niż 10uF . Napięcie będzie na pewno wyższe niż Vstab + Vdropp.

    0
  • #9 21 Cze 2014 15:27
    bladyziom
    Poziom 11  

    M. S. to żeś m nie zastrzelił teraz tym wszystkim:)
    Oczywiście rozumiem że nie znam podstaw, ale jeśli bazuje na gotowych układach gdzie podane są potrzebne elementy, schemat podłączenia,wsad to na razie jakoś dam rade chyba.
    Puki co nie myślę żeby samemu coś zaprojektować, bo to wyższa szkoła jazdy jak dla mnie.

    0
  • #10 21 Cze 2014 18:19
    tmf
    Moderator Mikrokontrolery Projektowanie

    Niestety w typ przypadku bazowanie na gotowcach niewiele daje, bo gotowiec nie wie jaki prąd ciągniesz ze stabilizatora - a od tego zależy pojemność kondensatora przed mostkiem Greatza. Musisz zapewnić, żeby dla danego obciążenia napięcie na kondensatorze nie spadało poniżej Uwy+Udrop.

    0
  • #11 21 Cze 2014 18:32
    bladyziom
    Poziom 11  

    Czyli jednak, no ok, czyli przed zamówieniem części zabieram się za lekturę. Dziękuję za podpowiedzi

    Pozdrawiam

    0
  • #12 21 Cze 2014 22:46
    M. S.
    Poziom 34  

    Cytat:
    M. S. to żeś m nie zastrzelił


    Wbrew pozorom to nie takie trudne. Na początek do obliczeń statycznych wystarczą 2 wzory:
    Prawo Ohma - U=R*I
    Wzór na moc prądu stałego P=U*I.

    Teraz 2 przykłady.

    Przykładowo Vstab+Vdrop łatwo uzyskać podnosząc napięcie przed stabilizatorem, ale...
    Załóżmy, że dla pewności dajemy Uwe = 12V przy Ustab = 5V, Istab = 200mA i liczymy: spadek napięcia na stabilizatorze Us = Uwe - Ustab = 12 - 5 = 7V.
    Moc wydzielina na stabilizatorze P = U * I = 7V * 0,2A = 1,4W. Moc dostarczona do obciążenia stabilizatora P = U * I = 5V * 0,2A = 1W. Na stabilizatorze wydziela się większa moc niż na obciążeniu!
    Wszystko to na czym występuje spadek napięcia i przepływa przez to prąd generuje moc w postaci ciepła w konkretnym czasie i tą moc można policzyć jak wyżej.

    Prawo Ohma zastosujemy przy obliczaniu dzielnika rezystorowego, poprzez który zasilana będzie baza tranzystora krzemowego NPN. Załóżmy, że emiter jak zwykle połączony jest z masą (układ wspólnego emitera). Pomiędzy kolektorem a + zasilania mamy przekaźnik oczywiście z równoległą do niego diodą podłączoną tak aby nie przewodziła. Przekaźnik pobiera max. 200mA (Iprzek) prądu. Wzmocnienie tranzystora = 200 (h21e). Prąd bazy musi wynosić Ib = Iprzek/h21e = 1mA. Dzielnik zasilający bazę tranzystora powinien przewodzić prąd ok. 5*Ib = 5mA (Id) aby prąd bazy nie wpływał znacząco na parametry podziału napięcia w dzielniku. Elementem sterującym dzielnik jest mikrokontroler wystawiający 5V (Uuc) na porcie w stanie wysokim. Zatem łączymy port uC z bazą tranzystora poprzez rezystor R1, a bazę tranzystora z masą przez R2. Pomijamy, że prąd odpływa sobie do bazy i liczymy. Uuc = (R1+R2)*Id -> R1+R2 = Uuc/Id = 5V/0,005A = 1000Ω. Aby tranzystor porządnie się włączył przyjmiemy dla niego napięcie bazy = 1V (Ub). R2 = Ub/Id = 1V/0,005A = 200Ω, a R1 = (R1+R2) - R2 = 1000Ω - 200Ω = 800Ω. Moc na R1 = (5V-1V) * 0,005A = 0,02W, a moc na R2 = 1V * 0,005A = 0,005W.
    Żonglując prawem Ohma mamy policzony dzielnik rezystorowy R1,R2 i o ile tranzystor zniesie założone prądy to układ będzie działał. Z uC wychodzi 5mA, na przekaźnik wchodzi 200mA. Dzięki policzonej mocy R1 i R2 możemy w sklepie poprosić malutkie rezystory 0,125W lub więcej o rezystancji z podstawowego typoszeregu 820Ω i 220Ω.


