[Rozwiązano] Tranzystor IGBT zamiast MOSFET w ZVS Flyback Driver

Witam Wszystkich,

chciałbym się upewnić u mądrzejszych czy mogę zastąpić MOSFET-y IRF250 na tranzystory IGBT HGTG30N60A4 w układzie ZVS Flyback Driver? Słyszałem, że nie każde IGBT do tego układu się nadają.

Drugie pytanie mam odnośnie podłączenia tranzystora.

IGBT -> MOSFET
Kolektor (C) -> Dren (D)
Emiter (E) -> Źródło (S)

Czy dobrze myślę ? Tak należy podłączyć IGBT w miejsce MOSFET ?

Dołączam schemat ZVS Flyback Drivera i kartę tranzystora IGBT.


HGTG30N60A4

Pozdrawiam.

A co chcesz osiągnąć tą zmianą?

Ogólna zasada jest taka że IGBT mają przewagę nad MOSFET'ami przy napięciach >200V, a ten układ do takich napięć słabo się nadaje (trzeba by przerabiać).

Ten IGBT i (nie tylko ten) w tym układzie będzie miał większe straty mocy od IRFP250 (no chyba że przy prądach >20A ).

No i przy niskich napieciach zasilania (rzędu kilkunastu V), wyższe napiecie progowe IGBT też nieco pogorszy sprawność, przy 40V pewnie bez różnicy.

Ogólnie rzecz biorąc cały ten układ się grzeje. Można go wykorzystać jedynie w celach edukacyjnych. Prawdopodobnie bardzo szybko uszkodzisz MOSFET'y. Gdyby były to IGBT to koszt by był znacznie większy. Więc lepiej stosować tanie MOSFET'y.

Chciałem dostosować ten układ do zasilania napięciem 70V DC. Dlatego pomyślałem o zamianie Mosfet na Igbt, ale widzę, że chyba pobłądziłem, sądząc po waszych wypowiedziach

Czyli generalnie nic mi to nie da i tak czy inaczej, zarówno jedne jak i drugie się popalą, szkoda więc się w to bawić tak ?

Cytat:

Chciałem dostosować ten układ do zasilania napięciem 70V DC. Dlatego pomyślałem o zamianie Mosfet na Igbt, ale widzę, że chyba pobłądziłem, sądząc po waszych wypowiedziach

Skoro chcesz wyższego napiecia to IGBT ma sens tylko nie można zostawić polaryzacji bramek z tego samego napiecia zasilania, rezystory bramek zasil z oddzielnego źródła o napieciu kilkunastu V.

Cytat:

Ogólnie rzecz biorąc cały ten układ się grzeje. Można go wykorzystać jedynie w celach edukacyjnych. Prawdopodobnie bardzo szybko uszkodzisz MOSFET'y.

Nie pisz że jest taki zły, zasada działania jest bardzo dobra i sprawność też jeśli przypadkiem trafimy w dobre parametry* główną wadą jest spowolnione ładowanie bramek przez rezystory, stosowałem wtórniki emiterowe i wtedy układ poprawnie pracował przy kilkuset kHz, przy kilkudziesieciu kHz to może jakoś działać z rezystorami ale nie dawał bym 470Ω a 220Ω (oczywiście po obniżeniu napiecia)


* układ jest bardzo popularny wśród amatorów i nieliczni podchodzą do tego poważnie, po inżyniersku, większość robi z tego co było pod ręką, nie mierzy, ani nie oglada na oscyloskopie, jeśli coś sie spali zawsze "z niewyjaśnionej przyczyny" dlatego ten układ zbiera też wiele niezasłużonych negatywnych opinii.

Oczywiście masz rację co do tego układu, że nie jest zły. Tylko trzeba nad nim trochę popracować.
I myślę że jest to bardzo dobry układ do nauki elektroniki, więc nie ma co z niego rezygnować.