Elektroda.pl
Elektroda.pl
X
Elektroda.pl
Proszę, dodaj wyjątek dla www.elektroda.pl do Adblock.
Dzięki temu, że oglądasz reklamy, wspierasz portal i użytkowników.

Rezystor bazowy tranzystora

21 Kwi 2017 19:02 876 23
  • Poziom 12  
    Witam mam pytanie czy tak się liczy rezystor bazowy tranzystora?
    otóż przykładowo chciałbym sterować diodą LED która pobiera 20mA

    tranzystor to BC337
    zasilanie 12V
    β~160

    wzór na prąd bazy Ib=Ic/Ib
    czyli 0.02/160=0,000125A

    wzór na rezystor bazowy Rb=Ubb-Ucc/Ib
    czyli 12V-0.7V=11.3V
    Rb=11.3/0,000125A=90400Ω czyli najbliższy z szeregu będzie 10kΩ
    W tym przypadku tranzystor będzie pracował w trybie aktywnym... chyba :D
  • Poziom 21  
    Do zapalania diody nie stosuj tranzystora pracującego aktywnie tylko jako klucz.
    Dajesz taki opornik bazowy, żeby tranzystor się nasycił, a w obwodzie kolektora w szereg z diodą dajesz opornik wyznaczający prąd diody.
  • Poziom 12  
    Czyli w trybie nasycenia będzie 3,7k Ohma a to że do diody trzeba rezystor to wiem. W tym przypadku będzie jakieś 470 Ohm do diody niebieskiej. :D Ale zacząłem wymyślać swój schemat i ten rezystor bazowy jest mi potrzebny. :)
  • Moderator Projektowanie
    Wałkowane na forum setki razy, np:
    https://www.elektroda.pl/rtvforum/viewtopic.php?p=16158545#16158545
    https://www.elektroda.pl/rtvforum/viewtopic.php?p=16265389#16265389
    https://www.elektroda.pl/rtvforum/viewtopic.php?p=16306814#16306814
    Użyć funkcji "Szukaj" (hasła: klucz nasycony, nasycenie tranzystora) i czytać, a nie pytać o podstawy.
  • Specjalista elektronik
    Rb=11.3/0,000125A=90400Ω czyli najbliższy z szeregu będzie 10kΩ

    Nie 10kΩ, a 91kΩ. Ale prąd 20mA dla LED-a małej mocy jest raczej górną granicą, i przy 20mA jak jest nieco cieplej, albo utrudnione chłodzenie, to LED stopniowo (ale nieodwracalnie) ulega degradacji.

    Przy dużym zapasie napięcia można z dobrym wynikiem ograniczać prąd LED-a szeregowym opornikiem. Jak nie jest duży, to można i tranzystorem (przy 12V i 20mA, i powiedzmy z czerwonym LED-em 1.5V w tranzystorze wydzieli się 210mW, on to wytrzyma), jakkolwiek dobieranie opornika bazowego tak, by uzyskać określony prąd, jest trochę niedogodna (w razie wymiany tranzystora trzeba zmieniać i opornik, bo rozrzut wzmocnienia dla np. BC337-16 jest od 100 do 250... no, może jak się będzie celować tak, żeby prąd był 9.6mA przy wzmocnieniu 160, to dla tego zakresu będzie od 6mA do 15mA, do niektórych zastosowań można i tak). Jest układ z dwoma tranzystorami, który jest mało wrażliwy na rozrzut ich parametrów, i przy niskim i mało stabilnym napięciu zasilania, przy którym opornik nie zapewniałby wystarczającej stabilności prądu LED-a, byłoby wskazane użycie takiego układu. Ale przy zasilaniu 12V nie warto komplikować układu.
  • Poziom 21  
    Jeśli już koniecznie chcesz stosować tranzystor pracujący aktywnie, to daj w emiterze opornik stabilizujący wartość prądu. Uniezależnisz się od rozrzutów parametrów tranzystorów i wpływu zmian temperatury.
  • Moderator Projektowanie
    _jta_ napisał:
    Nie 10kΩ, a 91kΩ