    Obliczenia są oczywiście uproszczone, ale wystarczające w codziennej praktyce i zwykle nic się nie pali.

    Z kondensatorami to już trochę inna bajka. Zwykle do filtrowania napięcia stosuję większe niż mniejsze. Po mostku prostowniczym kondensator elektrolityczny zwykle 1000uF, po stabilizatorze 100uF. Równolegle do nich kondki ceramiczne 100n. Napięcie pracy kondensatora co najmniej 50% wyższe niż to, które się na nim odkłada. Kondensatory elektrolityczne (w tym tantalowe) w przeciwieństwie do innych mają polaryzację końcówek +- i w trosce o swoje zdrowie nie podłączaj ich odwrotnie.
    Do kondensatorów nie stosuj wprost prawa Ohma (bo się nie da do niego wepchnąć pojemności). Z mocą też nie jest tak prosto.

    0
  • #13 22 Cze 2014 00:51
    94075
    Użytkownik usunął konto  
  • #14 02 Lip 2014 02:04
    adam_1234
    Poziom 7  

    Witam, pozwolę sobie trochę podbić temat.
    Jak wygląda kwestia doboru/liczenia kondensatorów przed i za stabilizatorem przy zasilaniu z akumulatora 12V, kilka Ah, zakładając, że prąd z 5V pobiera tylko Atmega, LCD 2x16 i parę diod, a z 12V raz na sekundę w ciągu 20 sekund jest pobierany prąd ok. 0,5-1,5 A przez 100ms.
    Chodzi mi tylko o elektrolity, pomijam wszystkie 100nF itd.
    Czy ma na to duży wpływ wydajność prądowa akumulatora, i czy jest tu faktycznie "dużo do filtrowania"?
    Będę wdzięczny za pomoc.

    0
  • #15 02 Lip 2014 12:01
    atom1477
    Poziom 43  

    M. S. napisał:
    Prawo Ohma zastosujemy przy obliczaniu dzielnika rezystorowego, poprzez który zasilana będzie baza tranzystora krzemowego NPN. Załóżmy, że emiter jak zwykle połączony jest z masą (układ wspólnego emitera). Pomiędzy kolektorem a + zasilania mamy przekaźnik oczywiście z równoległą do niego diodą podłączoną tak aby nie przewodziła. Przekaźnik pobiera max. 200mA (Iprzek) prądu. Wzmocnienie tranzystora = 200 (h21e). Prąd bazy musi wynosić Ib = Iprzek/h21e = 1mA. Dzielnik zasilający bazę tranzystora powinien przewodzić prąd ok. 5*Ib = 5mA (Id) aby prąd bazy nie wpływał znacząco na parametry podziału napięcia w dzielniku. Elementem sterującym dzielnik jest mikrokontroler wystawiający 5V (Uuc) na porcie w stanie wysokim. Zatem łączymy port uC z bazą tranzystora poprzez rezystor R1, a bazę tranzystora z masą przez R2. Pomijamy, że prąd odpływa sobie do bazy i liczymy. Uuc = (R1+R2)*Id -> R1+R2 = Uuc/Id = 5V/0,005A = 1000Ω. Aby tranzystor porządnie się włączył przyjmiemy dla niego napięcie bazy = 1V (Ub). R2 = Ub/Id = 1V/0,005A = 200Ω, a R1 = (R1+R2) - R2 = 1000Ω - 200Ω = 800Ω. Moc na R1 = (5V-1V) * 0,005A = 0,02W, a moc na R2 = 1V * 0,005A = 0,005W.
    Żonglując prawem Ohma mamy policzony dzielnik rezystorowy R1,R2 i o ile tranzystor zniesie założone prądy to układ będzie działał. Z uC wychodzi 5mA, na przekaźnik wchodzi 200mA. Dzięki policzonej mocy R1 i R2 możemy w sklepie poprosić malutkie rezystory 0,125W lub więcej o rezystancji z podstawowego typoszeregu 820Ω i 220Ω.

