I znowu zamieszanie?
Padło tu wiele nieprawdziwych stwierdzeń/półprawd itp.
_jta_ wrote: Dla BC337 jest gwarantowane wzmocnienie 100 przy prądzie 100mA i napięciu 1V
Co z tego wynika? - bo przy spadku Uce (do pożądanej niskiej wartości rzędu 0,1V) beta mocno spada. Tak więc przyjęcie tu wartości h21E=100 jest nadużyciem.
Mierzyć betę przy Uce=0,2V? - pewnie że można, ale to kłopotliwe - i po co?
Jeśli amator chce się pobawić - to godne pochwały. Ale to nie jest poprawne projektowanie.
_jta_ wrote: Nota katalogowa BC337 ON Semiconductor na wykresie 4 podaje typowe charakterystyki
Otóż to - typowe. I stosując się do nich można trafić na nietypowy egzemplarz - będzie niespodzianka.
Jedna z zasad projektowania jest aby projektować na najgorszy przypadek - nie na typowy. Inaczej - projektować należy tak, aby układ działał poprawnie niezależnie od parametrów użytych elementów (tu - dla tranzystora - niezależnie od egzemplarza/bety, Ucesat itp). Dla każdego egzemplarza, każdego producenta. I wskazane jest dodać mu "zapas" - na wszelki wypadek (zmiana prądu sterującego/obciążenia/temperatury).
Na ten temat napisano już tak wiele (np. w różnych podręcznikach - odsyłam np. do powszechnie uznanego za autorytet P. Horowitz'a w jego słynnej "Sztuce elektroniki") że trudno to tu wszystko przepisywać, i dziwnym jest że takie mity jak w poście powyżej pokutują nadal wśród zdawałoby się doświadczonych elektroników.
W skrócie:
_jta_ wrote: To, że napięcie nasycenia podaje się przy I_C/I_B=10, jest związane z faktem, że tranzystory różnych typów mogą mieć różne współczynniki wzmocnienia
Również półprawda, bo zasada Ic/Ib=10 obowiązuje dla wszystkich "normalnych" tranzystorów - nie tych o wysokiej becie jak np. BC547, 2SC5706, którym wystarcza Ic/Ib=20-100, wysokonapięciowych - które zwykle potrzebują Ic/Ib=5, darlingtonów - które zwykle potrzebują Ic/Ib=200-500.
Proszę sobie uważnie przejrzeć
http://www.ges.cz/sheets/2/2sc5706.pdf - dlaczego producent podaje Ucesat=f(Ic) dla Ic/Ib=20 i dla Ic/Ib=50? I podobnie podano Ubesat.
To są parametry dla projektanta! - do zastosowania.
Sposób może i restrykcyjny/arbitralny - ale wygodny i bezpieczny, dający pracę klucza w nasyceniu z dala od liniowego zakresu, z bezpiecznym marginesem błędu.
A są również tranzystory, dla których podaje się te wartości dla Ic/Ib=20,50, 80, 100.
_jta_ wrote: ON Semiconductor dla BC547 podaje napięcie nasycenia dla I_C=100mA i I_B=5mA - typowe jest 0.2V, maksymalne 0.6V - więc i ten tranzystor można zastosować i wiadomo, jaki ma być prąd bazy (opornik bazy dla prądu 5mA byłby około 270R - ale to w przybliżeniu, bo ani napięcie emiter-baza, ani napięcie wyjściowe uC nie są dokładnie określone w notach katalogowych). Czyli BC547 też od biedy się nadaje - tylko byłby na nim większy spadek napięcia, niż na BC337, a cena jest praktycznie ta sama.
Taak, ale inna zasada projektowania mówi o tym, aby nie zbliżać się z prądem Ic i mocą Pc do wartości granicznych (Icmax, Pcmax) z powodów bezpieczeństwa. Poza tym zwykle przy Ic>0,5Icmax gwałtownie pogarszają się parametry tranzystora - maleje beta, wzrasta Ucesat itp.
Wartości graniczne tranzystora to wartości wynikające z bezpieczeństwa (gwarancja, że doprowadzenia do łącza nie upalą się, że złącze nie przegrzeje się, czy nie będzie przebite napięciem itp). Co nie oznacza, że można z takimi wartościami pracować - bo to proszenie się o kłopoty.
_jta_ wrote: (opornik bazy dla prądu 5mA byłby około 270R - ale to w przybliżeniu, bo ani napięcie emiter-baza, ani napięcie wyjściowe uC nie są dokładnie określone w notach katalogowych)
Obawiam się, że wartość 270 Ohm jest o wiele za niska - dla każdego BJT małej mocy sterowanego z uC zasilanego 5V i Ib=5mA. A wartości Uwy dla uC i Ube tranzystora są dostępne w datasheet i to ze szczegółami.
Pewnie, można projektować i tak jak sugeruje kol. _jta_ ale to właśnie nie jest poprawne projektowanie tylko zabawa dla amatora, która może sprawić niemiłe niespodzianki.