W odpowiedzi na pytanie autora tematu:
kzarczyn napisał: Ewentualnie Czy jakby dać diodę Zenera około 10V do szeregowo pomiędzy rezystor a bazę tranzystora PNP
można potwierdzić, że jest to rozwiązanie, w jego warunkach, najprostsze.
Można rozważyć dobór wartości napięcia Zennera (np. C8v2), jak również dodatkowy rezystor między bazą tranzystora pnp i 12V, za diodą.
Odnośnie schematu przedstawionego w poscie #1, uzupełniam wyjaśnieniem post #10.
Zwróciłem uwagę na dogodność, która występuje w przypadku usytuowania cewki (a więc obciążenia typu L;R) w obwodzie emitera.
Tak się składa, że przy odsterowaniu tranzystora (wtórnika emiterowego), występująca SEM samoindukcji na cewce, zmienia potencjał E, polaryzuje złącze BE, "wciągając" tranzystor w stan przewodzenia i gaszenie prądu odbywa się w obwodzie głównym EC.
Zupełnie inną sytuację stwarza odsterowanie tranzystora z cewką w obwodze kolektora, bo z uwagi na perspektywę niszczącego dla tranzystora przepięcia, wymaga stosowania układu tłumiącego przepięcie. Powszechnie stosuje się diodę zwrotną, ale można inaczej.
Podsumowując w/w , diodę zwrotną równolegle z cewką w obwodzie emitera stosować możesz, ale bez niej, można pracować a proces wyłączania (zaniku prądu) przebiega szybciej (niż w układzie L;R zwieranym diodą).
Fakt ten wykorzystałem kiedyś przy badaniach maksymalnych częstotliwości łączeń kontaktronów miniaturowych (jako złącze zwierne próżniowe), sterując tranzystor w układzie wtórnika emiterowego z cewką przekaźnika w emiterze (bez diody zwrotnej), uzyskując kilka tys. łączeń na sek.
Problem sygnalizowałem w poscie #10, ale już w #11, niezrozumienie, brak dokładniejszej analizy układu, zmusiło mnie do niniejszych wyjaśnień.
Autorowi tematu proponuję, przy okazji pomysłu z diodami Zennera, przypomnieć i spojrzeć na nieidealne obszary charakterystyk diod (zal. rys.)
0