    Bardzo dziwny sposób liczenia. I do tego ryzykowny i nawet bym powiedział nieprawidłowy.
    Ryzykowny bo przyjmujesz tylko 1V na bazę tranzystora. Wprawdzie to dużo bo UBE raczej nie przekroczy 0,7V. Ale jednak mamy tylko 0,3V zapasu więc każda najmniejsza zmiana temperatury tranzystora (a co za tym idzie zmiana UBE) będzie mocno wpływała na prąd wpływający do bazy.
    Poza tym przyjąłeś wzmocnienie równe 200 i żadnego zapasu na to.
    Natomiast sposób jest nieprawidłowy z tego powodu że przyjęcie nawet 5*Ib ("aby prąd bazy nie wpływał znacząco na parametry podziału napięcia w dzielniku") nie mają żadnego sensu. Na bazie będzie 0,7V choćbyś przyjął i 50*Ib.
    Pozwoliłem sobie zrobić symulację i wyszło tak:
    Dla 5V z uC i R1/R2 = 800 i 200Ω: na bazie 0,712V i prąd 1,8mA.
    Dla 5V z uC i R1/R2 = 80 i 20Ω: na bazie 0,793V i prąd 12,9mA.
    I jeszcze dla niewielkiego obniżenia napięcia zasilania
    Dla 4,5V z uC i R1/R2 = 800 i 200Ω: na bazie 0,701V i prąd 1,2mA.
    Dla 4,5V z uC i R1/R2 = 80 i 20Ω: na bazie 0,769V i prąd 8,17mA.
    Większość prądu jest marnowana na dzielnik a i tak nie daje on 1V tylko mniej.
    Obniżenie napięcia zasilania o 10% zmniejsza prąd bazy o ponad 30%.
    I teraz dlaczego Ci to działa mimo nieprawidłowości:
    Otóż właśnie z powodu tych błędów i męczenia dzielnika nadmiernym poborem prądu. Dzięki temu mimo nieprzyjęcia zapasu na wzmocnienie tranzystora dostaje on duży prąd bazy i załącza się pewnie.
    Ale sposób liczenia jest zły.
    Ja liczę inaczej:
    Przy 1 rezystorze (tylko od uC do bazy, czyli R1) po prostu liczę prąd bazy aby wprowadzić tranzystor w 3-krotne nasycenie (przy sterowaniu przekaźnika albo diody, gdzie nasycenie tranzystora nie jest wadą).
    Czyli jak tranzystor ma wzmocnienie 200 to przyjmuję do obliczeń 67.
    R1 = (5V - 0,7V)/(IC/67) = (5V - 0,7V)/(200mA/67) = 1440,5Ω.
    Można zaokrąglić nawet w górę (do 1,5kΩ), po prostu tranzystor się wtedy nasyci nie 3 a 2,9 razy.
    Prąd nie jest marnowany a na rezystorze odkłada się znaczna większość napięcia. Wpływ napięcia UBE na prąd bazy będzie więc minimalny. Wpływ napięcia zasilania będzie się przekładał prawie 1:1 (zmniejszenie napięcia zasilania o 10% zmniejszy prąd bazy o niewiele więcej nic 10%.). Łatwo też dostosować układ do zasilania nieznanym napięciem. Wtedy wystarczy policzyć dla najniższego napięcia, a dla najwyższego mamy pewność że tranzystor nie dostanie na bazę przesadnie dużo prądu.
    U Ciebie przy 2,7V (i obliczeniach jak dla 2,7V) wyjdzie prąd 2,2mA, a potem po wzroście do 5V 8,6mA (czyli wzrost to 3,9 raza).
    A u mnie różnica pomiędzy 2,7V a 5V to będzie 2,15 raza.
    Natomiast przy dwóch rezystorach ("dzielnik") przyjmuję R2 o wartości jak R1. A potem koryguje ten R1 na mniejszy aby dostarczył dodatkowy prąd do R2.
    Dzięki temu mam pewność że napięcie nieobciążonego dzielnika będzie wysokie (znacznie wyższe niż 1V, będzie to ponad 2,5V przy zasilaniu 5V). A skoro tak to wpływ UBE czy napięcia zasilania na prąd bazy tez będzie mały.

