Elektroda.pl
Elektroda.pl
X

Search our partners

Find the latest content on electronic components. Datasheets.com
Elektroda.pl
SterControlSterControl
Please add exception to AdBlock for elektroda.pl.
If you watch the ads, you support portal and users.

Spawarka inwertorowa własnej roboty

Łukasz.K 12 Apr 2017 10:04 6570 58
  • #31
    _lazor_
    Moderator of Designing
    Maciek_C efekt millera na bramkach wygląda tak:
    Spawarka inwertorowa własnej roboty
    Więc, nie wygląda to jak dołek a jak schodek czyli plateau - płaskowyż.

    Przedewszystkim efekt millera zależy od napięcia między drenem a źródłem (dla mosfetów) a to co opisujesz przy dużych rezystancjach bramkowych to efekt ładowania się pojemności Cdg i Cgs przy dużych dU/dt, co skutkuje wzrostem napięcia na bramce do wartości jej otwarcia.
    przykład takiego pasożytniczego naładowania się pojemności bramki:
    Spawarka inwertorowa własnej roboty
  • SterControlSterControl
  • #32
    Maciek_C
    Level 13  
    Nie jestem specem w tej dziedzinie ale wydaje mi się, że to co napisałeś kolego lazor nie przeczy temu, co ja napisałem. Efekt Millera to, przynajmniej według źródeł, które ja znam i które wskazałem powyżej, w dużym uproszczeniu sprzęg między Uce a Uge przez pojemności Cgc. By pokonać wpływ Uce na Uge przez Cgc musimy zapewnić duży zapas prądowy bramce, by zdążył przeładować pojemność. Jeśli tego nie zapewnimy (czyli wtrącimy dodatkową rezystancję), efekt Millera stanie się dominujący, bo nie damy rady przeładować pojemności.

    Dobrze to interpretuję?

    Co do pomiarów,to ja też kiedyś takie robiłem (poniżej przebiegi dla MOSFET):
    Spawarka inwertorowa własnej roboty
    i u mnie jakiś tam dołek wyszedł, choć czasami, w zależności od warunków pracy tranzystora, był on mniejszy, większy, lub nie było go wcale.
    Mam pełną świadomość, że w rzeczywistości nie będzie to taki kształt jak we wspomnianym wcześniej rys. 3. autora , jednak mniemam, że autor specjalnie przesadził ze skalą zjawiska, by podkreślić o co chodzi. Wszak rysunek rysowany był w Paincie.
  • #33
    Łukasz.K
    Level 26  
    No, to jest mniej więcej taki przebieg jak kolega przedstawił na rysunku (gdy się steruje IGBT z drivera w układzie darlingtona) bo normalnie to jeszcze w tym dołku są oscylacje. Moim zdaniem to nie jest kwestia rezystancji bo ja mam rezystory na bramkach 2.4 ohm i jest to samo, bo jak damy mniejsze rezystory to jest większe dU/dt i wychodzi mniej więcej na to samo. Tu moim zdaniem bardziej chodzi o spadek bety tranzystora sterującego (drivera) przy gwałtownym wzroście wartości napięcia na jego bazie, bo jak dałem układ darlingtona to kształt przebiegu się nieco poprawił w sensie że jest dołek 50ns ale nie ma oscylacji przez 200ns.
  • #34
    jarek_lnx
    Level 43  
    Maciek_C wrote:
    Ja nie napisałem o wyłączeniu załączonego tranzystora, tylko opisałem, czemu powstaje "dołek" w napięciu bramki (patrz rys. 3 w poście autora na początku tematu).
    Ponadto w niektórych źródłach, jak słusznie zauważyłeś, zjawisko to jest opisane jako Miller Plateau, zaś w innych jako zjawisko Millera (str. 6 link poniżej):

    Piszę Miller plateau bo chciałem podkreślić że chodzi o płaską część przebiegu napięcia bramki, a ogólnie o zjawisko Millera, niewielki dołek może powstać w wyniku reaktancji pasożytniczych.

    Maciek_C wrote:
    Na uczelni mamy stanowisko do badania zachowania IGBT i MOSFET przy zmiennych parametrach obwodu i tam doskonale widać....

    To spróbuj, czy uda ci się ustawić takie parametry żeby:
    Łukasz.K wrote:
    przebieg na bramkach z prostokątnego robi się jakiś dziwny tzn. na początku napięcie wzrasta do około 10V, następnie spada do około 5V, później znów wzrasta...

