Elektroda.pl
Elektroda.pl
X
Please add exception to AdBlock for elektroda.pl.
If you watch the ads, you support portal and users.

Reanimacja stopnia końcowego CB PRESIDENT JACKSON IRF520N FQP13N10

Adamcall 11 Feb 2015 19:34 25272 46
  • #31
    User removed account
    Level 1  
  • #33
    User removed account
    Level 1  
  • #34
    Thenatoorat
    Level 13  
    Kiedyś tez miałem problem z tymi tranzystorami (oryginały). Dobrym i tanim rozwiązaniem jest założenie końcówki mocy od Granta. Żeby nie było że gadam pierdoły. Schamt Granta znalazłem w ksiażce "schematy serwisowe" wtedy jeszcze był problem z netem. Okazuje sie że to w miarę podobne radia. Stopień końcowy w Grancie był na innym tranzystorze (cena około 5 zł). Jedynie co to trzeba było, to zamienić miejscami bodajże kolektor z emiterem (ale już dokładnie nie pamiętam).
  • #35
    brendy2
    Level 10  
    Dioda zenera 5V6 jest zabezpieczeniem by napięcie na bramce IRF520 nie przekroczyło tej wartości i żadnej funkcji innej nie spełnia w tym przypadku.
  • #36
    User removed account
    Level 1  
  • #37
    User removed account
    User removed account  
  • #38
    xpascal
    Level 11  
    Stopień mocy w Jacksonie jest wzmacniaczem liniowym i użycie mosfeta przełączającego (a takim jest ten IRF) jest średnim pomysłem przy częstotliwości 28MHz. Owszem transceiver moc będzie oddawał, ale sygnał będzie fatalnej jakości. Dotyczy to nie tylko harmonicznych (te się odsieją na filtrze dolnoprzepustowym), ale także sygnałów blisko sygnału nadawanego. Żeby pokazać jakie mogą być efekty, podam porównanie dwóch wyników pomiaru. Pierwszym z nich jest stopień mocy, w którym ewidentnie popełniono błąd konstrukcyjny lub są problemy z BIASem:
    Reanimacja stopnia końcowego CB PRESIDENT JACKSON IRF520N FQP13N10

    A tak to powinno wyglądać (Yaesu FT1000Mk5):
    Reanimacja stopnia końcowego CB PRESIDENT JACKSON IRF520N FQP13N10

    Nadmienię, że oryginalnie President Jackson nie należy do urządzeń o "czystym" nadajniku (zresztą mało które CB jest "czyste"). Zatem jeśli wymienisz tranzystor na IRFa, którego źle wysterujesz (a dopasowałeś poprawnie obwody?) to otrzymasz właśnie takie efekty jak na pierwszym zdjęciu i będzie to de facto zepsucie nadajnika.
    Tam jest jeszcze jeden ważny problem. Układ z poprzedniej strony ma rzeczywiście źle zrobioną polaryzację bramki, która spowoduje paskudne zakłócenia. Musze poszukać, znalazłem tylko dobre opracowanie na temat poprawy skuteczności, tam też jest opisywany problem IMD. Tutaj jest kolejne opracowanie, moim zdaniem bardzo dobre.

    KONIECZNIE tego Jacksona trzeba zmierzyć na analizatorze. Bo prawdopodobnie zrobiłeś generator zakłóceń.
    Do czego zatem nadaje się taki IRF? Do wzmacniacza mocy w klasie C lub D (telegrafia, FM, RTTY). Tam nadaje się świetnie.
  • #39
    User removed account
    User removed account  
  • #40
    Elektronik223
    Level 18  
    Problematyką wynikającą z niedoróbki schematu jest to, że MOS-FET
    liniowo pracuje w wąskim zakresie polaryzacji bramki.
    * polaryzacja bramki 4.674 [V] +/- 1,2%
    * napięcie stabilizowane 5.1 - 5.6 [V] i do dzielnika napięcia
    w układzie nie zostały zachowane powyższe kluczowe warunki.
    Liniowość punktu jest pływająca.

    Tranzystory typu MOS-FET, w odróżnieniu od Bipolarnych pracują napięciowo.
    napięcie nie powinno przekroczyć sumarycznie Ugs 10(15*) [V]
  • #41
    Elektronik223
    Level 18  
    Przy okazji, zamiast IRF520/IRF520N.
    Sugeruję FQP13N06L.
  • #42
    User removed account
    Level 1  
  • #44
    Freddy
    Level 43  
    KrzysztofS wrote:
    Coś w sieci słabo pod hasłem "FQP13N06L PA" Możesz rozwinąć temat ??
    Pozycja numer 3 w Google.
    Attachments:
  • #45
    Elektronik223
    Level 18  
    Przy okazji eksperymentu, można zamienić miejscami FQP13N10 i IRF520N, z IRF520N powinna zostać oddana większa moc. FQP10N10 w miejscu obecnego IRF520N słabiej stłumi sygnał ze stopnia sterującego.

    Dodano po 25 [minuty]:

    Adamcall wrote:
    kolego pawlik722 poza tym że podskoczył nieznacznie pobór prądu to radio pracuje w stu procentach poprawnie.
    A co do pytania o różnicę w schemacie to sobie porównaj z oryginalnym schematem.


    Z eksperymentów Mitsubishi (RD16HHF1)
    http://www.mitsubishielectric.com/semiconduct...rfdiscrete/siliconrfdiscrete_lv4/rd16hhf1.pdf

    Sugerowane napięcia Gate Source (Ugs) max 4.7 [V] przy Uds 12 [V]
    Jakie napięcie masz w swoim rozwiązaniu na bramce?

    Z uzyciem FQP13N06 konstrukcje PA M0RZF (patrz IRF510)
  • #46
    User removed account
    Level 1  
  • #47
    Elektronik223
    Level 18  
    Od IRF510 mało która, z przytoczonych konstrukcji jest lepszy, można się pokusić, stwierdzając, że są gorsze.

    Jako zamienniki? można eksperymentować, ustalając na nowo parametry dynamiczne układów. Cóż, trzeba policzyć obwody RLC na nowo. uwzględniając parametry dynamiczne zamienników.

    SiHF510, (IRF510) vishay

    dostępne tu:
    https://www.elfaelektronika.pl/elfa3~pl_pl/elfa/init.do?item=71-148-04&hst=1