    0
  • #16 02 Lip 2014 13:03
    94075
    Użytkownik usunął konto  
  • #17 02 Lip 2014 13:55
    gaskoin
    Poziom 38  

    albertb napisał:
    Prąd ten płynąc przez około 10ms nie powinien spowodować jego rozładowania większego niż do minimalnego napięcia wejściowego stabilizatora


    A skad te magiczne 10ms ? To wynika z DS konkretnego modelu stabilizatora ? Po takim czasie napiecie wyjsciowe na takim stabilizatorze bedzie z grubsza nieustalone ?

    0
  • #18 02 Lip 2014 14:35
    94075
    Użytkownik usunął konto  
  • #19 02 Lip 2014 14:46
    atom1477
    Poziom 43  

    albertb napisał:
    atom1477 napisał:
    Natomiast przy dwóch rezystorach ("dzielnik") przyjmuję R2 o wartości jak R1. A potem koryguje ten R1 na mniejszy aby dostarczył dodatkowy prąd do R2.
    Dzięki temu mam pewność że napięcie nieobciążonego dzielnika będzie wysokie (znacznie wyższe niż 1V, będzie to ponad 2,5V przy zasilaniu 5V). A skoro tak to wpływ UBE czy napięcia zasilania na prąd bazy tez będzie mały.


    Ten sposób liczenia też jest bardzo dziwny.
    Zastanów się najpierw PO CO stosujesz dzielnik.
    Bo z Twojej metody liczenia wynika, że właściwie to on Ci tylko przeszkadza.

    Albert

    Zwykle nie stosuję "dzielnika".
    A jak już to w przypadku jak tranzystorem steruje coś co ma tylko stany H i Hi-Z (czyli nie ma stanu L).
    I nie służy on jako dzielnik. Taką nazwę zastosowałem bo zastosował ją kolega wyżej.
    W moim przypadku chodzi po prostu o rezystor ściągający do masy.
    Metoda liczenia faktycznie dziwna i "dzielnik" podczas załączenia faktycznie przeszkadza. Nie mniej jednak nie ma tego jak inaczej zrobić/policzyć (zrobić żeby "dzielnik" nie przeszkadzał w trakcie włączenia).

    0
  • #20 02 Lip 2014 14:49
    Akane
    Poziom 27  

    10ms to połowa okresu 50Hz. Za prostownikiem to czas okresu jednej pulsacji napięcia. Ale albertb już mnie uprzedził.

    Panowie, piszecie o wzmocnieniu tranzystora, ale przyjmujecie jakieś magiczne, okrągłe wartości.
    Należy napisać tak: przyjmujemy minimalne (gwarantowane) wzmocnienie prądowe tranzystora, odczytane z katalogu.

    Rezystor zwierający bazę ma za zadanie głównie zmniejszyć czas rozładowania pojemności baza-emiter, w momencie wyłączenia tranzystora.
    Jego wartość można dobrać na wiele sposobów. Jednym z prostszych jest dziesięciokrotność oporności baza-emiter widzianej przez rezystor doprowadzający prąd do bazy, czyli 10*Ube/Ibe.

    Układ z przekaźnikiem już sam w sobie jest na tyle powolny, że nie ma sensu używać takiego rezystora, gdyż tranzystor zdąży się wyłączyć (odetkać, rozładować pojemności) ze sto, jak nie więcej, razy, w czasie potrzebnym na rozłączenie styków przekaźnika po odłączeniu mu zasilania.
    Dopiero układy przełączające, działające od dziesiątek kiloherców, wymagają takich rezystorów. Ewentualnie też układy przełączające bardzo niskie prądy, w których złącze bazy jest narażone na wszelakie promieniowania.