    Ja mogę ci od razu powiedzieć, jak byś się nie starał, nie uda się.
    Żeby powiedzieć gdzie leży problem autora nie wystarczy znaleźć "podobne" zjawisko, w dziedzinie ścisłej wszystko musi pasować dokładnie.
    Maciek_C wrote:

    Jeśli tego nie zapewnimy (czyli wtrącimy dodatkową rezystancję), efekt Millera stanie się dominujący, bo nie damy rady przeładować pojemności.

    Dobrze to interpretuję?
    Źle, dlatego że występuje tu ujemne sprzężenie zwrotne, wzrost szybkości opadania napięcia na drenie powoduje wzrost prądu płynącego przez Cgd co z kolei prowadzi do zmniejszenia szybkości narastania napięcia Ugs co ogranicza szybkość opadania Uds.

    Zapamiętałeś książkowe wyjaśnienie zjawiska ale nie zrozumiałeś jak to naprawdę działa i wyciągasz błędne wnioski.

    Łukasz.K wrote:
    Tu moim zdaniem bardziej chodzi o spadek bety tranzystora sterującego (drivera) przy gwałtownym wzroście wartości napięcia na jego bazie, bo jak dałem układ darlingtona to kształt przebiegu się nieco poprawił w sensie że jest dołek 50ns ale nie ma oscylacji przez 200ns.
    Bardziej prawdopodobne jest kiepskie odsprzęganie zasilania i oscylacje na zasilaniu - po szarpnięciu prądem spowodowanym przełączaniem drivera. Jest coś takiego jak spadek bety ze wzrostem prądu ale następuje bez opóźnienia, tranzystor to nie człowiek że poczuje się słabo i "puści" obciążenie które wcześniej podniósł.
  • SterControlSterControl
  • #35
    Maciek_C
    Level 13  
    Kolego jarek_lnx,
    Quote:

    To spróbuj, czy uda ci się ustawić takie parametry żeby:
    Łukasz.K napisał:
    przebieg na bramkach z prostokątnego robi się jakiś dziwny tzn. na początku napięcie wzrasta do około 10V, następnie spada do około 5V, później znów wzrasta...

    Ja mogę ci od razu powiedzieć, jak byś się nie starał, nie uda się.
    Żeby powiedzieć gdzie leży problem autora nie wystarczy znaleźć "podobne" zjawisko, w dziedzinie ścisłej wszystko musi pasować dokładnie.


    Masz całkowitą rację, przeoczyłem opis: ...na początku napięcie wzrasta do około 10V, następnie spada do około 5V... Myślałem, że rys. 3 z 1 postu jest po prostu przesadzony. Mea Culpa.

    A co do:
    Quote:

    Maciek_C napisał:

    Jeśli tego nie zapewnimy (czyli wtrącimy dodatkową rezystancję), efekt Millera stanie się dominujący, bo nie damy rady przeładować pojemności.

    Dobrze to interpretuję?
    Źle, dlatego że występuje tu ujemne sprzężenie zwrotne, wzrost szybkości opadania napięcia na drenie powoduje wzrost prądu płynącego przez Cgd co z kolei prowadzi do zmniejszenia szybkości narastania napięcia Ugs co ogranicza szybkość opadania Uds.


