Elektroda.pl
Elektroda.pl
X
Proszę, dodaj wyjątek www.elektroda.pl do Adblock.
Dzięki temu, że oglądasz reklamy, wspierasz portal i użytkowników.

Attiny13a - Podłączenie MOSFET'a typu P. Rezystory.

aplov 12 Cze 2016 00:47 1611 11
  • #1 12 Cze 2016 00:47
    aplov
    Poziom 6  

    Witam,

    chce podłączyć tranzystor MOSFET typu P do attiny13.
    Jest problem z rezystorem PULL-UP podciągniętego do napięcia +12V.

    Nie wiem jakie powinienem wykonać obliczenia do obliczenia wartości rezystora R1
    widocznego na schemacie.

    Chce, aby napięcie na pinie PB3 nie przekroczyło wartości 3,3V

    Attiny13a - Podłączenie MOSFET'a typu P. Rezystory.

    0 11
  • Pomocny post
    #2 12 Cze 2016 01:34
    2675900
    Użytkownik usunął konto  
  • Pomocny post
    #3 12 Cze 2016 07:39
    M. S.
    Poziom 34  

    Procek nie wyłączy nigdy mosfeta. Stan wysoki na uC spowoduje utrzymywanie się na jego bramce sporego napięcia (ujemnego względem źródła).
    Trzeba, jak kolega wcześniej napisał, zastosować tranzystor NPN, bazę przez rezystor podłączyć do nóżki uC, emiter do masy, kolektor do zasilania 12V przez rezystor, a bramkę mosfeta podłączyć do kolektora NPN.

    0
  • Pomocny post
    #4 12 Cze 2016 09:22
    tmf
    Moderator Mikrokontrolery Projektowanie

    Albo, jeśli to możliwe, prościej zastosować MOSFET z kanałem N, z bramką logic level.

    0
  • #5 12 Cze 2016 11:06
    aplov
    Poziom 6  

    W takim razie układ powinien wyglądać tak: ?

    Attiny13a - Podłączenie MOSFET'a typu P. Rezystory.

    Nadal nie bardzo rozumiem zasady działania. MOSFET-N powoduje podłączenie takiej samej masy, jak z pinu uC,
    jedyne czym się będą różniły to wydajnością prądową. Czy źle myślę ?

    M. S. napisał:
    Procek nie wyłączy nigdy mosfeta. Stan wysoki na uC spowoduje utrzymywanie się na jego bramce sporego napięcia (ujemnego względem źródła).

    Czyli jeśli uC byłby teoretycznie wystanie dać na pin +12V to mógłbym bezpośrednio podłączyć tranzystor ?

    0
  • Pomocny post
    #6 12 Cze 2016 12:10
    tmf
    Moderator Mikrokontrolery Projektowanie

    @aplov Schemat jest ok, jeśli chcesz zastosować dwa MOSFETy (chociaż zwykle jako pierwszy tranzystor stosuje się tranzystor bipolarny), rezystor na bramce powinien mieć małą wartość - 50-100 omów, rezystor do masy może mieć 100k, jego funkcją jest wyłącznie blokowanie MOSFETa, w czasie, gdy MCU jest w resecie, lub nie przełączył jeszcze portu IO na wyjście. Niemniej proponując ci użycie MOSFET z kanałem N miałem na myśli samodzielne sterowanie jednym tranzystorem układu wyjściowego. W takim układzie zamiast podawać 12V podajesz mu masę - nie zawsze takie sterowanie jest możliwe, ale nie napisałeś czym chcesz sterować.
    Odpowiadając na twoje pytanie - tak, gdyby MCU mógł dawać na wyjściu 12V to mógłbyś P-MOSFETem sterować bezpośrednio. Ponieważ nie możesz uzyskać takiego napięcia, potrzebny jest pośrednik w postaci dodatkowego tranzystora. Jeśli masz więcej tranzystorów do wysterowania to możesz użyć scalaka - bufora z wyjściem OC - są wersje wytrzymujące napięcie do 30V.

    0
  • #7 12 Cze 2016 12:12
    94075
    Użytkownik usunął konto  
  • #8 12 Cze 2016 14:00
    aplov
    Poziom 6  

    @albertb Prąd będzie wynosił ~2.5A, częstotliwość przełączania będzie mała, będę chciał tylko obracać silnikiem DC w obie strony, stąd potrzebuje zbudować 2 mostki H.

    Mam jeszcze pytanie:
    Aby MOSFET-P "podawał" zasilanie to na bramce musi być masa, w takim razie, czym różni się masa podawana z MOSFET'a-N od pinu masy z MCU.
    Wydaje mi się, że powinny być one na takim samym poziomie skoro zasilanie MCU podaje przez stabilizator na 3,3V

    Podając masę oraz 3,3V przez MCU na MOSFET-P, podawał on napięcie.
    Czyli podając 3,3V różnica potencjału wniosła 8,7V, i przez to potencjał jest za mały aby zapchać bramkę, dobrze myślę ?

    0
  • #9 12 Cze 2016 14:22
    tmf
    Moderator Mikrokontrolery Projektowanie

    Nie do końca. Dla P-MOSFET, napięcie brami w stanie zamknięcia jest równe napięciu źródła. Aby otworzyć tranzystor musisz dać napięcie na bramce poniżej napięcia źródła. I tu pojawia się problem. MCU może dawać max 5V, a więc Vgs zawsze wynosi co najmniej 12-5=7V. A więc tranzystor zawsze byłby otwarty. Stąd potrzebny jest dodatkowy stopień, który umożliwi sterowanie bramką.
    A do tego co chcesz zrobić, zamiast bawić się w niepewne układy, kup sterownik a3959 - gotowe moduły kosztują kilka złowych (na aliexpress), podłączasz i zapominasz o problemach. Wydajność do 3A + gotowe thermal protection, kontrola prądu, sterowanie PWM i kilka innych bajerów.

    Dodano po 1 [minuty]:

    @albertb Ten a3959 to dobry przykład na naszą dyskusję o frameworkach :) Po co robić na elementach dyskretnych, skoro jest supergotowiec.

    0
  • #10 12 Cze 2016 14:27
    aplov
    Poziom 6  

    @rmf

    Mi tu bardziej chodzi o naukę, ja chcę zbudować od podstaw, aby dokładnie zrozumieć zasadę działania danego układu.

    A jeśliby ustawiać stan niski na pinie MCU, który by rozładowywał bramkę, a później ten sam pin ustawić w stan wysokiej impedancji to, rezystor pull-up mógłby podać 12V na bramkę zamykając tranzystor, czy tu też błędnie rozumuje ?

    0
  • Pomocny post
    #11 12 Cze 2016 14:32
    tmf
    Moderator Mikrokontrolery Projektowanie

    Nie będzie w stanie wymusić napięcia wyższego niż ok. 5+0,6V. Pin IO ma zabezpieczenie w postaci diody, która przy wyższym napięciu zaczyna przewodzić, zwierając wyjście do Vcc. Z kolei gdyby jej nie było to byś upalił port IO. Dlatego jak widzisz jakaś separacja musi być wprowadzona.

    0
  • #12 12 Cze 2016 14:41
    aplov
    Poziom 6  

    Teraz wszystko jasne :) dziękuje za pomoc.

    0