    Tu Rb powinien mieć ok. 10k właśnie, aby Ib= ok. 1mA - wtedy każdy egz. tranzystora będzie na pewno nasycony, a prąd LED-a będzie zależał tylko od wartości opornika szeregowego.
    _jta_ napisał:
    można i tranzystorem (przy 12V i 20mA, i powiedzmy z czerwonym LED-em 1.5V w tranzystorze wydzieli się 210mW, on to wytrzyma), jakkolwiek dobieranie opornika bazowego tak, by uzyskać określony prąd, jest trochę niedogodna (w razie wymiany tranzystora trzeba zmieniać i opornik, bo rozrzut wzmocnienia dla np. BC337-16 jest od 100 do 250... no, może jak się będzie celować tak, żeby prąd był 9.6mA przy wzmocnieniu 160, to dla tego zakresu będzie od 6mA do 15mA, do niektórych zastosowań można i tak)

    To bardzo zła porada.
    Prąd LED-a zależałby od egz. tranzystora - np. jego bety, od temperatury.
    Stara zasada mówi, że każdy układ należy konstruować tak, aby jego działanie nie było uzależnione od egzemplarza tranzystora.

    Eh, prosta sprawa, podstawy właściwie - a ciągle pokutują tu takie "wynalazki".
  • Specjalista elektronik
    Przecież napisałem, że to jest niedogodne... Na szczęście beta (współczynnik wzmocnienia prądowego) współczesnych tranzystorów prawie nie zależy od temperatury.

    A stabilizację prądu uzyskuje się przez ujemne sprzężenie zwrotne - w emiterze opornik, napięcie z tego opornika podaje się na bazę drugiego tranzystora, kolektor tego drugiego łączy się z bazą pierwszego - i prąd płynie taki, przy którym spadek napięcia na oporniku emiterowym jest na granicy włączenia drugiego tranzystora; albo, między emiter i masę daje się opornik, na bazę daje się określone napięcie względem masy (uzyskuje się je np. ze spadku napięcia na 2 zwykłych diodach).
  • Moderator Projektowanie
    _jta_ napisał:
    Na szczęście beta (współczynnik wzmocnienia prądowego) współczesnych tranzystorów prawie nie zależy od temperatury.

    A stabilizację prądu uzyskuje się przez ujemne sprzężenie zwrotne - w emiterze opornik, napięcie z tego opornika podaje się na bazę drugiego tranzystora, kolektor tego drugiego łączy się z bazą pierwszego - i prąd płynie taki, przy którym spadek napięcia na oporniku emiterowym jest na granicy włączenia drugiego tranzystora

    I to jest kolejna niepotrzebna komplikacja, poza tym:
    - to nie jest klucz ale najprostsze źródło prądowe (a mieliśmy mówić o kluczu),
    - Ube mocno zależy od temperatury, w efekcie prąd LED-a będzie się zmieniał.
  • Specjalista elektronik
    Akurat ten układ ma tę cechę, że jak jest cieplej, to prąd LED-a jest mniejszy - i to jest korzystne, że zmniejsza się prąd wtedy, gdy mogłoby grozić przegrzanie LED-a.

    Natomiast jeśli chodzi o kluczowanie LED-a w takim układzie: można podłączyć do źródła sygnału opornik zasilający bazę, wtedy przy założeniu, że używamy tranzystorów NPN i LED jest między tranzystorem, a +zasilania, stan wysoki będzie włączał, niski wyłączał (tak samo można zrobić w wersji z diodami do ograniczenia napięcia na bazie); a można inaczej, między emiter pierwszego tranzystora, a bazę drugiego włączyć opornik, i przez opornik podawać sygnał na bazę drugiego tranzystora - wtedy logika będzie odwrotna.