    Pojemność złącza baza-kolektor ma równeż spore znaczenie. Wyłączający się tranzystor zmniejsza prąd kolektora z jakąś prędkością, co powoduje wzrost napięcia kolektora, które z kolei przez pojemność kolektor-baza powoduje dodatkowe zasilenie złącza bazy. Im szybciej tranzystor się wyłącza i im większa jest pojemność Cbc, tym większy prąd z kolektora wpływa ponownie do bazy.

    Kolejne zagadnienie dotyczy źródła zasilania bazy. Jeżeli rezystor zasilający bazę jest zasilany dwustanowym źródłem napięcia - zero/pięć woltów, to spełnia on też rolę rozładowania pojemności złącza. Ale gdy zasilamy go jednokierunkowo (podłącz/odłącz napięcie), to czas wyłączenia tranzystora już zależy od stałej czasowej i ilości energii zmagazynowanej w złączu bazy.

    0
  • #21 02 Lip 2014 14:52
    M. S.
    Poziom 34  

    Atom policzył sobie inny układ. Przy uC wymuszającym stan wysoki i niski jest ok. Jednak jest to raczej szczególny przypadek. U mnie ten obliczeniowy 1V zastępuje twoje obliczeniowe potrojenie prądu bazy.

    Często sam stosuję na wyjściu uC tranzystor z rezystorem w bazie i liczę tak samo.

    Temat dotyczy jednak pewnej ogólności umiejętności praktycznych programistów. Dzięki dzielnikom napięcia można np. zbudować sobie układ wzmacniający i konwertujący napięcie między innymi w przypadku gdy nie ma pod ręką Mosfeta N logic level.

    Skąd 10ms?

    Ano dlatego, że prąd w sieci (i po transformatorze) ma częstotliwość 50Hz. Prostownik dwupołówkowy odwraca ujemne wartości sinusoidy co powoduje, że napięcie za nim osiąga maksimum z częstotliwością 100Hz, a to daje okres 10ms.


    O, widzę, że Atom ujawnia swoją orientację polityczną. Brawo. Też tak zrobię.

    0
  • #22 02 Lip 2014 14:53
    94075
    Użytkownik usunął konto  
  • #23 02 Lip 2014 15:42
    atom1477
    Poziom 43  

    albertb napisał:
    atom1477 napisał:
    W moim przypadku chodzi po prostu o rezystor ściągający do masy.

    Jak go zwał tak go zwał. Ale PO CO Ci rezystor ściągający do masy?

    Ja stosuję ten rezystor do zagwarantowania żeby tranzystor się nie włączał pod wpływem prądów upływu (ze względu na wilgoć na przykład). Mowa oczywiście o przypadku jak nie mamy stanu L który by gwarantował pewne wyłączenie tranzystora i bez tego rezystora (czyli w zasadzie stosowałem to rozwiązanie, bo teraz już się to nie zdarza).
    Do przyspieszania wyłączania ten rezystor się raczej nie przydaje bo jego wpływ jest niewielki.

    albertb napisał:
    atom1477 napisał:
    Nie mniej jednak nie ma tego jak inaczej zrobić/policzyć (zrobić żeby nie przeszkadzał w trakcie włączenia).

    Więc PO CO to robisz?

    Przecież tego nie robię :D Tzn. nie liczę tego w inny sposób. Lecz właśnie w ten sposób który podałem.

    albertb napisał:
    A z policzeniem wartości, gdy masz jakieś założenia naprawdę nie ma problemu.

