Elektroda.pl
Elektroda.pl
X

Search our partners

Find the latest content on electronic components. Datasheets.com
Elektroda.pl
Please add exception to AdBlock for elektroda.pl.
If you watch the ads, you support portal and users.

Dwa tranzystory BDW83C równolegle

hts 13 May 2005 19:49 4046 20
  • #1
    hts
    Level 15  
    Czy mogę połaczyć dwa darlingtony BDW83C równolegle, tylko z rezystorami na emiterach po 0,1 oma. Bazy bez rezystorów. Wiem że zwykłe tranzystory tak można łaczyć. Ten układ będzie zastosowany w dość sporym zasilaczu.

    Pozdrawiam
  • #2
    User removed account
    Level 1  
  • #3
    pukury
    Level 35  
    witam !! BDW83C są to darlingtony i raczej odradzał bym Ci serdecznie łączenie ich równolegle . z tego co się orientuję takich trn. nie należy tak łączyć . pozdrawiam !!
  • #4
    User removed account
    Level 1  
  • #5
    pukury
    Level 35  
    witam !! co mam liczyć jeśli wzmocnienie tranz. tego typu jest b. różne np . BDW83C około 750? czy opowiadam bajki czy nie to co innego parę zasilaczy zrobiłem - ale jeśli to bajki to powodzenia !! pozdrawiam !!
  • #6
    User removed account
    Level 1  
  • #7
    pukury
    Level 35  
    witam !! ale napisz co liczyć ? ponadto ja już widziałem działanie w praktyce efektu przebicia wtórnego tran. w zasilaczu do lincolna . sprzeczał się nie będę bo mi się nie chce . widzę że jesteś wybitnym specjalistą ja zaś amatorem a więc pozdrawiam !!
  • #8
    User removed account
    Level 1  
  • Helpful post
    #9
    pukury
    Level 35  
    witam !! dziękuję za pouczenie - Jesteś niewątpliwie fachowcem wysokiej klasy - życzę owocnych obliczeń !!! niestety ja nie umiem liczyć i nie posiadam kalkulatora edukację zaś zakończyłem w 7 klasie szkoły podstawowej - obiecuję poprawić się i nie pisać bzdur . i w odróżnieniu od Ciebie nie zawsze muszę mieć rację . pozdrawiam !
  • #10
    hts
    Level 15  
    to moze zastosuję dwa zwykłe, równolegle połaczone tranzystory dużej mocy. Tylko jakie, aby miały porównywalny prąd z BDW83C
  • Helpful post
    #11
    User removed account
    Level 1  
  • Helpful post
    #12
    Mariusz Ch.
    VIP Meritorious for electroda.pl
    Witam.

    Narażę się nemo07,ale osobiście nie podłączyłbym nic do zasilacza, którego stopień mocy zawiera połączone równolegle darlingtony. Powód jest prosty - nie lubię dymu.

    W przypadku dużych prądów wyjściowych budujemy darlington według załączonego schematu.

    Pzdr.
  • Helpful post
    #13
    User removed account
    Level 1  
  • Helpful post
    #14
    Mariusz Ch.
    VIP Meritorious for electroda.pl
    Witam.
    Długo zastanawiałem się nad ripostą (odpowiedzią) i doszedłem do wniosku, że temat jest niezakończony. Niedzieli nie poświęciłem na analizę połączenia propowanego przez nemo07, lecz na przeczytaniu jego wszystkich postow. Wnioski pozostawiam sobie.

    Wracając do tematu. W równoległym połączeniu darlingtonów brak jest istotnego szczegółu - dodatniego temperaturowego sprzężenia zwrotnego. Ten układ jest niestabilny temperaturowo i podatny na przebicia wtórne tranzystorów mocy.

    W układzie połączeń, który zaproponowałem (powszechnie stosowany i opisany w literaturze), tranzystory połączone równolegle można traktować jak pojedynczy tranzystor o dużej powierzchni złącza.

    Przy projektowaniu należy korzystać z MNO (metoda najgorszych okoliczności). W wypadku zasilacza regulowanego z ograniczeniem prądu (nie chodzi o charakterystykę typu foldback) najgorsze warunki pracy tranzystora szeregowego wystąpią w dwóch przypadkach:
    1. Praca normalna z niskim napięciem wyjściowym i maksymalnym prądem obciążenia (np. 2V i 10A przy napięciu wejściowym np35V)
    2. Praca w chwili zwarcia (Uwy=0 I=10A)

    Z tego powodu zalecane jest stosowanie przełączanego napięcia wejściowego w celu zminimalizowania mocy strat.

    Dla tranzystorów bipolarnych,pracujących równolegle, ogrniczeniem obszaru bezpiecznej pracy jest zjawisko wtórnego przebicia. Polega ono na powstawaniu lokalnych gorących punktów , w których temperatura i gęstość prądu mogą rosnąć w nieskończoność.