    Tylko, jak już pisałem, przy 12V użytych do zasilania jednego LED-a jest to zbędna komplikacja (co innego, jakby były np. 3 LED-y białe szeregowo), bo wystarczy w kolektorze opornik szeregowo z LED-em (470R, albo 510R), oraz podawać sygnał na bazę przez opornik (jak tranzystor jest z grupy -16, to może być 22k dla napięcia sterującego 12V, albo 3k3 dla TTL, nie będzie I_C/I_B=10, ale nie potrzeba uzyskać napięcia nasycenia na poziomie rzędu 20mV, jak będzie 100mV, to dla działania układu nie zrobi to żadnej różnicy).
  • Specjalista elektronik
    O ile pamiętam, kolega trymer01 preferuje I_C/I_B=10, czyli głębokie nasycenie - na to opornik powinien być 5k6 dla sterowania 12V (po odjęciu napięcia baza-emiter zostaje 11.3V, i 11.3V/5k6=2mA, dla I_C=20mA to wystarczy do głębokiego nasycenia; jeśli przyjmiesz prąd LED-a np. 16mA, to opornik może być 6k8), a 820R dla TTL (2.4V, po odjęciu napięcia baza-emiter zostaje 1.7V, i 1.7V/820R=2mA). Jakkolwiek ja uważam, że wystarczy I_C/I_B>=beta/2 - to też już jest nasycenie, tylko dość płytkie. Poszukaj charakterystyk tego tranzystora (noty katalogowe są na Elenota.pl, zwykle Fairchild podaje sporo charakterystyk) i sprawdź, jakie będzie napięcie kolektor-emiter dla obu tych przypadków (I_C/I_B=10 i I_C/I_B>=beta/2).
  • Poziom 12  
    Dobrze ale jak policzyć ten rezystor dla głębokiego nasycenia tak żebym mógł zarówno sterować żarowką 5A i diodą 20ma a jeśli chodzi o to Ic/Ib=10 skąd ta dziesiątka ? bardzo proszę o taki prosty :D gdyż do tej pory robiłem wszystko z schematów i się tym nie przejmowałem a teraz proszę żeby mi wyjaśnić jak laikowi jak liczy się ten rezystor dla pełnego nasycenia tak że zmiany prądu na bazie nie zmieniają już prądu kolektora :)
  • Moderator Projektowanie
    Marcin7254 napisał:
    Dobra a może ktoś podać wzór jak obliczyć rezystor tak aby tranzystor pracował w stanie nasycenia ?

    Ale linków z postu nr 4 kolega nie czytał?
    Ile razy można pisać to samo?
    _jta_ napisał:
    kolega trymer01 preferuje I_C/I_B=10, czyli głębokie nasycenie

    Niezupełnie, to zależy od tranzystora - np. dla BC54x/55x - Ic/Ib=ok. 20-30, dla BC327/337 wystarczy Ic/Ib=10-20, ale dla np. 2N2222 czy 2N3055 - Ic/Ib=10.
    A są typy , którym wystarcza Ic/Ib=50, czy nawet 100, a innym trzeba Ic/Ib=5 (wysokonapięciowe mocy).
    Marcin7254 napisał:
    wystarczy I_C/I_B>=beta/2 - to też już jest nasycenie, tylko dość płytkie.

    Nie płytkie, ale bardzo płytkie, to zaledwie początek nasycenia i wystarczy niewielka zmiana warunków (temperatura, napięcie sterujące, wzrost obciążenia) aby tranzystor wyszedł z tego płytkiego nasycenia i wszedł w stan aktywny co spowoduje wzrost Uce i spadek napięcia na obciążeniu= przegrzanie tranzystora.
    I skąd kolega zna betę konkretnego egzemplarza dla Ic=20mA? - już chociażby to powinno uzmysłowić absurdalność takich twierdzeń.
  • Poziom 12  
    Trymer01 skopiowałem jeden z twoich postów oto on

    Schemat dotyczy tranzystora bipolarnego a nie MOSFET-a (IRF520N(.
    Ten wzór jest do ...niczego (jak mówił Janko Buszewski w kabarecie Dudek).
    W skrócie: dioda jako obciążenie ma być w kolektorze, i w szereg z nią opornik jako ograniczenie prądu diody.
    Tranzystor pracuje jako klucz nasycony, więc należy mu zadać Ib dużo większy niż Ic/beta.
    Zwykle przyjmuje się Ic=20Ib ->Ib=0,05Ic
    Wtedy na Rb będzie spadek napięcia Urb=Uster-Ube, Rb=Urb/Ib=(Uster-Ube)/0,05Ic.
    Jeśli Twoje 3V to Uster, Ic=50mA, to Rb=(3-0,8)/(0,05 x 50)=2,2/2,5=910 Ohm.
    Ib=2,5mA i tyle powinno dawać źródło sygnału sterującego przy Uster=3V.
    Ale - dwie diody jak połączone? - bo jeśli w szereg to chyba 6V będzie za mało, a jeśli równolegle to każda dioda powinna mieć swój opornik i dopiero takie zestawy D+R połączyć równolegle. Przy zmianie połączeń diod z równoległego na szeregowy i odwrotnie zmieni się Ic, w konsekwencji Ib oraz Rb.
    Dla Ic=50mA tranzystor serii BC54x będzie za słaby, raczej BC337, BC338.

