Elektroda.pl
Elektroda.pl
X
Proszę, dodaj wyjątek www.elektroda.pl do Adblock.
Dzięki temu, że oglądasz reklamy, wspierasz portal i użytkowników.

Tranzystor N-Mosfet sterowanie wartość napięcia

majkel00230 02 Gru 2014 13:46 2400 22
  • #1 02 Gru 2014 13:46
    majkel00230
    Poziom 10  

    Witam,
    Chciałbym się poradzić co do sterowania mosfetem. przeczytałem już tony internetu i dalej nie znalazłem odpowiedzi na moje pytanie i miesza mi się z tym co kiedyś powiedział mi kolega. Mianowicie jeśli napięcie na wejściu Drenu będzie na poziomie 18V a ja chcę na wyjściu uzyskać 14.4 V a w nocie Ugs = 4V to aby uzyskać te 14,4V muszę na bramkę podać 14.4V + 4 V ( Ugs ) czyli na bramce muszę mieć 18,4 V.
    Czy to jest właściwe rozumowanie ?

    0 22
  • #2 02 Gru 2014 16:20
    jarek_lnx
    Poziom 43  

    Cytat:
    Czy to jest właściwe rozumowanie ?
    Nie wiemy co chcesz zrobić, jeśli chcesz mieć dokłądnie 14,4V na wyjściu (źródle?) to ten sposób nie jest właściwy, nigdzie w dokumentacji nie ma dokładnej wartosci Ugs, jest zakres w którym ono sie znajduje, poza tym Ugs zależy od temperatury i prądu.

    0
  • #3 02 Gru 2014 16:28
    majkel00230
    Poziom 10  

    mam zamiar na takim mosfecie zbudować ładowarkę do akumulatora. tylko mam problem z poziomem napięć na bramce, a będzie ona sterowana PWM'mem.
    nie za bardzo rozumiem tych dwóch zależności, Tranzystor N-Mosfet sterowanie wartość napięcia Tranzystor N-Mosfet sterowanie wartość napięcia


    są to zdjęcia z jednej noty, na początku ją czytając myślałem że podanie 4 V na bramkę otworzy całkowicie Mosfet. ;/ ale jak już się domyślam jest to błędne rozumowanie

    0
  • #4 02 Gru 2014 16:50
    113673
    Użytkownik usunął konto  
  • #5 02 Gru 2014 17:19
    wolek14
    Poziom 31  

    Co to za akumulator chcesz ładować przez PWM?

    0
  • #6 02 Gru 2014 17:45
    majkel00230
    Poziom 10  

    właśnie korzystam z Tranzystora typu N.
    tylko jak podłączam go według załączonego schematu to przy pwm 100% i tak mam na bramce 5 V zamiast 12V i wtedy on jest częściowo otwarty ;/ Tranzystor N-Mosfet sterowanie wartość napięcia

    A co do akumulatora to 12V kwasowy 65Ah.

    0
  • #7 02 Gru 2014 18:25
    jarek_lnx
    Poziom 43  

    Cytat:
    nie za bardzo rozumiem tych dwóch zależności
    Absolute maximum ratings to wartości których nie wolno przekroczyć bo grozi to uszkodzeniem.

    Specifications to parametry przy normalnej pracy.
    Vgs(th) to napięcie progowe od 2 do 4V przy prądzie 250µA czyli tam gdzie tranzystor jeszcze nie przewodzi (dopiero zaczyna).

    Na schemacie tranzystor ma źródło na masie ale na bramkę dostaje <5V - za mało jek chcesz wiedzieć ile potrzeba, popatrz na wykresy niżej w dokumentacji.

    T1 to wtórnik emiterowy jeśli na bazie jest 5V na emiterze będzie ok 4,4V nie ważne czy na kolektorze będzie 5V czy 12V.

    0
  • #8 02 Gru 2014 18:46
    majkel00230
    Poziom 10  

    jarek dzięki wielkie za wytłumaczenie oznaczeń pomoże mi to bardzo,
    T1 rozumiem że jest sam z siebie wtórnikiem a nie dlatego że jest tak podłączony bo ja podłączyłem sam T1 kolektor 12V , emiter do masy przez wentylator na baze 5V to tak na wyjsciu miałem 5 V

    0
  • #9 02 Gru 2014 18:48
    trymer01
    Moderator Projektowanie

    Trzeba przed T1/T2 dodać stopień na npn WE zasilany z +12V.

    0
  • #10 02 Gru 2014 18:52
    majkel00230
    Poziom 10  

    rozumiem, lecz jednak nie chcę korzystać z tego rozwiązania z dwoma tranzystorami, mam zamiar wykorzystać driver do mosfeta dedykowany,
    tylko mój problem polega na tym jaką wartością napięcia zasilić bramkę aby mosfet był całkowicie otwarty, bo wartością napięcia na wyjściu będę regulował współczynnikiem wypełnienia

    0
  • #11 02 Gru 2014 18:57
    wolek14
    Poziom 31  

    Jaką ty masz częstotliwość PWM że stosujesz dodatkowe tranzystory do przeładowania pojemności bramki? Ja na twoim miejscu zastosowałbym mosfeta typu Logic Level, który można otwierać bezpośrednio z uC (lub bezpieczniej przez transoptor).

