Elektroda.pl
Elektroda.pl
X
Proszę, dodaj wyjątek dla www.elektroda.pl do Adblock.
Dzięki temu, że oglądasz reklamy, wspierasz portal i użytkowników.

12800 - Pamięć ram kompatybilność

24 Sie 2014 15:11 1308 1
  • Poziom 2  
    Witam

    postanowiłem rozbudować swojego laptopa o nowy moduł RAM i zamówiłem zgodny z obecnie posiadanym.

    Sprzedawca natomiast podesłał inny informując mnie iż wskazanego modelu już nie posiada, iż ten który otrzymałem jest w pełni zgodny i kompatybilny z posiadany.

    Nauczony doświadczeniem iż sprzedawca powie wszystko aby sprzedać więc sprawdzam.

    według hwinfo pamięci są identyczne
    ram1
    Spoiler:

    General Module Information
    Module Number: 1
    Module Size: 8192 MBytes
    Memory Type: DDR3 SDRAM
    Module Type: SO-DIMM
    Memory Speed: 800.0 MHz (PC3-12800)
    Module Manufacturer: Samsung
    Module Part Number: M471B1G73QH0-YK0
    Module Revision: 0
    Module Manufacturing Date: Year: 2014, Week: 14
    Module Manufacturing Location: 3
    SDRAM Manufacturer: Samsung
    Error Check/Correction: None

    Module characteristics
    Row Address Bits: 16
    Column Address Bits: 10
    Number Of Banks: 8
    Module Density: 4096 Mb
    Number Of Ranks: 2
    Device Width: 8 bits
    Bus Width: 64 bits
    Module Nominal Voltage (VDD): 1.5 V, 1.35 V

    Module timing
    Minimum SDRAM Cycle Time (tCKmin): 1.250 ns
    CAS# Latencies Supported: 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11
    Minimum CAS# Latency Time (tAAmin): 13.125 ns
    Minimum RAS# to CAS# Delay (tRCDmin): 13.125 ns
    Minimum Row Precharge Time (tRPmin): 13.125 ns
    Minimum Active to Precharge Time (tRASmin): 35.000 ns

    Supported Module Timing at 800.0 MHz: 11-11-11-28
    Supported Module Timing at 733.3 MHz: 10-10-10-26
    Supported Module Timing at 666.7 MHz: 9-9-9-24
    Supported Module Timing at 600.0 MHz: 8-8-8-21
    Supported Module Timing at 533.3 MHz: 7-7-7-19
    Supported Module Timing at 466.7 MHz: 7-7-7-17
    Supported Module Timing at 400.0 MHz: 6-6-6-14
    Supported Module Timing at 333.3 MHz: 5-5-5-12

    Minimum Write Recovery Time (tWRmin): 15.000 ns
    Minimum Row Active to Row Active Delay (tRRDmin): 6.000 ns
    Minimum Active to Active/Refresh Time (tRCmin): 48.125 ns
    Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFCmin): 260.000 ns
    Minimum Internal Write to Read Command Delay (tWTRmin): 7.500 ns
    Minimum Internal Read to Precharge Command Delay (tRTPmin): 7.500 ns
    Minimum Four Activate Window Delay Time (tFAWmin): 30.000 ns

    Features
    Partial Array Self Refresh (PASR): Not Supported
    On-die Thermal Sensor (ODTS) Readout: Not Supported
    Auto Self Refresh (ASR): Not Supported
    Extended Temperature Refresh Rate: Not Supported
    Extended Temperature Range: Supported
    Module Temperature Sensor: Not Supported
    Module Nominal Height: 29 - 30 mm
    Module Maximum Thickness (Front): 1 - 2 mm
    Module Maximum Thickness (Back): 1 - 2 mm


    ram2
    Spoiler:
    General Module Information
    Module Number: 2
    Module Size: 8192 MBytes
    Memory Type: DDR3 SDRAM
    Module Type: SO-DIMM
    Memory Speed: 800.0 MHz (PC3-12800)
    Module Manufacturer: Samsung
    Module Part Number: M471B1G73DB0-YK0
    Module Revision: 0
    Module Manufacturing Date: Year: 2014, Week: 26
    Module Manufacturing Location: 2
    SDRAM Manufacturer: Samsung
    Error Check/Correction: None

    Module characteristics
    Row Address Bits: 16
    Column Address Bits: 10
    Number Of Banks: 8
    Module Density: 4096 Mb
    Number Of Ranks: 2
    Device Width: 8 bits
    Bus Width: 64 bits
    Module Nominal Voltage (VDD): 1.5 V, 1.35 V

    Module timing
    Minimum SDRAM Cycle Time (tCKmin): 1.250 ns
    CAS# Latencies Supported: 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11
    Minimum CAS# Latency Time (tAAmin): 13.125 ns
    Minimum RAS# to CAS# Delay (tRCDmin): 13.125 ns
    Minimum Row Precharge Time (tRPmin): 13.125 ns
    Minimum Active to Precharge Time (tRASmin): 35.000 ns

    Supported Module Timing at 800.0 MHz: 11-11-11-28
    Supported Module Timing at 733.3 MHz: 10-10-10-26
    Supported Module Timing at 666.7 MHz: 9-9-9-24
    Supported Module Timing at 600.0 MHz: 8-8-8-21
    Supported Module Timing at 533.3 MHz: 7-7-7-19
    Supported Module Timing at 466.7 MHz: 7-7-7-17
    Supported Module Timing at 400.0 MHz: 6-6-6-14
    Supported Module Timing at 333.3 MHz: 5-5-5-12

    Minimum Write Recovery Time (tWRmin): 15.000 ns
    Minimum Row Active to Row Active Delay (tRRDmin): 6.000 ns
    Minimum Active to Active/Refresh Time (tRCmin): 48.125 ns
    Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFCmin): 260.000 ns
    Minimum Internal Write to Read Command Delay (tWTRmin): 7.500 ns
    Minimum Internal Read to Precharge Command Delay (tRTPmin): 7.500 ns
    Minimum Four Activate Window Delay Time (tFAWmin): 30.000 ns

    Features
    Partial Array Self Refresh (PASR): Not Supported
    On-die Thermal Sensor (ODTS) Readout: Not Supported
    Auto Self Refresh (ASR): Not Supported
    Extended Temperature Refresh Rate: Not Supported
    Extended Temperature Range: Supported
    Module Temperature Sensor: Not Supported
    Module Nominal Height: 29 - 30 mm
    Module Maximum Thickness (Front): 1 - 2 mm
    Module Maximum Thickness (Back): 1 - 2 mm


    Natomiast zastanawia mnie oznaczenie na samej kości

    M471B1G73QH0-YK0 oryginalna 12800S -11-12-F3
    M471B1G73DB0-YK0 nowa 12800S -11-13-F3

    próbowałem znaleźć jakieś konkrene informacje co oznaczają te symbole i ogólnie są dwie szkoły
    1. to oznaczenie producenta i bez znaczenia
    2. to świadczy o kompatybilności ram

    Czy ktoś ma dokładne informacje na temat tego oznaczenia? co ono oznacza ?

    pozdrawiam
    Mariusz
  • Poziom 33  
    To prawdopodobnie timingi pamieci. Powinna działać.