    Nie do końca wszystko rozumiem możesz mi napisać krok po kroku jak to obliczyć
  • Moderator Projektowanie
    Marcin7254 napisał:
    Nie do końca wszystko rozumiem możesz mi napisać krok po kroku jak to obliczyć

    Przykro mi, że nie rozumiesz - bo prościej i bardziej "łopatologicznie" się nie da.
    Musisz to czytać w odniesieniu do tamtego układu i tamtych danych.
  • Specjalista elektronik
    Nie. Na to jest wzór na górze: I_B=I_C/h_FE(min). Ale tylko w przybliżeniu - powinno być I_B>>I_C/h_FE(min), znak '>>' oznacza "znacznie większe".

    Proponuję obejrzeć wykresy z http://www.elenota.pl/datasheet-pdf/126481/Philips/BC337

    :arrow: trymer01 Nie płytkie, ale bardzo płytkie, to zaledwie początek nasycenia i wystarczy niewielka zmiana warunków (temperatura, napięcie sterujące, wzrost obciążenia) aby tranzystor wyszedł z tego płytkiego nasycenia i wszedł w stan aktywny co spowoduje wzrost Uce i spadek napięcia na obciążeniu= przegrzanie tranzystora.

    A co konkretnie (proszę darować sobie ogólniki) miałoby być przyczyną wyjścia z nasycenia, i jaką mocą ten tranzystor byłby przegrzany? Proszę pamiętać, że układ ma ograniczać prąd LED-a do 20mA, więc zawiera odpowiedni opornik, i że jest zasilany napięciem 12V. Przedstaw wyliczenie.

    I skąd kolega zna betę konkretnego egzemplarza dla Ic=20mA? - już chociażby to powinno uzmysłowić absurdalność takich twierdzeń.

    Zobacz #1: tranzystor to BC337 / zasilanie 12V / β~160. Oraz wykresy, do których dałem namiar.

    :arrow: Marcin7254 #13 Dobrze ale jak policzyć ten rezystor dla głębokiego nasycenia tak żebym mógł zarówno sterować żarówką 5A

    A to już jest poważny problem, bo zimna żarówka ma 10X mniejszy opór włókna - czyli na starcie płynie przez nią 50A, i o ile pamiętam, to nie widziałem tranzystora bipolarnego, który mógłby przewodzić taki prąd - chyba największy był na 25A. A tranzystory dużej mocy, jeszcze przy dużym prądzie zwykle mają małą betę, np. dla BD282 CEMI obiecywało chyba prąd bazy do 3A, żeby mieć prąd kolektora 7A - czyli betę 2.33 - i dla takich warunków już nasycenie jest nie przy I_C/I_B=10, a przy I_C/I_B<2.

    Dla Ic=50mA tranzystor serii BC54x będzie za słaby, raczej BC337, BC338.

    Wykres z noty katalogowej Philipsa podaje dla BC546B i BC547B betę 200 przy prądzie 50mA i napięciu 5V (a 115 przy 100mA, 30 przy 200mA).
  • Moderator Projektowanie
    _jta_ napisał:
    Proszę pamiętać, że układ ma ograniczać prąd LED-a do 20mA, więc zawiera odpowiedni opornik, i że jest zasilany napięciem 12V.

    A to kolega rozpatruje tylko ten konkretny przypadek? - bo ja myślałem że mówimy o kluczu nasyconym w ogóle? (co widać w dalszej wypowiedzi kolegi)
    _jta_ napisał:
    A co konkretnie (proszę darować sobie ogólniki) miałoby być przyczyną wyjścia z nasycenia, i jaką mocą ten tranzystor byłby przegrzany?

    A np. układ klucza załączającego żarówkę 12V/1A w samochodzie, gdy temp. otoczenia spadnie do -25stC (beta zmniejsza się ok. 1,5x, Ube rośnie co zmniejsza Ib). Kolega sobie niech sam policzy co się stanie, gdy założy
    _jta_ napisał:
    I_C/I_B>=beta/2

    Jaką kolega zakłada tu betę - typową czy minimalną wartość? I skąd kolega zna tą wartość dla konkretnej wartości Ic? - a nawet dla całego przedziału Ic=1-10A (zimna żarówka)?
    Usiłuję uzmysłowić koledze, że takie upieranie się przy "oszczędzaniu" na Ib jest bezsensowne, bo:
    - nie jest znana beta dla konkretnego Ic. Należałoby założyć (ekstrapolując) bezpieczną, niską wartość (czyli założyć zapas).
    - należy założyć zapas na zmienne warunki (temperatura, zmiana napięcia sterującego, zmiana obciążenia - np. żarówka, itp).
    W efekcie zakładamy jeden zapas, i drugi zapas, i trzeci.... - i otrzymujemy wynik w postaci Ib=Ic/20, albo Ib=Ic/5 - czyli to o czym ja piszę.
    Kolega "oszczędza" - pewnie przed wlutowaniem tranzystora mierzy mu betę przy danym Ic, dobiera opornik... układ pewnie pracuje zawsze w temp. pokojowej, zapala LED-a tylko - można i tak. Ale niechże kolega nie namawia początkujących do takich praktyk.
    Pewnie, że można i tak - ale to nie jest "liczenie układu" ale liczenie na szczęście.
    Bo już samo przyjmowanie wartości typowych (z wykresów) a nie gwarantowanych jest liczeniem na szczęście. A przecież konstruktor powinien liczyć zawsze "na najgorszy przypadek".
    _jta_ napisał:
    I skąd kolega zna betę konkretnego egzemplarza dla Ic=20mA? - już chociażby to powinno uzmysłowić absurdalność takich twierdzeń.

