Elektroda.pl
Elektroda.pl
X
Proszę, dodaj wyjątek dla www.elektroda.pl do Adblock.
Dzięki temu, że oglądasz reklamy, wspierasz portal i użytkowników.

Tranzystor IGBT zamiast MOSFET w ZVS Flyback Driver

11 Wrz 2014 12:01 2685 5
  • Poziom 10  
    Witam Wszystkich,

    chciałbym się upewnić u mądrzejszych czy mogę zastąpić MOSFET-y IRF250 na tranzystory IGBT HGTG30N60A4 w układzie ZVS Flyback Driver? Słyszałem, że nie każde IGBT do tego układu się nadają.

    Drugie pytanie mam odnośnie podłączenia tranzystora.

    IGBT -> MOSFET
    Kolektor (C) -> Dren (D)
    Emiter (E) -> Źródło (S)

    Czy dobrze myślę ? Tak należy podłączyć IGBT w miejsce MOSFET ?

    Dołączam schemat ZVS Flyback Drivera i kartę tranzystora IGBT.
    Tranzystor IGBT zamiast MOSFET w ZVS Flyback Driver

    HGTG30N60A4

    Pozdrawiam.
    Darmowe szkolenie: Ethernet w przemyśle dziś i jutro. Zarejestruj się za darmo.
  • Poziom 43  
    A co chcesz osiągnąć tą zmianą?

    Ogólna zasada jest taka że IGBT mają przewagę nad MOSFET'ami przy napięciach >200V, a ten układ do takich napięć słabo się nadaje (trzeba by przerabiać).

    Ten IGBT i (nie tylko ten) w tym układzie będzie miał większe straty mocy od IRFP250 (no chyba że przy prądach >20A ).

    No i przy niskich napieciach zasilania (rzędu kilkunastu V), wyższe napiecie progowe IGBT też nieco pogorszy sprawność, przy 40V pewnie bez różnicy.
  • Poziom 17  
    Ogólnie rzecz biorąc cały ten układ się grzeje. Można go wykorzystać jedynie w celach edukacyjnych. Prawdopodobnie bardzo szybko uszkodzisz MOSFET'y. Gdyby były to IGBT to koszt by był znacznie większy. Więc lepiej stosować tanie MOSFET'y.
  • Poziom 10  
    Chciałem dostosować ten układ do zasilania napięciem 70V DC. Dlatego pomyślałem o zamianie Mosfet na Igbt, ale widzę, że chyba pobłądziłem, sądząc po waszych wypowiedziach :)

    Czyli generalnie nic mi to nie da i tak czy inaczej, zarówno jedne jak i drugie się popalą, szkoda więc się w to bawić tak ?
  • Poziom 43  
    Cytat:
    Chciałem dostosować ten układ do zasilania napięciem 70V DC. Dlatego pomyślałem o zamianie Mosfet na Igbt, ale widzę, że chyba pobłądziłem, sądząc po waszych wypowiedziach
    Skoro chcesz wyższego napiecia to IGBT ma sens tylko nie można zostawić polaryzacji bramek z tego samego napiecia zasilania, rezystory bramek zasil z oddzielnego źródła o napieciu kilkunastu V.
    Cytat:

    Ogólnie rzecz biorąc cały ten układ się grzeje. Można go wykorzystać jedynie w celach edukacyjnych. Prawdopodobnie bardzo szybko uszkodzisz MOSFET'y.
    Nie pisz że jest taki zły, zasada działania jest bardzo dobra i sprawność też jeśli przypadkiem trafimy w dobre parametry* główną wadą jest spowolnione ładowanie bramek przez rezystory, stosowałem wtórniki emiterowe i wtedy układ poprawnie pracował przy kilkuset kHz, przy kilkudziesieciu kHz to może jakoś działać z rezystorami ale nie dawał bym 470Ω a 220Ω (oczywiście po obniżeniu napiecia)


    * układ jest bardzo popularny wśród amatorów i nieliczni podchodzą do tego poważnie, po inżyniersku, większość robi z tego co było pod ręką, nie mierzy, ani nie oglada na oscyloskopie, jeśli coś sie spali zawsze "z niewyjaśnionej przyczyny" dlatego ten układ zbiera też wiele niezasłużonych negatywnych opinii.
  • Poziom 17  
    Oczywiście masz rację co do tego układu, że nie jest zły. Tylko trzeba nad nim trochę popracować.
    I myślę że jest to bardzo dobry układ do nauki elektroniki, więc nie ma co z niego rezygnować.