Elektroda.pl
Elektroda.pl
X
Computer Controls
Proszę, dodaj wyjątek dla www.elektroda.pl do Adblock.
Dzięki temu, że oglądasz reklamy, wspierasz portal i użytkowników.

Globalfoundries aktualizuje swoje plany wykorzystania litografii EUV przy 7 nm

ghost666 19 Cze 2017 09:17 1125 0
  • Globalfoundries aktualizuje swoje plany wykorzystania litografii EUV przy 7 nm
    Globalfoundries zdradziło szereg szczegółów dotyczących planowanego wprowadzenia procesu 7 nm do produkcji. Jak twierdzi firma, realizacja planów idzie szybciej, niż było to wstępnie zakładane, jednakże nadal oznacza to co najmniej sześciomiesięczne opóźnienie względem swojego głównego rywala - TSMC. Firma zdradziła także, że do produkcji 7 nm układów ASIC planuje się, przynajmniej do części zadań, wykorzystać litografię w ekstremalnym ultrafiolecie (EUV) - najpewniej już w roku 2019.

    Proces oznaczany przez Globalfoundires 7LP wykorzystywać ma początkowo litografię immersyjną. Układy produkowane w tej technologii mają mieć do 17 milionów bramek na milimetr kwadratowy i umożliwić redukcję kosztów wytwarzania układów o około 30%, a ich powierzchnię o 50% w porównaniu z wykonywaniem tych samych elementów w oparciu o technologię 14 nm. Opisywana technologia została zaprezentowana przez producenta po raz pierwszy we wrześniu 2016 roku, aczkolwiek od tego czasu Globalfoundries zdradziło więcej szczegółów. Układy te mają mieć do 17 warstw metalizacji i charakteryzować się zwiększeniem wydajności do 40%. Pierwsze zestawy deweloperskie, dla projektantów tych układów mają być udostępnione w pierwszej połowie 2018 roku, a rok później rozpocząć ma się masowa produkcja układów scalonych w procesie 7LP.

    "Jesteśmy otwarci na produkcję w zakresie 7 nm" skomentował zwięźle Gary Patton, szef pionu technologicznego Globalfoundries. Rywal spółki - TSMC - już w marcu tego roku donosił, że do maja ma zamiar skompletować pierwsze projekty do produkcji w technologii 7 nm. Jak informowała TSMC proces ten ma przynieść o 3,3 raza gęstsze upakowanie bramek w układzie i albo 35% zwiększenie wydajności albo 60% zmniejszenie zapotrzebowania energetycznego w porównaniu do używanego obecnie procesy 16FF+.

    Samsung, na konferencji IEDM w zeszłym roku, prezentował 7 nm FinFETy o separacji wielkości 44..48 nm dla krzemu i 36 nm dla metalizacji. W marciu Intel donosił, że jego 10 nm układy, obecnie w produkcji, mają separację 36 nm dla metalizacji,m 34 nm dla pionowych struktur FETów i 54 nm dla bramek tych tranzystorów. Firmie udało się osiągnąć gęstość upakowania na poziomie 100,8 miliona tranzystorów/mm².

    "Nie reklamujemy się jak niewielkie odległości separacji udało nam się osiągnąć; mówimy jedynie, że mamy bardzo konkurencyjny proces 7 nm do zaoferowania" mówi Patton. "Nasi klienci używają naszych systemów projektowania do tworzenia swoich układów scalonych i wiedzą, jaką oferujemy gęstość upakowania elementów; obecnie jedynie zmieniamy delikatnie pewne detale, aby zachować konkurencyjność naszej oferty" dodaje.

    Jak donosi Samsung, chce on wykorzystać litografię EUV do produkcji układów 7 nm, ale oznacza to, że linie produkcyjne nie będą gotowe co najmniej do 2019 roku. Jednocześnie firma ta wprowadziła do oferty proces 8 nm, który ma być zupełnie niezależną częścią od opisanego 7 nm.

    Jak mówi Patton, Globalfoundries nie postrzega Intela i Samsunga jako bezpośrednich konkurentów. "Konkurencją dla nas są raczej inne firmy nastawione wyłącznie na produkcję układów scalonych" dodaje.