    to mam wrażenie, że mówiłem o tym samym w 17 poście (może bardziej nieudolnie), niemniej nie chcę się kłócić.
    Dziękuję kolegom za merytoryczne sugestie.
    Pozdrawiam i życzę Wesołych Świąt Wielkanocnych.
    Maciek
  • #36
    Łukasz.K
    Level 26  
    Jezeli chodzi o efekt Millera to uzycie ukladu mostkowego pewnie nieco go zmniejszy, bo mierzylem przebiegi na bramkach fabrycznej spawarki KD843 zbudowanej na ukladzie UC3846N i w niej wystepuje on tylko gdy pracuje ona bez obciążenia i nie ma w niej jakiegos specjalnego ukladu zapobiegajacego oprocz tego ze dodana jest dioda polaczona szeregowo z dodatkowym rezystorem o malej rezystancji zmniejszajac w ten sposob czas opadania napiecia na bramce. Jest tez kondensator ale nie pamietam gdzie wlaczony. Zastanawiam sie tylko dlaczego sterownik sg2525 zatrzaskuje sie przy czasach trwania impulsow>7us.
  • #37
    _lazor_
    Moderator of Designing
  • #38
    komatssu
    Level 29  
    Czemu nie użyjesz sterownika UC3846 który działa w trybie "current mode", co jest korzystne w przypadku spawarki?
  • #39
    Łukasz.K
    Level 26  
    SG2525 i 3525 różnią się tylko dopuszczalnymi wartościami temperatur pracy. Może kiedyś użyję UC3846.
  • #41
    lechoo
    Level 39  
    Kol. Łukasz.K ma rację, układy 2525 i 3525 różnią się tylko zakresem dopuszczalnych temperatur pracy.
  • #42
    Łukasz.K
    Level 26  
    Mnie ciekawi dlaczego w układzie z uzwojeniem dzielonym jest potrzebny aż tak znaczny odstęp (3us) między czasami przewodzenia tranzystorów każdej z dwóch gałęzi i dlaczego SG2525 się zatrzaskuje (nie zanikają impulsy na wyjściach 11 i 14 pomimo że w tym czasie na wejściu 10 jest ponad 1V) gdy czas jego przewodzenia w tym układzie przekracza 5us? Do 5us przewodzenia wszystko działa bardzo dobrze. Tego nie da się stwierdzić na podstawie oscylogramów. Bo oscylogramy pokazują że jak jest za krótka martwa strefa to prąd płynie gdy na bramkach tranzystorów nie ma już napięcia, ale skąd on się bierze tego nie wiem. To może wyjaśnić ktoś kto ma dużą wiedzę o półprzewodnikach i transformatorach impulsowych. W aplikacjach z kart katalogowych SG2525 jest narysowany układ z dzielonym uzwojeniem jednak myśle że nie jest on w prostej postaci przeznaczony do aż tak dużych transformatorów (rdzeń E71) oraz do tak znacznych prądów przewodzonych (ponad 20A).

    Dodano po 5 [minuty]:


    Odnośnie odpowiedzi czym się różnią układu SG2525AN i SG3525AN. No tak i nie wiem co ta czerwona ramka ma znaczyć. Bo to co jest napisane zgadza się: Dają one stan niski na wyjściu dla stanu wyłączonego. Tak jest. A to że się zatrzaskuje przy czasach przewodzenia powyżej 5us jest spowodowane albo wpływem znacznego pola magnetycznego wokół układu albo prądem pochodzącym z efektu millera i oddziałującym na układy wyjściowe znajdujące się w SG2525 albo jeszcze jakimś innym zjawiskiem. Pewnego razu zauważyłem ciekawe zjawisko gdy dwa zwinięte przewody wyjściowe w kształcie cewek o kilkunastu zwojach znajdywały się w odległości 10cm od siebie przyciągnęły się i skleiły w czasie pracy urządzenia (jakieś 150A prądu). Takie tam panują pola magnetyczne.

    Odnoście UC3846N. Kiedyś może go użyję, póki co musiałbym się go nauczyć a SG2525 znam już dobrze. Pomyślałem że dobrym pomysłem byłoby oddalenie Sterownika od obwodów prądowych i doprowadzenie sygnału do tranzystorów mocy przewodami w postaci skrętki, jak to jest zrealizowane w spawarkach dostępnych w handlu. Wówczas można zmniejszyć oddziaływanie pól magnetycznych na sterownik i przekonać się czy jest to nimi spowodowane.

    Jeżeli chodzi o zasilanie, to nie ma tam żadnych "szarpnięć" jak to już kilku kolegów sugerowało. Kondensator 1000uF/105st.C dostarcza spokojnie w impulsie 500ns kilkadziesiąt amperów przy spadku napięcia dużo poniżej 1V dodatkowo jest tam włączony równolegle 220nF ceramiczny. Włączalem 2x1000uF i nic to nie zmienia. Przebieg zasilania jest gładki że oscyloskop 20MHz nie wychwytuje żadnych dołków.
  • Helpful post
    #43
    _lazor_
    Moderator of Designing
    A jakich w ogóle IGBT używasz bo z tego co widzę IRG4 to nie jest zbytnio szczegółowe.