    Zobacz #1: tranzystor to BC337 / zasilanie 12V / β~160. Oraz wykresy, do których dałem namiar.

    Jeśli
    _jta_ napisał:
    I_C/I_B>=beta/2

    Licząc wg wzoru kolegi Ib=20mA/(160/2)=0,25mA - tyle wystarczy?
    Tyle, że wg tej noty katalogowej min. wartość bety to 100, więc już przy Ib=0,2mA tranzystor całkowicie wyjdzie z nasycenia. Mamy więc 50 mikroA "zapasu" - i załóżmy że sterujemy to nie z 12V ale z uC zasilanego 3,3V. Rb=(3,3V-0,69V)/0,25mA=10,4k (Vbesat z noty dla 10mA), ale co się stanie gdy temp. spadnie do -30stC ?: Vbe=0,8V, Ib=(3,3V-0,8V)/10,4k=0,24mA, ale...w temp. -30stC minimalna beta spadła z wartości 100 do ok. 70 i dla Ic=20mA potrzeba Ib=20/70= 0,3mA.
    Tranzystor pozostanie w stanie aktywnym. Jego Uce wyniesie kilka V i jeśli zamiast LED-a byłaby tam żarówka 12V/1A - wydzieli się na nim kilka W - a z niego wydzieli się dym.
    A co będzie gdy jeszcze Uster spadnie do 3V (bardzo prawdopodobne)?
    W dodatku, beta dla Uce= ok. 0,1V będzie wyraźnie mniejsza.
    _jta_ napisał:
    Na szczęście beta (współczynnik wzmocnienia prądowego) współczesnych tranzystorów prawie nie zależy od temperatury.

    Tu się kolega mocno myli. Proszę sobie sprawdzić w notach katalogowych, choćby w tej podanej przez kolegę dla BC337 - str6.
    A co będzie gdy obciążeniem klucza będzie żarówka?
    _jta_ napisał:
    nie widziałem tranzystora bipolarnego, który mógłby przewodzić taki prąd - chyba największy był na 25A.

    W katalogu widziałem takie z max Ic= kilkaset A.
    A w pudełku leży mi (i nudzi się) 2N6032 - Icmax=50A: https://www.microsemi.com/document-portal/doc_view/6101-2n6032-pdf
    Do 50A jest wiele typów.
    _jta_ napisał:
    BD282 CEMI obiecywało chyba prąd bazy do 3A, żeby mieć prąd kolektora 7A - czyli betę 2.33 - i dla takich warunków już nasycenie jest nie przy I_C/I_B=10, a przy I_C/I_B<2.

    Bo Ic=7A to jest dla tego tranzystora Icmax (a Ib=3A to jest Ibmax) - wartość graniczna, której nie wolno przekroczyć. Co nie znaczy, że można z takim Ic pracować, więcej - konstruktor który rozumie ograniczenia i właściwości BJT nigdy nie każe tranzystorowi pracować z Ic większym niż 50% Icmax, najlepiej do 30%Icmax. Czyli dla BDP279-286 to 2-3,5A. Przy zbliżaniu się do Icmax gwałtownie pogarszają się parametry jak Ucesat, beta, rośnie awaryjność.
    Wszystkie BJT tak mają, nawet archaiczny 2N3055.
    _jta_ napisał:
    Wykres z noty katalogowej Philipsa podaje dla BC546B i BC547B betę 200 przy prądzie 50mA i napięciu 5V (a 115 przy 100mA, 30 przy 200mA).