    TSMC zaoferowało, dla wielu ze swoich procesów technologicznych, różne odmiany, zależnie od aplikacji układu. Są one dostosowane do systemów serwerowych, mobilnych czy IoT. Analogicznie Globalfoundries, jak mówi Patton, oferować będzie procesy dopasowane do różnych napięć i zastosowań, włączając w to systemy kompatybilne z procesorami IBMa czy urządzenia mobilne. Firma oferuje w technologii 7 nm unikalne bloki serdes, które 'odziedziczła' po IBMie. Prędkość tych układów wynosi 60 lub 112 Gbit/s. Z innych elementów Gflobalfoundries jest w stanie zaoferować systemy umożliwiające projektowanie ARAMu o niskim napięciu zasilania czy modułów sieciowych TCAM o wysokiej wydajności. Układy produkowane w Globalfoundries mają możliwość obudów typu 2.5D jak i 3D. Obudowy typu 2.5D posiadają szereg chipów zintegrowanych na jednym podłożu krzemowym; w ostatnich latach zyskały one bardzo dużą popularność. Wiele układów produkowanych przez Globalfoundries w technologii 14 nm jest właśnie w ten sposób pakowanych, w szczególności do stosowań sieciowych czy obliczeniowych.

    Jak donosi Globalfoundries, firma zainstalować chce dwie linie EUV w swojej fabryce w Malcie w stanie Nowy Jork już w kolejnym kwartale. Jest to część przygotowań do uruchomienia produkcji w procesie 7 nm. Jak spodziewa się Patton, narzędzie te rozpoczną swoją pracę w roku 2019. Firma chce rozpocząć produkcję układów 7 nm już w przyszłym roku, więc w początkowej fazie wykorzystana zostanie litografia immersyjna z wielokrotnym naświetlaniem (do 3 razy) danego podłoża.

    EUV wykorzystane ma być m.in. do wytwarzania masek do metalizacji, o ile do 2020 roku układ ten oferować będzie odpowiednie możliwości - chodzi głównie o wolność od defektów, gdyż nawet niewielki defekt maski metalizacji jest w stanie zupełnie zepsuć produkowany układ. Czynnik ten jest jednym z głównych, powstrzymujących litografię EUV przed wejściem do wykorzystania na produkcji. Aby zmniejszyć ilość defektów specjaliści np. z Imec, opracowują specjalne błony mające zatrzymać zanieczyszczenia, bez absorbowania EUV. Ten aspekt EUV jednakże daje czerwone światło tej technologii.

    Globalfoundries aktualizuje swoje plany wykorzystania litografii EUV przy 7 nm


    Rezysty dla EUV także nie są jeszcze w pełni gotowe. Jak mówi Patton, to z kolei jest światłem żółtym. Obecnie kluczowym aspektem jest uzyskanie ostrzejszych linii bez degradacji przepustowości systemu.

    Fabryka firmy w Malta w stanie Nowy Jork to wynik ogromnej inwestycji Globalfoundries (ponad 12 miliardów dolarów). Do czerwca 2018 ma ona zwiększyć się jeszcze o 20%. Obecnie produkowane są tam układy 14 nm dla ponad 20 zamawiających je firm.

    Jeśli chodzi o dalsze perspektywy, to jak zauważa Patton "7 nm FinFET jest w stanie się dosyć rozciągnąć, ale czy stworzymy na tej podstawie technologię 6 bądź 5 nm nie wiadomo. Póki co konieczne jest poprawienie wydajności układów 7 nm m.in. z wykorzystaniem EUV, ale nie wiemy, czy wykorzystanie tej technologii fotolitografii pozwoli nam zmniejszyć układy 7 nm". Jeśli chodzi o przyszłość, to Patton, podobnie jak przedstawiciele Imec, spodziewa się, że w przyszłości - dla w pełni 5 nm procesu - konieczne będzie wykorzystanie mieszanych typów tranzystorów w układzie, między innymi elementów z doookólną bramką.

    Źródło: http://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1331887

    Fajne! Ranking DIY
    O autorze
    ghost666
    Tłumacz Redaktor
    Offline 
    Fizyk z wykształcenia. Po zrobieniu doktoratu i dwóch latach pracy na uczelni, przeszedł do sektora prywatnego, gdzie zajmuje się projektowaniem urządzeń elektronicznych i programowaniem. Od 2003 roku na forum Elektroda.pl, od 2008 roku członek zespołu redakcyjnego.
    ghost666 napisał 9418 postów o ocenie 7078, pomógł 157 razy. Mieszka w mieście Warszawa. Jest z nami od 2003 roku.
  • Computer Controls