Elektroda.pl
Elektroda.pl
X
Please add exception to AdBlock for elektroda.pl.
If you watch the ads, you support portal and users.

Zamek szyfrowy na przerzutnikach typu D na układzie 7474

barcelona12 04 Aug 2014 12:29 1845 5
  • #1
    barcelona12
    Level 9  
    Zamek szyfrowy na przerzutnikach typu D na układzie 7474

    Witam, jak w temacie: postanowiłem zrobić prosty zamek na kod 4-cyfrowy. Schemat powyżej. Zbudowałem układ z układu scalonego 7474, ale nie działa tak jak powinien. Stan wysoki pojawia się na wyjściu po naciśnięciu dwóch ostatnich przycisków lub tylko ostatniego, a powinien po naciśnięciu czterech w dobrej kolejności. Może schemat jest zły, proszę o wskazanie mojego błędu.
    Z góry dzięki za odpowiedź.
  • #2
    tumar
    Level 11  
    Układ twój wczytuje stan wysoki do kolejnych przerzutników ale przy wciśnięciu niewłaściwego przycisku układ się nie zeruje
    układ możesz trochę zmodyfikować co zwiększy ilość kombinacji kodów ale nadal różne sekwencje będą go otwierały np:
    1 2 3 4
    1 2 4 3 4
    1 3 2 3 4
    1 2 2 1 3 2 3 4
    Natomiast wciśnięcie 5 5 6 7 8 lub 0 wyzeruje układ

    Zamek szyfrowy na przerzutnikach typu D na układzie 7474
  • #3
    barcelona12
    Level 9  
    Dziękuję za pomoc, teraz działa. Mam jeszcze dwa pytania:
    1. Czy jest różnica między podłączeniem przez rezystor wejścia zegarowego do plusa a do masy?
    2. Czy można jakoś zmodyfikować układ, żeby po wciśnięciu 1,2 a potem 4 układ się zerował?
    Pozdrawiam.
  • #4
    barcelona12
    Level 9  
    Punkt 2 udało mi się rozwiązać za pomocą dwóch bramek OR oraz dwóch diod i rezystora, które tworzą bramkę AND.
  • #5
    tumar
    Level 11  
    układ 7474 wczytuje dane przy narastającym zboczu na wejściu zegarowym czyli przy zwalnianiu przycisku, gdybyśmy zamienili miejscami rezystor i przycisk to wczytywanie było by przy wciskaniu przycisku. Oczywiście teoretycznie gdyż w praktyce w przyciskach mechanicznych pojawiają się drgania, to wszystko jednak nie ma wpływu na działanie układu.
    Inną sprawą jest pobór prądu przez wejście przerzutnika: w technologii bipolarnej TTL dla stanu niskiego jest on wielokrotnie wyższy niż dla stanu wysokiego co powoduje że przy podłączeniu rezystora do masy musielibyśmy zastosować rezystory o wartości nawet 330 omów a wtedy można się spodziewać zwiększonego poboru mocy.
  • #6
    barcelona12
    Level 9  
    Dzięki za wyjaśnienie.
    Pozdrawiam.