    Z liczeniem to miałem właśnie to na myśli że ciężko dać jakieś założenia.
    Bo założeniem to musiało by być żeby ten rezystor nie przeszkadzał w trakcie włączenia. A tego się nie da zrobić. Więc każda inna metoda to już kompromis. I liczyć się oczywiście da bez problemu ale wcześniej musowo przyjąć kompromisowe założenia.
    Ja przyjąłem takie żeby nie tworzyć dzielnika który da zbyt niskie napięcie (bez obciążenia). A to aby uniezależnić ten układ od zmian UBE pod wpływem temperatury.
    Natomiast rezystor od strony bazy a nie na samym wejściu (przed R1) dlatego żeby baza widziała mniejszą rezystancję do masy. Zawsze to lepsze domykanie tranzystora.
    Przy R2 przed R1 mieli byśmy duży pobór prądu przez R2 (bo odkładało by się na nim całe napięcie załączające, powiedzmy 5V). Przy wyłączeniu z kolei baza widziała by rezystancję zwierającą do masy równą R1+R2, czyli dużą. A w każdym razie większą niż R2. Dlatego jak dla mnie to same wady.
    I dlatego R2 daję za R1, tworząc ten "dzielnik. Zaleta taka że R2 mało obciąża uC podczas załączania tranzystora. A podczas wyłączania baza widzi do masy rezystancje równą R2.
    To jednak też ma wadę bo właśnie tworzy ten dzielnik. Więc kompromisowo jego podział daję taki żeby dzielił nie więcej niż 2 razy.
    Ja bardzo rzadko stosuję takie rozwiązanie. W zasadzie to nie przypominam sobie żadnego z ostatnich kilku lat.
    Kiedyś w jakiejś multipleksowanej matrycy LED na długich kablach to zastosowałem bo miałem duszki na ekranie. I nie było to powodowane brakiem Deadtimów w sterowaniu matrycy, bo owy Deadtime był a tranzystory były wyposażone w diody antynasyceniowe (czyli diody Shottky'ego od kolektorów do baz). Lecz właśnie było powodowane wilgocią jak się okazało. I te rezystory od baz do emiterów dopiero pomogły. Sterowanie było z procka 8051 który nie miał stanu wysokiego (tylko słabe podciąganie). Przy sterowaniu z AVR problemu nie ma. A mowa o tranzystorach PNP oczywiście w takim przypadku.
    Też nie widzę sensu stosowania tego układu w normalnych przypadkach. Jednak parę razy miałem okazje go użyć, a w dodatku chciałem sprostować sposób obliczania podany przez M. S. bo mi się on wydaje nieprawidłowy.

    0
  • #24 02 Lip 2014 19:47
    94075
    Użytkownik usunął konto  
  • #25 02 Lip 2014 20:03
    atom1477
    Poziom 43  

    albertb napisał:
    atom1477 napisał:
    Do przyspieszania wyłączania ten rezystor się raczej nie przydaje bo jego wpływ jest niewielki.

    No jeśli obliczymy wg Twojej metody to pewnie tak. Bo nie widać w niej jakobyś te wielkości w jakikolwiek sposób wiązał. Ale jaki sens jest w ogóle liczyć układ, dla którego nie widzimy sensu zastosowania?

    Nikt go nie każe liczyć nie mając zastosowania.
    Ja miałem swoje zastosowanie i do niego dostosowałem sposób liczenia.
    Ktoś inny ma inne: liczy inaczej.
    Nie ma żadnego: w ogóle nie daje tego rezystora.
    Wiem że mój wzór nie jest najszczęśliwszy, ale po prostu też widzę mały sens stosowania tego rezystora. Jakiś mały jednak widzę więc próbowałem to jakoś liczyć. Z racji trudnego określenia kryteriów liczenia powstał mi taki dziwny wzór (metodą trochę na oko).
    Chętnie za to poznam metodę liczenia aby R2 znacząco przyspieszał wyłączanie tranzystora. Bo jedyna droga jaką ja widzę to zmniejszanie R2. A to powoduje zwiększanie stopnia podziału dzielnika i w końcu spowoduje że nie da się w ogóle włączyć tranzystora bo napięcie z dzielnika będzie niższe niż 0,7V. Dlatego ja tu na razie widzę tylko kompromis w doborze tego rezystora.
    No ale jak mówię chętnie się podszkolę.

    albertb napisał:
    atom1477 napisał:
    Sterowanie było z procka 8051 który nie miał stanu wysokiego (tylko słabe podciąganie)
    Coś te tłumaczenie jest kiepskie. W stanie niskim '51 zwiera bazę z masą, w stanie wysokim rozwiera. Wtedy nie trzeba ani rezystora w szereg, ani do masy. Tylko podciągający do plusa zapewniający odpowiedni prąd bazy. A przy bazie zwartej do masy zwieranie jej dodatkowo oporem trochę mija się z celem.