    A to zależy od producenta - podawane są różne wartości, ale widać duży spadek bety z prądem Ic, oraz gwałtowny wzrost Ucesat. Potwierdza się reguła, że BJT nie powinien pracować z prądem większym niż 30-50% Icmax.
    http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet/MicroElectronics/mXuwzwr.pdf - proszę zauważyć, jak spada beta z prądem, oraz że producent gwarantuje min wartość bety tylko dla Ic=2mA - dla większego Ic wartość min. (gwarantowana)= ??
    Poza tym pisałem:
    trymer01 napisał:
    Dla Ic=50mA tranzystor serii BC54x będzie za słaby, raczej BC337, BC338.

    "Raczej" - bo 50mA dla BC54x to granica zastosowania.
    To jaką wartość bety kolega założy dla BC547 i Ic=50mA ? Typową i będzie kolega liczył na szczęście?
    Bo ja dam BC337, i założę Ib=2,5mA (Ic/Ib=20) - i będę spał spokojnie, bo będę pewien że jest OK. Zawsze i w każdych warunkach

    Dodano po 11 [minuty]:

    Marcin7254 napisał:
    Czyli dla nasycenia (w przyblizeniu) moge stosować wzór Ib=Ic?Hfe(min)

    Nie, wzór Ib=Ic/hfemin, ale hfemin należy przyjąć nie z katalogu ale kilkakrotnie mniejszą wartość, rzędu 10-30 zależną od typu tranzystora i prądu z jakim ma pracować. Prostej recepty nie ma. Najlepiej czytać noty katalogowe i stosować się do nich (warunki nasycenia).
    Marcin7254 napisał:
    a potem Rb=Vbe-Vcc/Ib ?

    Nie, wzór Rb=(Uster-Ube)/Ib (proszę nie ignorować nawiasów).
  • Poziom 12  
    Mam nadzieje że tym razem robię to dobrze

    napiecie zasilania 12V
    napiecie sterujace 12V
    prąd kolektora 20mA

    najpierw liczę prąd bazy czyli b=Ic/Hfe Hfe przyjąłem 10 razy mniejsze czyli w przypadku bc337 który ma minimalne wzmocnienie 160 ja przyjąłem 16 czyli robie wszystko według wzoru wychodzi mi prąd bazy 0,00125 dalej liczę rezystor czyli Rb=(Uster-Ube)/Ib wychodzi mi 9040 Ohm
  • Moderator Projektowanie
    Dla Ic=20mA można użyć BC54x - Ic/Ib=20-30 albo też BC337 - Ic/Ib= ok. 20. Można przyjąć 16 - ale to już "aptekarstwo". Rb=10k będzie OK.
    Licz w [ma] i [kΩ] - łatwiej, mniej zer i trudniej o pomyłkę: Ib=20mA/20=1mA, Rb=(12V-0,8V)/1mA=11,2V/1mA=11,2kΩ - zaokrąglaj do najbliższej mniejszej wartości handlowej - czyli 11kΩ albo 10kΩ.
  • Poziom 12  
    Czyli to co pisałem wyżej mogę stosować a co z np. innymi tranzystorami np bd 139 wystarczy robić to samo czyli bd 139 ma wzmocnienie 40 przyjme 20 razy mniejsze czyli 2 w tym przypadku przy prądzie kolektora 20mA i napięciach 12V wychodzi mi rezystor w przybliżeniu 1Kohm czy to wystarczy do nasycenia tego tranzystora ?
  • Moderator Projektowanie
    Marcin7254 napisał:
    bd 139 ma wzmocnienie 40 przyjme 20 razy mniejsze czyli 2

    A gdzie ja tak polecałem?
    Niechże kolega czyta ze zrozumieniem. Beta nie 10x czy 20x mniejsza, ale beta =10-20.
    BD139 (a nie bd 139) http://www.onsemi.com/pub/Collateral/BD135-D.PDF
    To tranzystor większej mocy, przeznaczony do pracy z większymi prądami - a takie często nie pracują poprawnie z małymi prądami (np. spada beta przy małych prądach).
    Należy to przeanalizować - beta >40 ale dla Ic=150mA, lecz wykres Figure1 pokazuje, że beta jest w miarę stała dla Ic=10mA - 0,5A, więc można przyjąć, że będzie >40 dla Ic=20mA.
    Producent zaleca dla nasycenia Ic/Ib=10 (str.2 - tabela - "Collector−Emitter Saturation Voltage" przy Ic=0,5A, Ib=0,05A), więc należy założyć Ic/Ib=10 (nie będzie błędem Ic/Ib=20).
    Ib=Ic/10=20mA/10=2mA, Rb=11,2/2=5,6k.