    Częściowo temu zjawisku zapobiegają rezystory szeregowe włączone w obwód emitera. Dobiera się je tak, aby przy njwiększym prądzie obciążenia spadek napięcia wynosił 0.2-0.3V.

    Przedstawiony układ łączy w sobie właściwości darlingtona i tranzystora o dużym prądzie kolektora.

    cytat:
    "Włącz układ z Re=0.1Ω, obciąż od 1A do max. 10A i sprawdź spadki napięć na obu Re. Jeśli różnica nie przekroczy 10% (a nie powinna!), układ jest OK. "

    Empiryzm (doświadczenie) jest podstawą nauki. W celu osiągnięcia skutecznego efektu proponuję do zasilacza (koszt około 200 zł.) podłączyć niskonapięciowy odbiornik dużej mocy ( np.3V i 10A i koszcie 20000 zł) i efekty nauki zapamiętać. :D


    Reszta to jest "uczta Baltazara"....

    Pzdr. [/b]
  • #15
    User removed account
    Level 1  
  • #16
    Mariusz Ch.
    VIP Meritorious for electroda.pl
    Witam.

    Odpowiedziałem na twoje pytanie. Umiejętność czytania nie polega na poprawnym składaniu literek w wyrazy i zdania, ale trzeba jeszcze rozumieć ich sens. Specjalnie dla ciebie napiszę to jasno:

    Równoległe połączenie darlingtonów jest niestabilne. Powodem tego jest dodatnie sprzężenie temperaturowe.

    Wyeliminować je możesz stosując osobne radiatory dla każdego tranzystora lub posiadasz patent na galwaniczne połączenie baz tranzystorów wewnętrznych.

    Teraz temat uważam za zamknięty.

    Pzdr.

    p.s.
    Faktycznie jest "uczta Baltazara". :D
  • #17
    User removed account
    Level 1  
  • Helpful post
    #18
    darkfenriz
    Level 22  
    hts
    daj 0,22ohma na emiterach i zamknij tym gentelmanom usta tym salomonowym rozwiązaniem. Może nie najlepsze z najlepszych, ale przynajmnej na pewno zadziała i będzie tu spokój.
    pozdrowienia
  • Helpful post
    #19
    _jta_
    Electronics specialist
    Mariusz Ch. wrote:
    Odpowiedziałem na twoje pytanie. Umiejętność czytania nie polega na poprawnym składaniu literek
    w wyrazy i zdania, ale trzeba jeszcze rozumieć ich sens. Specjalnie dla ciebie napiszę to jasno:

    Równoległe połączenie darlingtonów jest niestabilne. Powodem tego jest dodatnie sprzężenie temperaturowe.

    Wyeliminować je możesz stosując osobne radiatory dla każdego tranzystora
    lub posiadasz patent na galwaniczne połączenie baz tranzystorów wewnętrznych.

    Może dobrze byłoby, jakbyś chociaż sam rozumiał sens tego, co piszesz.

    Połączenie baz wewnętrznych tranzystorów mocy poprawiłoby stabilność,
    ale wymagałoby jeszcze włączenia oporników w emitery wewnętrznych
    tranzystorów sterujących - inaczej one byłyby nierówno obciążone.
    W układzie, który zaproponowałeś, można uzyskać poprawę stabilności
    zastępując oporniki baza - emiter opornikami baza - emiter zbiorczy.

    Stosowanie osobnych radiatorów zawsze pogarsza stabilność - w każdym
    razie nie przychodzi mi na myśl żaden układ, w którym byłoby inaczej.

    Darlingtony połączone równolegle rzeczywiście mają gorszą stabilność -
    z grubsza dwukrotnie, o tyle musi być większy stosunek wartości oporników
    w emiterach do oporności cieplnej między złączami tranzystorów.

    Zjawisko wtórnego przebicia raczej nie zależy od połączenia równoległego
    tranzystorów, lecz od wartości pradu i napięcia w konkretnym tranzystorze.
    Przy niskich napięciach łatwiej przekroczyć dopuszczalną moc tranzystora,
    niż spowodować wtórne przebicie, przy wyższych łatwiej o wtórne przebicie.

    nemo07 wrote:
    No, widzę, że to "dodatnie sprzężenie temperaturowe" pozostanie dla mnie niezgłębialnym fenomenem.
    Morał z tego taki, że chyba nie uważałem na lekcjach fizyki.

    Nazwa użyta przez Mariusza raczej nie wyjaśnia, o co mu chodzi, a ilość
    błędów, jakie robi, każe wątpić, czy on cokolwiek rozumie, czy jedynie
    przepisuje przypadkowo wybrane fragmenty zdań - no, wybiera z grubsza
    na temat, zawsze coś, ale już znak sprzężenia jest przypadkowy.