    IGBT nie wyłącza się w chwili zaniku napięcia Vge, musi jeszcze zniknąć ładunek z złącza, a często jest to dość spory ładunek tak zwane "current tail". Może spróbuj dać większe rezystancje na bramkach rzędu 150ohm by zmniejszyć narastanie napięcia na IGBT oraz układ przyspieszający wyłączenie się bramki:
    http://www.electroline.com.au/content/compone...s-more-robust-in-power-electronics-1094003234
  • #44
    Łukasz.K
    Level 26  
    Dzięki za link, całkiem ciekawy artykuł. To że się od razu nie wyłącza jest jasne, ale czas tego wyłączanie wynosi jakieś 200ns, a jak mam ustawioną przerwę 1us to jest ona nie wystarczająca. Dopiero przy 3us przerwy układ działa poprawnie. Używam IRG4PH50UPBF Nie są one zbyt mocne ale za to jest ich po 6sztuk co daje już pokaźne prądy, spokojnie mogą one razem przewodzić po 45A. To jaki tranzystor nie jest aż tak istotne przy rozważaniu powyższych zagadnień. Ważne aby miał odpowiedni prąd, moc i napięcie Uce dopuszczalne. rezystor na bramce nie powinien być większy niż kilkadziesiąt omów/tranzystor bo może spowodować przegrzanie tranzystorów ze względu na moc wydzielana na ich złączach po kilku minutach przy zbyt długim czasie narastania napięcia na bramce, a poza tym sprawność całego układu byłaby niezbyt duża (P~U/2*I*tzał*f) = 300V/2*8A*100ns*35000~4.2W+straty przewodzenia =8A*2.5V/2/tranzystor =10W/tranzystor, 4.2W+10W ~ 14W), przy 1us byłoby już 54W/tranzystor czyli 620W w całym układzie tranzystorowym przy maksymalnym prądzie, do tego trzeba dodać jeszcze straty na diodach i w transformatorze. Czasy 1us uzyskamy przy rezystorach właśnie rzedu 150omów. Efekt Millera nie powoduje jakiś problemów poza nieco zwiększonymi stratami przełączania oraz może on być przyczyną zatrzaskiwania się SG3525.
  • #45
    _lazor_
    Moderator of Designing
    Tranzystory IRG4PH50UPbF nie nadają się do pracy przy 200kHz w trybie hard switching. Pisze to jak byk w wstępie opisu do tranzystora, że w twardym przełączaniu maksymalnie 40kHz.

    Czas wyłączenia tranzystora IRG4PH50UPbF wynosi minimum 490ns maksymalnie 850ns, według noty katalogowej. Dodatkowo jeśli masz to wszystko na długich przewodach musisz doliczyć dodatkowe indukcyjności, przy takim prądzie (45A) są to już znaczące wartości.

    Jeśli łącznie z włączeniem i wyłączeniem masz prawie 1us to czas otwarcia tranzystora powinien być znacznie więcej niż 5us, myślę że tak jak podał producent czyli 40kHz maksymalnie.
  • #46
    Łukasz.K
    Level 26  
    W moim układzie od momentu pojawienia się 0.9V napięcia na nóżce 10 SG2525AN mija nie więcej niz 1us do czasu całkowitego zaniku prądu kolektorów danej gałęzi. Więc te czasy co kolega napisał mogą być prawdziwe, bo jakieś 490ns + czas reakcji SG2525 by dało w sumie jakieś 0.9us, jednak z tego co ja wyczytałem wynoszą one nie więcej niż 200ns, no i oscyloskop to samo pokazuje. Nie wiem skąd kolega wziął te 490 i 850ns. Jakby były takie czasy wyłączania to efekt millera by nie występował, bo cały cykl załączania trwa 300ns, podczas którego tranzystor jest wyłączany na chwilę i włączany po 200ns. Może czasy 490 dotyczą stanu głębokiego nasycenia tranzystora. Nawet gdyby było jak kolega pisze te 850ns, to dlaczego mi robi zwarcie przy 2us odstępu? Ale indukcyjności nie powodują gwałtownego wzrostu prądu tylko wręcz odwrtotnie, powodują spowalnianie narastania prądu a mi gdy dead time wynosi 2us pojawiają się szpilki. Eksperymenty pokazują że rzeczywiści przy dłuższych przewodach łączących transformator z tranzystorami uzyskujemy mniejsze piki prądu i oscylacje prądu i napięcia trwają krócej.
  • #47
    _lazor_
    Moderator of Designing
    490-850na to czas wyłączenia, czas załączenia to około 50ns - chociaż uważam że podkoloryzowany parametr i włączenie (zejście napięcia Vce do wartości 2.5V) zajmuje znacznie więcej.