    0
  • #12 02 Gru 2014 18:59
    trymer01
    Moderator Projektowanie

    A jak mamy odpowiedzieć, jeśli nie byłeś łaskaw dotąd (9 postów) podać typu tranzystora - to wszystko jest w nocie katalogowej. Prawdopodobnie 10V, może wystarczy 6V? - wróżenie z fusów.

    0
  • #13 02 Gru 2014 19:02
    majkel00230
    Poziom 10  

    Aaaa przepraszam, nie zauważyłem że nie podałem, Mosfet to IRF530N.
    trymer dzięki za informację dopiero zaczynam przygodę z mosfetami już się biorę za przeszukiwanie informacji o tego typu mosfetach

    0
  • Pomocny post
    #14 02 Gru 2014 22:18
    trymer01
    Moderator Projektowanie

    IRF530N http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf530n.pdf
    Rdson podano gwarantowane 90mΩ przy Vgs=10V - i tyle zapewni pełne otwarcie tranzystora.
    Z wykresu Fig/2 wynika że dla typowego egz. wystarczy Vgs>4,5V (dla Id<10A) - ale tu nie ma gwarancji. Można założyć że Vs>6V wystarczy, Vgs=10V daje pewność.

    0
  • #15 03 Gru 2014 14:15
    majkel00230
    Poziom 10  

    Dzięki wielkie za taką odpowiedź bo wiem jak już czytać ze zrozumieniem inne noty mosfetów. oczywiście leci punkt.

    mam jeszcze pytanie jak interpretować FIG 11 z tej noty, i z tego co widzę po schematach w nocie to do bramki wystarczy rezystor i pojemność aby prawidłowo była ładowana i rozładowywana przy sterowaniu impulsowym ?

    0
  • #16 03 Gru 2014 19:34
    trymer01
    Moderator Projektowanie

    Fig.11 to charakterystyka umożliwiająca obliczenie (oszacowanie) wzrostu dopuszczalnej mocy strat tranzystora gdy przebieg jest impulsowy
    Dla DC - P=(Tjmax-Ta)/Rthja= ok. 2W) .
    Dla przebiegu impulsowego w zależności od wypełnienia (duty factor), oraz długości impulsu t1 odczytuje się wartość Zth (impedancję termiczną) co umożliwia obliczenie mocy rozpraszanej wg powyższego wzoru (gdzie podstawiamy Zth zamiast Rth)

    Żadnej pojemności w bramce się nie wstawia ! To są schematy testowe (do pomiarów parametrów). Bramka sama w sobie ma pojemność, najczęściej sporą i to "wada" każdego MOSFET-a, gdyż utrudnia jego sterowanie.
    Poczytaj o MOSFET-ach.

    0
  • #17 03 Gru 2014 20:38
    majkel00230
    Poziom 10  

    Świetnie... wszystko rozumiem, naprawdę bardzo pomocne rady,

    doszła mi jeszcze dzisiaj jedna zagadka,

    jak na załączonym obrazku jest 8 akumulatorów 12V połączonych szeregowo, każdy ma swój moduł ładujący przetwornice buck down, każda przetwornica musi mieć mierzone napięcie i prąd, ale każda również musi mieć osobną masę aż do trafa po to aby wymusić przepływ prądu w danym akumulatorze, i teraz moje pytanie czy mogę mierzyć te napięcia i prądy dwoma atmegami16 ? bo dla nich masy muszę wybrać jakieś dwie i czy tutaj pomiary nie będą oszukane ? czy może należałoby zrobić dla każdego modułu przetwornicy osobną atmegę która będzie tylko w jego masie ?

    Tranzystor N-Mosfet sterowanie wartość napięcia

    0
  • #18 04 Gru 2014 10:28
    113673
    Użytkownik usunął konto  
  • #19 04 Gru 2014 10:34
    majkel00230
    Poziom 10  

    nie za bardzo rozumiem jak miałoby wyglądać wyliczanie napięć,
    dodam że muszę mierzyć napięcia i prądy, prąd mierzony bocznikowo,
    a jedna atmega odpada bo nie ma tylu wejs ADC, minimum muszę użyć dwie,

    ale załóżmy że jedna ma tyle wejść i podłączam jej masę do 1 aku, i ustalmy że na wszystkich jest napięcie równe 12V, to dla atmegi wpiętej w mase pierwszego każdy kolejne będzie +12V ? tzn
    1. 12V
    2. 24V
    itd ?

    0
  • #20 04 Gru 2014 10:45
    arelektroda
    Poziom 22  

    Jeżeli dasz wspólną masę i dzielniki dla każdego akumulatora to napięcie każdego kolejnego będzie sumą poprzednich a dodatkowo wspólna masa spowoduje zmniejszenie ilości punktów pomiarowych. Będzie wspólna masa i tyle punktów ile akumulatorów. Badając napięcie kolejnego akumulatora będziesz musiał brać pod uwagę rzeczywistą sumę napięć poprzednich (czyli nie 12 a około 12, nie 24 a około 24 itd. zależnie od stanu naładowania każdego z nich).

    0
  • #21 04 Gru 2014 11:38
    majkel00230
    Poziom 10  

    czyli tak jak myślałem lepiej wstawić dla każdego atmega z masą tylko danego akumulatora?

    0
  • #22 04 Gru 2014 11:39
    113673
    Użytkownik usunął konto  
  • #23 04 Gru 2014 11:41
    majkel00230
    Poziom 10  

    dokładnie mam tak zrobiony 1 moduł, bocznik 0,15ohma i idzie to na wzmacniacz operacyjny

    0