Elektroda.pl
Elektroda.pl
X
Proszę, dodaj wyjątek dla www.elektroda.pl do Adblock.
Dzięki temu, że oglądasz reklamy, wspierasz portal i użytkowników.

Nowy 30 V tranzystor MOSFET do aplikacji mobilnych i elektroniki konsumenckiej

ghost666 08 Kwi 2017 20:07 2772 0
  • Nowy 30 V tranzystor MOSFET do aplikacji mobilnych i elektroniki konsumenckiej
    Spółka Vishay Intertechnology, Inc. ogłosiła właśnie wprowadzenie nowego tranzystora polowego do swojej oferty. MOSFET ten wyposażony jest w kanał typu N i możliwość pracy z napięciem do 30 V. Element wyprodukowany został w opatentowanej technologii TrenchFET? czwartej generacji.
    Tranzystor ten dedykowany jest do układów przenośnych, elektroniki konsumenckiej i układów zasilania. Sprzedawany jest w obudowie PowerPAK? typu SC-70. Oznaczony SiA468DJ układ dostarcza rekordowo wysokiego prądu drenu i niskiej rezystancji kanału w stanie załączonym w klasie układów o napięciu pracy 30 V i wymiarach takich jak opisywany układ (około 2 mm x 2 mm)
    MOSFET ten jest o 60% mniejszy niż tranzystory w obudowie PowerPAK typu 1212. Jest to najbardziej kompaktowy układ dedykowany do współpracy z napięciami do 30 V. Pozwala on na realiowanie systemów zarządzających ładowaniem ogniw w komputerach, tabletach a także w innych zasilaczach, przetwornicach DC/DC a także mostkach H wykorzystywanych w ładowarkach bezprzewodowych czy układach kontroli silników w dronach.
    Aby zredukować straty przewodzenia i zwiększyć wydajność tych systemów, specjaliści z Vishaya opracowali SiA468DJ tak, aby charakteryzował się on rekordowo niską rezystancją - 8,4 m? przy napięciu 10 V i 11,4 m? przy napięciu 4,5 V. Te parametry są o ponad 50% lepsze niż poprzednia generacja układów TrenchFET i o 6% lepsze niż w konkurencyjnych MOSFETach.
    Dodatkowo poprawiono także konstrukcję bramki układu, dzięki czemu niższy jest ładunek, potrzebny do jej przełączenia, co w konsekwencji przekłada się na optymalizację czasu przełączania i umożliwia wykorzystanie tranzystora w szerszej gamie aplikacji.
    SiA468DJ charakteryzuje się ciągłym prądem dren równym 37,8 A - to o 68% więcej niż w tranzystorach poprzedniej generacji i o 50% więcej niż MOSFETach konkurencji. Oferuje to możliwość wykorzystania tych elementów w szerokiej gamie aplikacji przy zachowaniu komfortowego marginesu prądowego dla impulsowych wyższych prądów.
    Element ten jest produkowany w technologii w pełni zgodnej z dyrektywą RoHS i w procesie wolnym od halogenków. Układy te są już dostępne u producenta - tak jako próbki jak i krótkie serie. Przy większych zamówieniach konieczne może być oczekiwanie do 13 tygodni na realizację zamówienia.
    Źródło: https://www.eeweb.com/news/30-v-mosfet-for-mobile-devices-and-consumer-electronics

    Fajne! Ranking DIY
    O autorze
    ghost666
    Tłumacz Redaktor
    Offline 
    Fizyk z wykształcenia. Po zrobieniu doktoratu i dwóch latach pracy na uczelni, przeszedł do sektora prywatnego, gdzie zajmuje się projektowaniem urządzeń elektronicznych i programowaniem. Od 2003 roku na forum Elektroda.pl, od 2008 roku członek zespołu redakcyjnego.
    ghost666 napisał 9836 postów o ocenie 8050, pomógł 157 razy. Mieszka w mieście Warszawa. Jest z nami od 2003 roku.