Mariusz Ch. wrote: Odpowiedziałem na twoje pytanie. Umiejętność czytania nie polega na poprawnym składaniu literek
w wyrazy i zdania, ale trzeba jeszcze rozumieć ich sens. Specjalnie dla ciebie napiszę to jasno:
Równoległe połączenie darlingtonów jest niestabilne. Powodem tego jest dodatnie sprzężenie temperaturowe.
Wyeliminować je możesz stosując osobne radiatory dla każdego tranzystora
lub posiadasz patent na galwaniczne połączenie baz tranzystorów wewnętrznych.
Może dobrze byłoby, jakbyś chociaż sam rozumiał sens tego, co piszesz.
Połączenie baz wewnętrznych tranzystorów mocy poprawiłoby stabilność,
ale wymagałoby jeszcze włączenia oporników w emitery wewnętrznych
tranzystorów sterujących - inaczej one byłyby nierówno obciążone.
W układzie, który zaproponowałeś, można uzyskać poprawę stabilności
zastępując oporniki baza - emiter opornikami baza - emiter zbiorczy.
Stosowanie osobnych radiatorów zawsze pogarsza stabilność - w każdym
razie nie przychodzi mi na myśl żaden układ, w którym byłoby inaczej.
Darlingtony połączone równolegle rzeczywiście mają gorszą stabilność -
z grubsza dwukrotnie, o tyle musi być większy stosunek wartości oporników
w emiterach do oporności cieplnej między złączami tranzystorów.
Zjawisko wtórnego przebicia raczej nie zależy od połączenia równoległego
tranzystorów, lecz od wartości pradu i napięcia w konkretnym tranzystorze.
Przy niskich napięciach łatwiej przekroczyć dopuszczalną moc tranzystora,
niż spowodować wtórne przebicie, przy wyższych łatwiej o wtórne przebicie.
nemo07 wrote: No, widzę, że to "dodatnie sprzężenie temperaturowe" pozostanie dla mnie niezgłębialnym fenomenem.
Morał z tego taki, że chyba nie uważałem na lekcjach fizyki.
Nazwa użyta przez Mariusza raczej nie wyjaśnia, o co mu chodzi, a ilość
błędów, jakie robi, każe wątpić, czy on cokolwiek rozumie, czy jedynie
przepisuje przypadkowo wybrane fragmenty zdań - no, wybiera z grubsza
na temat, zawsze coś, ale już znak sprzężenia jest przypadkowy.
Przypuszczam, że na lekcjach fizyki tego nie było - nie przypominam sobie,
żeby temat był choćby na wykładzie z elektroniki na studiach z fizyki, więc
temat mi wygląda na nieco zaawansowany, i to trochę tłumaczy Mariusza,
że skoro coś o nim usłyszał, to prawie wszysko poprzekręcał.
Żeby to jakoś wyprostować: napięcie przewodzącego złącza w półprzewodniku
zależy od temperatury, z dość dużą dokładnością w taki sposób, że różnica
tego napięcia, i pewnej stałej, jest proporcjonalna do temperatury bezwzględnej.
Dla krzemu ta stała jest około 1.24V, napięcie przewodzenia w temperaturze
pokojowej przy typowych prądach około 0.8V, więc wzrost temperatury z 293K
o, powiedzmy, 1/4 tej wartości, czyli o 73 stopnie, powoduje spadek napięcia
przewodzenia złącza o 0.11V; jeśli układ, w którym pracuje tranzystor, działa
tak, że spadek napięcia emiter-baza powoduje wzrost wydzialanej mocy, to
mamy dodatnie sprzężenie zwrotne; jeśli ten wrost mocy powoduje wzrost
temperatury większy, niż ten, który wywołał ten spadek napięcia emiter-baza,
to "wzmocnienie w pętli" przekracza 1 i układ nie może być stabilny - zwykle
kończy się to przegrzaniem tranzystora. Teraz pozostaje napisać równanie
opisujące te zależności dla całego układu i zobaczyć co z tego wychodzi...
Zasadniczo należy dążyć do tego, by "wzmocnienie w pętli" było znacznie
mniejsze od 1 - na przykład 0.2, 0.3, więcej to już spore ryzyko.
Jeśli mamy pojedyńczy tranzystor w stabilizatorze napięcia, to zwykle nie ma
problemu: układ regulujący napięcie wyjściowe zapewnia, że prąd tranzystora
nie zmieni się, choćby zmieniło się napięcie emiter-baza - ponieważ zapewnia
stałość napięcia wyjściowego, a od niego zależy pobór prądu przez układ
zasilany (jeśli w ogóle zależy - różne bywają układy). Sytuacja staje się inna,
kiedy mamy dwa tranzystory połączone równolegle: wtedy jeden może się
trochę ogrzać, drugi ochłodzić, i różnica ich temperatur powoduje różnicę
prądów, która z kolei powoduje różnicę wydzielanych mocy, i dalszy wzrost
różnicy temperatur. Jeśli tranzystory te są na wspólnym radiatorze, to wzrost
temperatury radiatora nie daje wkładu do różnicy prądów tranzystorów - tylko
różnica między temperaturą złącza, a temperaturą radiatora - dlatego ważne
jest uzyskanie małej oporności cieplnej złącze-radiator (i do tej oporności
trzeba wliczać nie tylko oporność cieplną złącze-obudowa, ale i od obudowy
do wspólnego punktu radiatora - jak tranzystory są na nim daleko, to może
to dodać sporą oporność cieplną radiatora).
W przypadku tranzystorów z Darlingtonem wypada jeszcze jedno skorygować:
to jest kilka różnych możliwych układów; może być tak, że w środku mamy dwa
tranzystory NPN, i baza tranzystora mocy łączy się z emiterem sterującego -
wtedy zmiany napięcia emiter-baza będą dwa razy większe, niż dla jednego
tranzystora; może być tak, że są trzy tranzystory (chyba takich się nie robi, ale
jakby, to zmiany napięcia byłyby 3 razy większe); a może być tak, że są w nim
dwa tranzystory o różnych polaryzacjach - na przykład sterujący NPN, jego
kolektor łączy się z bazą tranzystora mocy, który jest PNP - w takim układzie
zmiany napięcia emiter-baza są takie same, jak dla pojedyńczego tranzystora.
Rozróżnić je można raczej dość łatwo: przepuścić prąd przy jakim normalnie
taki Darlington pracuje, ograniczając prąd bazy opornikiem, i zmierzyć, jakie
jest napięcie emiter-baza - w tym ostatnim powinno być najwyżej 0.9V.
Pozdrawiam