    Tylko że te układ z '51 to akurat sterował tranzystorami PNP:
    atom1477 napisał:
    A mowa o tranzystorach PNP oczywiście w takim przypadku.

    Celowo też napisałem że rezystory były od baz do emiterów, a nie od baz do masy. Bo emitery nie były na masie tylko na VCC.
    Ale to tylko w tym moim przypadku gdzie były PNP akurat.
    A poprzednie dyskusje rozpoczęły się od NPN to pisałem o rezystorze idącym do masy.

    albertb napisał:
    atom1477 napisał:
    a tranzystory były wyposażone w diody antynasyceniowe (czyli diody Shottky'ego od kolektorów do baz).

    Chyba, że te diody miały prąd wsteczny o odpowiedniej wartości, aby włączyć lekko tranzystory i zastosowałeś rezystory w szereg z bazą.

    No faktycznie to mógł być problem. Nie pomyślałem o tym. Ale stawiam że nie to był powód bo na suchej płytce (w dodatku nagrzanej suszarką, gdzie prąd wsteczny diod był by większy) problem nie występował.

    0
  • #26 02 Lip 2014 22:23
    94075
    Użytkownik usunął konto  
  • #27 02 Lip 2014 23:10
    atom1477
    Poziom 43  

    No i właśnie tego nigdy nie rozumiałem (i dalej nie rozumiem).
    Bo w tym pierwszym przypadku z NPNem i 1mA prądu bazy sterowanym z 5V wychodzi mi rezystor R1 równy 4,3k (gdyby miał być tylko R1).
    Więc zgodnie z moją metodą na "dzielnik" dał bym R2 równe 4,3k, a R1 zmniejszył do 3,7k.
    Natomiast 10-krotność oporności bazy to 10*0,7V/1mA = 7,0k.
    Więc mój R2 wcale nie jest za duży. Jest mniejszy niż wychodzi z tej metody z 10-krotnością oporności bazy. Gdzie więc jest błąd?

    0
  • #28 03 Lip 2014 01:07
    94075
    Użytkownik usunął konto  
  • #29 03 Lip 2014 11:03
    atom1477
    Poziom 43  

    Nie rozumiem dlaczego moja wartość miała by być za duża skoro policzona metodą "na 10-krotność" jest dobra (mimo że wychodzi większa od mojej).
    Ja bym raczej powiedział że może być za duża. A nie że od razu jest.
    Bo i metodą "na 10-krotność" może być za duża. Bo jak sam mówisz można też przyjąć metodę "na 2-krotność". I dopiero wtedy moja wartość będzie większa od tej z metody "na x-krotność".
    Moja metoda ma tylko taką wadę że przyjąłem jakąś stałą wartość nawet nie wiedząc dlaczego (dobrałem to doświadczalnie). Całkiem źle się jednak nie wstrzeliłem bo wyszło mniej więcej jak dla metody "na 5-krotność". Czyli powiedzmy kompromisowo.
    Po prostu chodzi mi o to że to nie moja wartość rezystancji jest zła, ale metoda jaką ją policzyłem (bo wzór wyznaczyłem sam doświadczalnie).
    Zresztą moja metoda nie miała na celu przyspieszanie wyłączania, a przeciwdziałanie prądom upływu. Dla przyspieszania wyłączania się nie nadaje bo wzór będzie dawał różne wyniki zależnie od napięcia sterującego podawanego na R1. Tu lepsza będzie metoda "na x-krotność"
    A dioda pomiędzy CB raczej zbędna nie jest: daje mi kilkudziesięciokrotne przyspieszenie wyłączania.

    0
  • #30 04 Lip 2014 11:03
    94075
    Użytkownik usunął konto