Elektroda.pl
Elektroda.pl
X
Proszę, dodaj wyjątek dla www.elektroda.pl do Adblock.
Dzięki temu, że oglądasz reklamy, wspierasz portal i użytkowników.

TSMC, Globalfoundries i Samsung - bitwa o 7 nm

ghost666 07 Lis 2016 10:09 1758 0
  • TSMC, Globalfoundries i Samsung - bitwa o 7 nm
    Wyścig o opracowanie procesu technologicznego dla układów 7 nm trwa. Ścigają się tutaj głównie TSMC oraz konsorcjum złożone z IBMa, Samsunga u Globalfoundries (GF). Firmy zamierzają wykorzystać litografię w ekstremalnym UV (EUV - światło ultrafioletowe o długości fali ok 13 nm), ale z komercjalizacja tej technologii TSMC radzi sobie o wiele lepiej. Jak twierdzi Samsung i GF, korzystając z EUV mogą oni "dostarczyć najwyższej rozdzielczości w trawieniu krzemu (44/48 nm) i masek do metalizacji (36 nm) dla technologii FinFET".

    Proponowane rozdzielczości nowego procesu są wyższe niż 56 nm wielkości bramki, jakie ogłosił Intel dla swojego procesu 10 nm, który ma być najnowocześniejszy w przemyśle i pozwolić na osiągnięcie bardzo wysokiej gęstości upakowania elementów w układzie scalonym. Intel zamierza rozpocząć produkcję takich układów w przyszłym roku. Analitycy sugerują, że TSMC i Samsung mogą uruchomić technologię 7 nm szybciej niż Intel swoje 10 nm.

    Na konferencji International Electron Devices Meeting (IEDM) w San Francisco, TSMC jak i GF/Samsung prezentować będą swoje najnowsze osiągnięcia. TSMC ma zamiar przedstawić testową komórkę pamięci SRAM wykonaną w technologii 7 nm. Komórka ma wymiary jedynie 0,027 µm² i jest najmniejszą komórką SRAM jaka została dotychczas zaprezentowana. Doskonale prezentuje ona zalety nowej technologii 7 nm. Jak donosi TSMC, SRAM działa z zasilaniem już od 0,5 V, a w porównaniu z komercyjną technologią 16 nm FinFET dostarcza 35..40% większą wydajność, zmniejszenie poboru mocy o 65% i trzykrotnie większą gęstość upakowania.

    Samsung i GF nie podały jeszcze informacji, jakie technologie będą prezentowane na IEDM. Dotychczasowo wiadomo jedynie, że Samsung, po wprowadzeniu do produkcji immersyjnej litografii 10 nm zamierza skupić się na EUV 7 nm i uruchomić produkcję do końca 2018 roku.

    GF i Samsung zamierzają zastosować nietypową technologię w swoich układach 7 nm, opierającą się na inżynierii naprężeń w materiale, aby przyspieszyć działanie układów. Będzie to układ hybrydowy, składający się z elementów NMOS poddanych naprężeniom rozciągającym i elementów PMOS wykonanych z SiGe (stop krzemu i germanu) poddanych naprężeniom ściskającym. Wykorzystanie takiej architektury pozwoli na zwiększenie prądu sterującego bramkami w układach od 11% do 20%.

    Niezależnie od współpracy w Samsungiem, we wrześniu Globalfoundries podawało, że opracowało własną technologię immersyjnej litografii 7 nm, która wejść ma na produkcję w 2018 roku. Mimo to GF współpracuje z Samsungiem, aby opracować EUV 7 nm, które zaoferować może gęstość upakowania bramek na poziomie 17 milionów bramek na milimetr kwadratowy.

    GF/Samsung nie jest jedyną firmą, która korzysta z naprężeń w układzie, aby poprawić jego charakterystyki. TSMC, jak opisuje w swojej dokumentacji, wykorzystuje proces epitaksji, który generuje naprężenie w kanale tranzystora, aby zredukować pasożytnicze elementy w jego otoczeniu.

    Stawka w tym wyścigu jest bardzo wysoka, bo pozwoli na wyłonienie firmy oferującej najnowocześniejsze rozwiązania w przemyśle. Jak donosi IC Insights, całkowite dochody wytwórców struktur krzemowych wzrosną w tym roku o 8% do ponad 54 miliardów dolarów. Jak szacuje International Business Strategies około 2,2 million podłóż 10 nm i 7 nm zostanie sprzedanych do 2025, co przy średniej cenie jednego podłoża równej około 8 tysiącom USD daje rynek wart ponad 17,5 miliardów dolarów.

    Źródła:
    https://www.extremetech.com/computing/221532-tsmc-will-begin-10nm-production-this-year-claims-5nm-by-2020
    http://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1330657&

    Fajne! Ranking DIY
    Darmowe szkolenie: Ethernet w przemyśle dziś i jutro. Zarejestruj się za darmo.
    O autorze
    ghost666
    Tłumacz Redaktor
    Offline 
    Fizyk z wykształcenia. Po zrobieniu doktoratu i dwóch latach pracy na uczelni, przeszedł do sektora prywatnego, gdzie zajmuje się projektowaniem urządzeń elektronicznych i programowaniem. Od 2003 roku na forum Elektroda.pl, od 2008 roku członek zespołu redakcyjnego.
    ghost666 napisał 9769 postów o ocenie 7952, pomógł 157 razy. Mieszka w mieście Warszawa. Jest z nami od 2003 roku.