    Te czasy wziąłem z dokumentacji, parametry:
    td(off) 200-350 ns + tf 290-500ns

    suma parametrów td i tf to pełny czas wyłączenia się tranzystora, oczywiście w nocie katalogowej są odpowiednie wykresy z zaznaczonymi czasami td i tf.

    Ogólnie z tego co poszukałem IGBT może się zatrzasnąć z przyczyn pasożytniczo występującego tranzystora w strukturze i zależy od dV/dt czyli również od efektu millera:
    https://www.fairchildsemi.com/application-notes/AN/AN-9020.pdf

    "In this test, it is not possible to see the effects of dynamic dv/dt, which induces IGBT’s latch-up."

    Tak czy siak, powinieneś rozważyć zmianę IGBT lub zmniejszenie częstotliwości pracy układu.
  • #48
    Łukasz.K
    Level 26  
    A to ciekawe, bo na to nie wpadłem. Może to tranzystory się zatrzaskują a układ SG2525AN ma wówczas stan niski na wyjściu. Może to kiedyś sprawdzę. Teraz nie mam jak.
  • #49
    Łukasz.K
    Level 26  
    Jakby kogoś to interesowało to odsunięcie Sterownika SG2525 od części wysokoprądowej i połaczenie skrętką UTP 4x2 z bramkami tranzystorów pomogło i SG przestał się zawieszać. Dodatkowo dałem transformator sterujący bramkami (izolujący rownież emitery IGBT) żeby można było dać na przekłądnik prądowy prąd przemienny i uzysać na wyjściu przemienną piłę a nie piłę jak poprzednio. Daje to również liniową zależność prądu wtórnego przez cały czas trwania stanu wysokiego dzięki czemu można dość dokładnie obliczyć prąd wtórny na podstawie prądu pierwotnego przekładnika. Kontrola prądu działa poprawnie lecz przy około 130A pojawia się sie problem z prądami tranzystorów tzn. pojawiają się potężne szpilki o wartości ponad 100A i czasie trwania około 100ns i nie wiem skąd one się biorą. Może ktoś ma na to jakąś teorię? Napięcie na bramkach skacze w czasie wyłączania tranzystorów. Pewnie efekt Millera to powoduje i to może też być przyczyną skoku prądu tranzystorów w gałęzi która w czasie wyłączania nie przewodziła. Częściowo przyczyną tego jest zapewne impedancja skrętki bo ma ona długość kilkadziesiąt centymetrów. No ale przynajmniej mamy teraz poprawnie działający obwód kontroli prądu. Dodałem też na zasilaniu kondenstator polipropylenowy 470nF/500V oraz ceramiczny 100nF/500V. Słyszałem że może to pomóc. No i chyba trochę pomaga.
  • #50
    -XantiO-
    Level 21  
    A próbował kolega zwiększyć czas narastania i opadania prądu?
  • #51
    Łukasz.K
    Level 26  
    Próbowałem, zwiększyłem do 1.5us czas wyłączania to spaliło mi tranzystor, najwyraźniej układ nie zdążył wyłączyć tranzystorów. Czasy i tak już są dość długie, załączanie trwa jakieś 1.5us, a wyłączanie około 1us. W obwodach bramek są diody skracające czas wyłączania i kondensatory 10nF przed rezystorami bramkowymi połączone do emiterów. Zabezpieczają one z tego co wywnioskowałem przed niekontrolowanymi pikami napięcia na bramkach i zmniejszają oscylacje napięcia na bramkach.
  • #52
    -XantiO-
    Level 21  
    Daj przebiegi z przekładnika i bramki dolnego IGBT.
  • #53
    Łukasz.K
    Level 26  
    No normalnie, jak tranzystor wyłącza to pojawia się pik prądu w gałęzi która nie była wyłączana oraz piki napięcia na bramkach tranzystorów z tej gałęzi. Teraz nie chce mi się podłączać tego układu, ale jak będe miał możliwość to wrzucę przebiegi. Myślę że trzeba by przerobić układ na pełnomostkowy, zmniejszyłoby to efekt Millera i pewnie dałoby przy tych samych zakłóceniach ze dwa razy większy prąd na wyjściu. Właściwie to są oscylacjie 100-300ns nie piki.
  • #54
    Łukasz.K
    Level 26  
    Dzień dobry. Ostatnio poczyniłem pewne usprawnienia częściowo na podstawie rad kolegów z forum m.in. Pana -ROMAN- których efektem jest rozwiązanienie większości wad i uzyskanie niiezakłóconej cichej pracy mojego urządzenia przy prądach 50-180A. Układ pracuje przy częstotliwości 25kHz. Transformator E71 został nawinięty taśmą miedzianą lecz o wiele prościej jest go nawinąć wieloma drutami emaliowanymi Φ0.6mm tzn. uzwojenie pierwotna 5drutów 2x24 zwoje. Wtórne 30 drutów 2x4zwoje. Najlepiej drutem podwójnie emaliowanym i później wszystko zanurzyć w lakierze elektroizolacyjnym Royal C 155 lub innym o odporności termicznej 155°C. Wewnątrz transformatora między taśmami oraz na radiatorze diod wyjściowych są umieszczone termistor NTC 1kohm jako zabezpieczenie przed nadmiernym wzrostem temperatury. Podłączony on będzie do układu zabezpieczenia termicznego które opiszę za jakiś czas. W przekładniku prądowym usunąłem szczelinę powietrzną gdyż przy symetrycznym magnesowaniu jest ona niepotrzebna. Jeszcze nie spawałem w tym układzie, tylko sprawdzałem na rezystorze 0.065ohm przy prądach 120A. Wydaje się być ok, jednak rezystory i spawanie to co innego. Więc przy ewentualnych próbach zalecam ostrożność i testy poczynając od najniższych prądów. Gdy się upewnię że wszystko działa dobrze napiszę.
  • #55
    Łukasz.K
    Level 26  
    Okazuje się że układ ten nie będzie działał prawidłowo przy znacznych mocach ze względu na niesymetrię magnesowania rdzenia tzn. będzie występować nasycanie się rdzenia przy jednej z połówek prądu. Tak więc jak niektórzy koledzy napisali trzeba by zastosować układ pełnego mostka oraz kondensator stały połączony szeregowo z transformatorem.
  • #56
    lechoo
    Level 39  
    Można też bez kondensatora blokującego składową stałą, ale trzeba użyć odpowiedniego układu sterującego przetwornicą - pracującego w tzw. trybie prądowym.
  • #57
    Łukasz.K
    Level 26  
    Problem nasycania się rdzenia można wyeliminować poprzez wstawienie przekładek kartonowych o grubości 0.5mm w bocznych kolumnach rdzenia. Co prawda rośnie wówczas prąd magnesujący, lecz jego wartość na poziomie max 5A jest do zaakceptowania i daje dużo lepiej działający układ.
  • #58
    _lazor_
    Moderator of Designing
    Rozwiązanie w stylu "niech głodujący zjedzą bezrobotnych, rozwiążemy wszystkie nasze problemy!"

