Elektroda.pl
Elektroda.pl
X
Elektroda.pl
Please add exception to AdBlock for elektroda.pl.
If you watch the ads, you support portal and users.

Tranzystor n mosfet jak dobierać

01 Nov 2016 22:00 1899 9
  • Level 3  
    czyli rezystor dobieramy do timera 555 a nie do tranzystora tak to rozumiem
  • Level 15  
    Witam kolego
    Czy uczysz się na profilu technik elektronik? Czytałeś jaką kol wiek książkę o działaniu, a później budowie prostych układów z wykorzystaniem półprzewodników?
    Na początek powiem Ci tylko tyle, że rezystor R2 o wartości 47 Omów służy do ograniczenia prądu bramki ( w tranzystorach typu FET prąd ten przyjmuje wartości najczęściej rzędu nA [ nano Ampery ] ).

    Pozdrawiam
  • Helpful post
    Level 33  
    Taka sytuacja ma miejsce w przypadku wysterowania tranzystora prądem stałym. Wtedy nie miałoby praktycznie większego znaczenia, czy miałby 47Ω czy 47kΩ. W tym konkretnym przypadku, występuje efekt ładowania i rozładowania kondensatora, którym jest sam tranzystor. Przy odpowiednio wysokiej częstotliwości wartość tego prądu znacząco rośnie. Rezystor jest przeszkodą w wysterowaniu tranzystora z odpowiednio dużą częstotliwością a jednocześnie chroni bramkę przed zbyt dużymi prądami.
    Żeby naukowo podejść do tematu, trzeba znać max. prąd bramki, pojemność bramki i wyliczyć reaktancję pojemnościową dla max częstotliwości. Potem z podwojonego napięcia wysterowania, stosując prawo oma można wyliczyć wartość tego rezystora dla max. wartości prądu bramki. Trzeba też przyjąć jakiś margines bezpieczeństwa.
  • Helpful post
    Level 22  
    W tym konkretnym przypadku, chodzi o to, ze maksymalny prad wyjscia 3 timera 555 wynosi ok 200 mA. Dane z noty katalogowej. Mosfet powinno sie przelaczac jak najszybciej, czyli jak najwiekszym pradem. W tym wypadku ladujemy pojemnosc bramki mosfeta (warunki poczatkowe) pradem 12V/47Ω = 255mA. Czyli dzialamy na granicy mozliwosci NE555. Na szczescie ten prad trwa bardzo krotko. Tu nie chodzi o ochrone bramki mosfeta, tylko o ochrone NE555.
  • Helpful post
    Level 43  
    Najważniejsze parametry mosfeta:
    -napięcie - musisz dobrać z niewielkim zapasem żeby tranzystor nie uległ przebiciu
    -rezystancja w stanie włączenia - decyduje o stratach mocy (P=I^2*Rds(on)) a wiec o maksymalnym prądzie.

    Ważne są też warunki chłodzenia i obudowa, ja stosuje taką zasadę jeśli się da dobieram Rds(on) tak aby straty mocy były poniżej 1W (dla TO-220) wtedy można pracować bez radiatora, a jeśli tak sie nie da albo tranzystory były by zbyt kosztowne to projektuję wersje z radiatorem dopuszczając wyższe straty mocy.
  • Helpful post
    Moderator of Designing
    W praktyce otwierasz notę katalogową mosfet, patrzysz na wszystkie parametry w niej zawarte, otwierasz jakąś notę katalogową, która opisuje wszystkie te parametry i porównujesz/obliczasz do swojego projektu.

    Na pewno ważnym parametrem jest maksymalny prąd ciągły, rozproszenie mocy (przy idealnym radiatorze), czas załączenia i wyłączenia tranzystora, napięcie maksymalne miedzy drenem a źródłem, pojemność bramka-źródło, rezystancja złącza przy załączeniu (ale niestety moc strat na komutacjach jest większa niż wynikało by z tej rezystancji), rezystancja termiczna złącze-obudowa (by dobrać optymalnie radiator).
  • Helpful post
    Level 39  
    Witam,
    szeregowe rezystory w bramkach tranzystorów mosfet stosuje się głównie dla uniknięcia pasożytniczych zjawisk związanych z pracą tranzystorów w układach przełączających.
    Tranzystory mosfet są "same z siebie" elementami o bardzo krótkich czasach przełączania, ma to zarówno plusy dodatnie jak i ujemne, jak mawiał klasyk.
    Z jednej strony (dla ustalonej częstotliwości pracy) im krótsze czasy przełączania, tym mniejsze dynamiczne straty mocy w tranzystorze.
    Z drugiej strony, zbyt krótkie czasy przełączania powodują ujawnianie się niekorzystnych zjawisk, związanych głównie z pasożytniczymi indukcyjnościami w układzie, które po pierwsze gromadzą energię, po drugie w połączeniu z pasożytniczymi pojemnościami tworzą obwody LC o (zazwyczaj) dużych częstotliwościach rezonansowych. Energia zgromadzona w pasożytniczych elementach układu uwalnia się w oscylacjach w tych obwodach, czyli w postaci zakłóceń. Szeregowy rezystor w bramce spowalnia tranzystor więc poziom zakłóceń maleje.
    Ponadto, w obwodzie sterowania bramki może również powstać pasożytniczy obwód rezonansowy, wtrącenie rezystora (stratności) powoduje pogorszenie dobroci tego obwodu i tłumienie ewentualnych oscylacji. Czasami stosowane są perełki ferrytowe (również stratność dla określonych częstotliwości), czasami kombinacja rezystor - perełka ferrytowa.
    Ogólnie, dobór takiego rezystora (co do zasady) nie jest sprawą prostą. Najlepiej uprzednio zapoznać się z teorią działania tranzystorów mosfet, ze szczególnym uwzględnieniem zjawisk związanych z pracą w układach impulsowych.
    Czasami, w układach o niezbyt wyśrubowanych parametrach dobiera się takie rezystory arbitralnie, następnie sprawdza się działanie układu i dokonuje ewentualnej korekty.

    Pozdrawiam
  • Level 3  
    witam chciałbym zrobić taki sterownik tylko zamiast buz11 wstawić inny tranzystor bo akurat taki mam gw39nc60vd jaki powinien być rezystor przed tranzystorem tym za odpowiedzi dziekuje
  • Level 43  
    IGBT, przy tak niskich napięciach zasilania, jest kiepskim rozwiązaniem, bo stracisz na nim 2V i będzie wymagał większego radiatora przy dużych prądach.