Elektroda.pl
Elektroda.pl
X

Wyszukiwarki naszych partnerów

Wyszukaj w ofercie 200 tys. produktów TME
Proszę, dodaj wyjątek elektroda.pl do Adblock.
Dzięki temu, że oglądasz reklamy, wspierasz portal i użytkowników.

Trójwymiarowe pamięci oparte o 3 bitowe komórki V-NAND firmy Samsung

ghost666 14 Paź 2014 13:08 777 0
  • Trójwymiarowe pamięci oparte o 3 bitowe komórki V-NAND firmy SamsungFirma Samsung Electronics ogłosiła 10 października 2014 roku, iż wprowadziła właśnie do masowej produkcji pierwsze dostępne komercyjnie pamięci 3-bitowe, zbudowane w architekturze MLC (multi-level-cell, ang. komórka wielopoziomowa), korzystające z trójwymiarowej technologii pionowych pamięci NAND Flash. Układy te przewidziane są do zastosowania w pamięciach SSD.

    "Dodanie do naszej oferty nowej linii układów pamięci SSD o wysokiej gęstości zapisu, które wyprzedzają inne układy tak parametrami jak i ceną, pozwala nam wierzyć iż nasze nowe, 3-bitowe układy V-NAND przyspieszą przejście systemów magazynowania danych z mechanicznych dysków twardych na pamięci SSD", opisuje Jaesoo Han, starszy wicedyrektor działu sprzedaży i marketingu układów pamięci w firmie Samsung Electronics. "Szerszy wybór produktów do projektowania dysków SSD zwiększy konkurencyjność naszej oferty i pozwoli na zwiększenie naszej obecności na rosnącym wciąż rynku urządzeń SSD" dodaje dyrektor Han.

    Technologia 3 bitowej pamięci V-NAND to najnowsza generacja układów V-NAND firmy Samsung. W nowym układzie wykorzystano stos 32 warstw komórek pamięci na jeden układ NAND. Każdy pojedynczy scalak zapewnia 128 gigabajtów pamięci dyskowej.

    W strukturze układów V-NAND firmy Samsung, każda komórka jest połączona elektrycznie z nieprzewodzącą warstwą wykorzystując technologię http://en.wikipedia.org/wiki/Charge_trap_flash CTF (charge trap flash, ang. pułapka ładunku flash). Każda macierz komórek jest ułożona na poprzedniej warstwie komórek pamięci, co pozwala na stworzenie układów scalonych zawierających wiele miliardów komórek pamięci.

    Wykorzystanie komórek zawierających po 3 bity pamięci w 32 warstwowej strukturze stosu, pozwala na wyraźną poprawę efektywności produkcji układów pamięci. W porównaniu do planarnych struktur pamięci NAND, wykonanych w technologii 10 nm, nowa wielowarstwowa technologia pozwala podwoić pojemność pamięci w przeliczeniu na zajmowaną powierzchnię krzemu.

    Samsung wprowadził pierwszą generację pamięci V-NAND z 25 warstwami komórek, w 2013 roku, a drugą, 32 warstwową, w maju 2014 roku. Dzięki wprowadzeniu na rynek pamięci opartej o 32 warstwową strukturę 3 bitowych komórek V-NAND, Samsung wysunął się na prowadzenie w produkcji trójwymiarowych pamięci flash i przyspieszył ewolucję technologii V-NAND.

    Dzięki produkcji pierwszego dysku SSD opartego o układy wyprodukowane w technologii 3 bit V-NAND w 2012 roku, Samsung udowodnił iż istotnie istnieje potrzeba komercyjnej, masowej produkcji wysokiej gęstości układów pamięci w tej technologii.

    Pierwsze wyprodukowane pamięci oparte o 3 bitowe komórki V-NAND wykonane w technice trójwymiarowej, pozwolą na dalszą poprawę przyjmowania przez rynek dysków SSD opartych o pamięci V-NAND w aplikacjach konsumenckich, a ponadto pozwoli to na zwiększenie zainteresowania rynkiem profesjonalnym.

    Źródło:

    http://phys.org/news/2014-10-samsung-mass-production-industry-bit.html#jCp

 Szukaj w ofercie
Zamknij 
Wyszukaj w ofercie 200 tys. produktów TME