Elektroda.pl
Elektroda.pl
X
Proszę, dodaj wyjątek www.elektroda.pl do Adblock.
Dzięki temu, że oglądasz reklamy, wspierasz portal i użytkowników.

Kości SDR SDRAM o pojemności 512 Mbit dla aplikacji w systemach mobilnych

ghost666 10 Paź 2016 14:27 987 0
  • Kości SDR SDRAM o pojemności 512 Mbit dla aplikacji w systemach mobilnych
    Firma Alliance Memory zaprezentowała dwa nowe układy pamięci synchronicznej DRAM zbudowane w technologii CMOS. Układy te zostały zaprojektowane pod kątem aplikacji w systemach mobilnych - zasilane są one niższym napięciem (1,8 V) i pobierają mniej prądu niż inne podobne kości RAM. Dwie nowe kości - AS4C32M16MS oraz AS4C16M32MS - charakteryzują się pojemnością 512 Mb i niezwykle małą obudową: produkowane są w obudowach FPBGA o wymiarach 8 mm x 9 mm przy 54 kulkach oraz 8 mm x 13 mm przy 90 kulkach.

    Projektanci dzisiejszych urządzeń mobilnych stoją przed wyzwaniem projektowania coraz wydajniejszych układów, zajmujących coraz mniej miejsca i zużywających coraz mniej mocy. Aby sprostać tym wymaganiom Alliance Memory wypuściło nową serię pamięci MSDR z zaimplementowanym algorytmem odświeżania skompensowanego termicznie - pozwala to zmniejszyć częstotliwość odświeżania pamięci, gdy układ ma niższą temperaturę, co w konsekwencji pozwala na zmniejszenie poboru prądu. Dodatkowo, dzięki implementacji algorytmu częściowego odświeżania danych, jedynie krytyczna część pamięci RAM jest podtrzymywana, co pozwala dalej zaoszczędzić prąd. Aby pójść jeszcze dalej w trybie głębokiego uśpienia układu dane nie są odświeżane (gdy nie ma takiej potrzeby dla działania urządzenia).

    "Wraz z rozwojem smartfonów i tabletów urządzenia te stają się coraz bardziej wszechobecne; użytkownicy tych systemów wykorzystują je nie tylko do przeglądania stron www,, ale także np. dokonując zakupów czy korzystając z aplikacji" mówi David Bagby, CEO Alliance Memory. "Zmiana sposobu wykorzystania tych urządzeń sprawiła, że coraz ważniejsze jest wydłużanie czasu pracy na baterii, a redukcja zużycia mocy przez pamięci DRAM ma ogromny wpływ na ten czynnik. Nasze nowe SDR SDRAMy dostarczają właśnie takich niskich poborów mocy przy jednoczesnej miniaturyzacji samego układu, dedykowanego do montażu w systemach o ograniczonych wymiarach" dodaje Bagby.

    Wraz ze zmniejszającą się liczbą dostawców pamięci SDR SDRAM, Alliance Memory stara się oferować projektantom nowe źródło pamięci DRAM, które szybko uaktualniane jest o modele o coraz mniejszym poborze energii. Nowe układy AS4C32M16MS i AS4C16M32MS zapewniają nowe zamienniki z kompatybilnymi wyprowadzeniami, dla szeregu kości obecnych na rynku, używanych szeroko w urządzeniach przenośnych, sprzęcie medycznym, telekomunikacyjnym i sieciowym. Charakteryzują się one wysokimi parametrami, odnośnie prędkości pracy, niezawodności itp.





    Kości AS4C32M16MS i AS4C16M32MS są wewnętrznie skonfigurowane, odpowiednio, jako 4 banki po 8 Mbit x 16 oraz jako 4 banki po 4 Mbit x 32. Układy te pracują z prędkością zegara do 166 MHz. Układy zostały zoptymalizowane do pracy w rozszerzonym zakresie temperatur (od -25 °C do +85 °C) lub do pracy w pełnym zakresie przemysłowym (od 40 °C do +85 °C). Układy produkowane są w technologii bezołowiowej i są wolne od halogenków.

    Pamięci MSDR oferują w pełni synchroniczną pracę, a także programowalny odczyt i zapis w trybie burst o długości 1, 2, 4 lub 8 bitów. Automatyczna funkcja ładowania zapewnia samodzielne ładowanie poszczególnych rzędów w odpowiednim momencie na zakończenie sekwencji w trybie burst.


    Nazwa elementuKonfiguracja pamięciMaksymalna częstotliwość zegaraObudowaZakres temperatur pracy
    AS4C32M16MS-7BCN32M x 16 bit133 MHz54-kulkowa FPBGA-25 °C to +85 °C
    AS4C32M16MS-7BCNTR*32M x 16 bit133 MHz54-kulkowa FPBGA-25 °C to +85 °C
    AS4C32M16MS-6BIN32M x 16 bit166 MHz54-kulkowa FPBGA-40 °C to +85 °C
    AS4C32M16MS-6BINTR*32M x 16 bit166 MHz54-kulkowa FPBGA-40 °C to +85 °C
    AS4C16M32MS-7BCN16M x 32 bit133 MHz90-kulkowa FPBGA-25 °C to +85 °C
    AS4C16M32MS-7BCNTR*16M x 32 bit133 MHz90-kulkowa FPBGA-25 °C to +85 °C
    AS4C16M32MS-6BIN16M x 32 bit166 MHz90-kulkowa FPBGA-40 °C to +85 °C
    AS4C16M32MS-6BINTR*16M x 32 bit166 MHz90-kulkowa  FPBGA-40 °C to +85 °C


    Źrodło: https://www.eeweb.com/news/512-mb-mobile-sdr-sdrams

  Szukaj w 5mln produktów