Rozumiem, że mówisz o zamienniku dla IPA60R190E6.
Hmm, nie wiem co on dokładnie robi w obwodzie, w którym się znajduje, ale podany przez Ciebie tranzystor ma dwukrotnie większe RdsON (rezystancję w stanie przewodzenia), czyli może się bardziej grzać, oraz co ważniejsze ma niższy dopuszczalny prąd Id=11A zamiast 20.2A w oryginale. Napięcia Vds i Vgs są ok, Vgs(th) takie same, dv/dt też, czyli zamiennik nie byłby wolniejszy i zaczyna się załączać od tego samego poziomu napięcia na bramce.
Tylko co ważne, znając praktykę maksymalnego ścinania kosztów przy masowej produkcji elektroniki, to jeśli jest tam tranzystor o danym prądzie, to raczej nie przez przypadek. Bo gdyby mógłby być połowę mniejszy, kilka centów tańszy, to taki by z pewnością dali

Przy mniejszych seriach częściej zdarzają się armaty na muchę, przy masówce każdy cent się liczy, bo jak przemnożysz go przez milion egzemplarzy, to powstaje duża różnica w kosztach produkcji.
Teraz już w sumie wiesz na które parametry najbardziej patrzeć. Jeszcze warto spojrzeć na kolejność pinów, bo czasem można się zdziwić
Ten tranzystor może być ciężko zastąpić byle gumowcem z półki, bo ma naprawdę dobre parametry.
Natomiast ta Toshiba, to jakiś taki gumiak właśnie i to zastąpić będzie dużo łatwiej.