    Przypuszczam, że na lekcjach fizyki tego nie było - nie przypominam sobie,
    żeby temat był choćby na wykładzie z elektroniki na studiach z fizyki, więc
    temat mi wygląda na nieco zaawansowany, i to trochę tłumaczy Mariusza,
    że skoro coś o nim usłyszał, to prawie wszysko poprzekręcał.

    Żeby to jakoś wyprostować: napięcie przewodzącego złącza w półprzewodniku
    zależy od temperatury, z dość dużą dokładnością w taki sposób, że różnica
    tego napięcia, i pewnej stałej, jest proporcjonalna do temperatury bezwzględnej.
    Dla krzemu ta stała jest około 1.24V, napięcie przewodzenia w temperaturze
    pokojowej przy typowych prądach około 0.8V, więc wzrost temperatury z 293K
    o, powiedzmy, 1/4 tej wartości, czyli o 73 stopnie, powoduje spadek napięcia
    przewodzenia złącza o 0.11V; jeśli układ, w którym pracuje tranzystor, działa
    tak, że spadek napięcia emiter-baza powoduje wzrost wydzialanej mocy, to
    mamy dodatnie sprzężenie zwrotne; jeśli ten wrost mocy powoduje wzrost
    temperatury większy, niż ten, który wywołał ten spadek napięcia emiter-baza,
    to "wzmocnienie w pętli" przekracza 1 i układ nie może być stabilny - zwykle
    kończy się to przegrzaniem tranzystora. Teraz pozostaje napisać równanie
    opisujące te zależności dla całego układu i zobaczyć co z tego wychodzi...
    Zasadniczo należy dążyć do tego, by "wzmocnienie w pętli" było znacznie
    mniejsze od 1 - na przykład 0.2, 0.3, więcej to już spore ryzyko.

    Jeśli mamy pojedyńczy tranzystor w stabilizatorze napięcia, to zwykle nie ma
    problemu: układ regulujący napięcie wyjściowe zapewnia, że prąd tranzystora
    nie zmieni się, choćby zmieniło się napięcie emiter-baza - ponieważ zapewnia
    stałość napięcia wyjściowego, a od niego zależy pobór prądu przez układ
    zasilany (jeśli w ogóle zależy - różne bywają układy). Sytuacja staje się inna,
    kiedy mamy dwa tranzystory połączone równolegle: wtedy jeden może się
    trochę ogrzać, drugi ochłodzić, i różnica ich temperatur powoduje różnicę
    prądów, która z kolei powoduje różnicę wydzielanych mocy, i dalszy wzrost
    różnicy temperatur. Jeśli tranzystory te są na wspólnym radiatorze, to wzrost
    temperatury radiatora nie daje wkładu do różnicy prądów tranzystorów - tylko
    różnica między temperaturą złącza, a temperaturą radiatora - dlatego ważne
    jest uzyskanie małej oporności cieplnej złącze-radiator (i do tej oporności
    trzeba wliczać nie tylko oporność cieplną złącze-obudowa, ale i od obudowy
    do wspólnego punktu radiatora - jak tranzystory są na nim daleko, to może
    to dodać sporą oporność cieplną radiatora).

    W przypadku tranzystorów z Darlingtonem wypada jeszcze jedno skorygować:
    to jest kilka różnych możliwych układów; może być tak, że w środku mamy dwa
    tranzystory NPN, i baza tranzystora mocy łączy się z emiterem sterującego -
    wtedy zmiany napięcia emiter-baza będą dwa razy większe, niż dla jednego
    tranzystora; może być tak, że są trzy tranzystory (chyba takich się nie robi, ale
    jakby, to zmiany napięcia byłyby 3 razy większe); a może być tak, że są w nim
    dwa tranzystory o różnych polaryzacjach - na przykład sterujący NPN, jego
    kolektor łączy się z bazą tranzystora mocy, który jest PNP - w takim układzie
    zmiany napięcia emiter-baza są takie same, jak dla pojedyńczego tranzystora.
    Rozróżnić je można raczej dość łatwo: przepuścić prąd przy jakim normalnie
    taki Darlington pracuje, ograniczając prąd bazy opornikiem, i zmierzyć, jakie
    jest napięcie emiter-baza - w tym ostatnim powinno być najwyżej 0.9V.
  • #20
    ankuch
    R.I.P. Meritorious for the elektroda.pl
    A ja uprzedzam Panów: pukury i nemo07 przed dalszą taką wymianą zdań. W przeciwnym razie będą inne konsekwencje.
  • #21
    pukury
    Level 35  
    witam !! ostatni post w tym temacie napisałem 14 05 2005 i od tego czasu - aby uniknąć niepotrzebnych zadrażnień - nie wymieniam zdań i prawdę powiedziawszy nie wiem o co chodzi ! pozdrawiam !!