logo elektroda
logo elektroda
X
logo elektroda
REKLAMA
REKLAMA
Adblock/uBlockOrigin/AdGuard mogą powodować znikanie niektórych postów z powodu nowej reguły.

Wybór MOSFET do przycisku i zabezpieczenia ogniw Li-ion, 200W, 3V progowe

troooo341 25 Lut 2016 14:40 4257 4
REKLAMA
  • #1 15469868
    troooo341
    Poziom 8  
    Witam potrzebuje tranzystora który wykorzystam jako przycisk(schemat). Też chciałbym się upewnić czy jeśli napięcie progowe=3v to zadziała również jako zabezpieczenie ogniw. Tranzystor musi wytrzymać duży prąd oraz moc dobrze jakby moc maksymalna oscylowała w granicach 200w. Jako źródło napięcia zastosuje ogniwa li-ion. Fajnie jakby na jednej stronie były też przyciski zwierne monostabline oraz ceny tranzystora oraz przycisku nie za wysokie.

    Dodano po 1 [minuty]:

    Wybór MOSFET do przycisku i zabezpieczenia ogniw Li-ion, 200W, 3V progowe
  • REKLAMA
  • #2 15469927
    jarek_lnx
    Poziom 43  
    Cytat:
    Też chciałbym się upewnić czy jeśli napięcie progowe=3v to zadziała również jako zabezpieczenie ogniw.
    Ze spadającym napięciem tranzystor bedzie coraz słabiej przewodził aż...
    się spali- nie mozna dopuscić do tego aby tranzystor uzywany jako klucz wszedł w obszar pracy liniowej bo to wiąże sie z duzymi stratami mocy.
    A co do napięcia progowego Vgs(th) to producenci je okreslają przy znikomo małym prądzie drenu, w praktycznych aplikacjach napięcie musi być znaczaco wyższe od Vgs(th).


    Cytat:
    Tranzystor musi wytrzymać duży prąd oraz moc dobrze jakby moc maksymalna oscylowała w granicach 200w.
    Tranzystor musi wytrzymać duży prad, tylko co to znaczy duzy? podaj konkrety, jaki największy prąd, przy jakim najniższym Ugs - najgorsze warunki pracy, to trzeba wiedzieć żeby cokolwiek wybierać, No i musisz wiedzieć czy masz miejsce na niewielki radiator, czy musi sie obyć bez.
    Moc pobierana przez obciażnie to zupełnie inna moc niż moc tracona w tranzystorze (tą chcemy zminimalizować) więc nie patrz na katalogowe waty.

    Zabezpieczenie przed nadmiernym rozładowaniem trzeba zrobić niezależne np uzależniając podanie napiecia na bramkę od napięcia ogniw, mozna to zrobić na TL431, tranzystorze i kilku rezystorach.
  • REKLAMA
  • #3 15469987
    troooo341
    Poziom 8  
    Powiem, tranzystor ma pracować na napięciu 3,4-4,2V prąd jaki ma przenieść to około 25A

    Dodano po 19 [minuty]:

    Dobierze mi ktoś jakis do tych parametrów?
  • REKLAMA
  • #4 15470228
    jarek_lnx
    Poziom 43  
    Użyłem wyszukiwarki na stronie sklepu - TME,
    kilka sekund i znalazłem np:
    BSC009NE2LS5
    Dobry bo ma wystarczająco szczegółową notę katalogową żeby określić Rds(on) przy 3,2V jest to 1,4mΩ co oznacza że przy 25A wydzieli sie ok 1W z czym ten tranzystor da sobie radę bez radiatora, (ale z niedużym polem miedzi pod drenem na płytce).
    Niestety stan magazynowy w tme 0, w Farnellu są ale znowu farnel tylko firmom sprzedaje jesli dobrze pamiętam.
    Ten tranzystor moze być kłopotliwy bo ma obudowę SMD więc nie nadaje się do bezpośredniego lutowania "drutów", ale może znajdziesz coś o podobnych parametrach (głównie Rds(on) przy niskim napięciu)

    Czy w duzym sklepie takim jak TME nie ma tranzystorów logic-level o Rds(on) rzędu pojedynczych mΩ określonym dla 3,2V najlepiej w obudowie THT? Wyszukiwarka pokazuje że nie ma, ale moze to być nieprawda, bo dane z datasheetów do bazy danych prepisują idioci i w polu "napięcie bramka-źródło" za każdym razem wpisują inny parametr (maksymalne, progowe itd) a przeglądanie tranzystorów które "prawdopodobnie są tym czego szukam" to zazwyczaj kilkanaście-dziesiąt datasheetów a to za duzo roboty żebym na forum na to czas tracił.
  • #5 15470242
    troooo341
    Poziom 8  
    Sproboje w okolicznych sklepach z elektroniką
REKLAMA