    Robiąc szczelinę w rdzeniu zwiększasz ilość magazynowanej energii w nim oraz zmniejszając strumień magnetyczny. W deadtime będziesz miał spore źródło prądowe, które będzie się rozładowywało przez body diode kluczy, generując straty. Jeśli diody nie są za szybkie to będzie dodatkowo generować przepięcia. Ogólnie rozwiązanie bardzo słabe.
  • #59
    jarek_lnx
    Level 43  
    Łukasz.K wrote:
    Problem nasycania się rdzenia można wyeliminować poprzez wstawienie przekładek kartonowych o grubości 0.5mm w bocznych kolumnach rdzenia.
    Ciekawa teoria, niestety nieprawdziwa, zasady konstruowania dławików nie przekładają się 1:1 na konstruowanie transformatorów, szczelina która zapobiega nasyceniu dławika, w transformatorze nie ma wpływu na nasycenie. W przebiegach prądu to nasycenie będzie trudniej zauważyć z powodu większego prądu magnesowania, ale amplituda strumienia i wynikające z niej straty w rdzeniu będą w pierwszym przybliżeniu identyczne. Oczywiście wzrost prądu magnesującego wywoła spadek napięcia na uzwojeniu pierwotnym, który trochę zmniejszy amplitudę strumienia i nasycenie.
    Zastosowanie długiego, cienkiego przewodu zasilającego, albo włączenie innego prądożernego urządzenia do tego samego gniazdka co spawarka, będą miały taki sam wpływ na nasycenie ;)
pcbway logo