Witam wszystkich.
Zaprojektowałem pewną przetwornicę DCDC typu boost (prototyp), która jest sterowana kit-em z uC EFM32 GIANT GECKO.
Schematu nie mam pod ręką.
Przetwornica jest na 1 płytce, zaś fabryczny kit rzecz jasna na osobnej płytce.Obie są połączone kablami sygnałowymi wielożyłowymi (szare taśmy, jak do starych HDD, złącza IDC o rastrze 2,54mm).Płytka KIT-u ma jedną wspólną masę , wyprowadzoną na różnych pinach i złączach.
GECKO podaje sygnały PWM na wejścia SGM, częstotliwość regulowana pomiędzy 21-59kHz.
Wyjścia PWM z GECKO mogą podawać max 20mA.
Przetwornica pobiera ze źródła napięcia 0.4..1,0V prądy do 3,5A, po konwersji ładowane są 4 akumulatorki NiMH.
Ogólnie rzecz biorąc na płytce jest układ (SGM4548) sterujący 2 kluczami MOSFET "N" (CSD 17507, zasilanie SGM z bootstrap-a), piki prądowe na bramkach MOSFET-ów mają do 2A, czasy ładowania poniżej 50ns.
Oprócz tego jest pomiar napięć WE i WY (WE ma tylko filtr RC, a WY ma dzielnik napięciowy (dzieli przez 2.5) z filtrem dolnoprzepustowym RC) , oraz prądów WE i WY na rezystorach pomiarowych (WE 2 miliomy, WY 100 miliomów), które powodują spadki napięcia, a te z kolei poprzez wzmacniacze INA210 są zwielokrotniane 200-krotnie (na wyjściach wzmacniaczy jest wtedy pomiędzy 50....2450mV).
Napięcie WE (0.4...1V-mierzone bez dzielnika), WY (1,6...2,32V po dzielniku), oraz napięcia wyjściowe ze wzmacniaczy INA210 (odpowiedniki prądów) w zakresie do 2,45V , również z filtrami RC, są mierzone przez pokładowe ADC mikrokontrolera GIANT GECKO.
Przetwornica działa bdb, dlatego robię zoptymalizowaną wersję płytki (zmniejszone impedancje ścieżek prądowych, skrócone ścieżki sygnałowe etc).
Zmiany w layoucie w stosunku do działającej wersji :
-3 osobne masy (GND ANALOG, GND POWER i GND DIGITAL),w prototypie były 2 masy (GND POWER- jedna duża płaszczyzna oraz GND DIGITAL połączone ze sobą rezystorem 0 Ohm)
-te 3 osobne masy są połączone rezystorami 0 Ohm w jednym punkcie blisko wejścia “mocy”, skąd planuję poprowadzić ścieżki do złącza IDC I dalej na płytkę kitu GIANT GECKO
Teraz pytania:
1)jak poprowadzić przewody masy z płytki przetwornicy, na płytkę KIT-u?
2)czy w tym płaskim kablu “przeplatać “ sygnały PWM żyłami masy, na pinach 1,2,3,4,5,6 etc wg wzorca (GND - HIGH_SIDE _GATE_CTRL – GND – LOW_SIDE_GATE_CTRL - GND I tak dalej) ?
Czy też lepiej np na 1,2 pinie dać PWM, potem na pinach 3,4,5,6 GND a resztę sygnałów analogowych dalej na 7,8,9,10?
3)którymi żyłami poprowadzić sygnały analogowe napięcia WE/WY I wyjścia wzmacniaczy operacyjnych, tak aby nie było zakłóceń na ADC?Czy wystarczy jak najdalej od sygnałów PWM?
4)czy ścieżki sygnałów PWM mogą zawierać przelotki (VIA)?
5)jak policzyć impedancję przelotek, czy jest się sens tym przejmować ?
6)aby zminimalizować zakłócenia generowane przez cewkę (SLF12575 z zamkniętym strumieniem magnetycznym) , czy stosować poligony pod cewką na płytce ? Jeśli tak, to z jakim potencjałem powinny być połączone ?
Każde info, ew. Linki do polskich instrukcji jak projektować layout takich płytek mile widziane.
Dzięki, r.
Zaprojektowałem pewną przetwornicę DCDC typu boost (prototyp), która jest sterowana kit-em z uC EFM32 GIANT GECKO.
Schematu nie mam pod ręką.
Przetwornica jest na 1 płytce, zaś fabryczny kit rzecz jasna na osobnej płytce.Obie są połączone kablami sygnałowymi wielożyłowymi (szare taśmy, jak do starych HDD, złącza IDC o rastrze 2,54mm).Płytka KIT-u ma jedną wspólną masę , wyprowadzoną na różnych pinach i złączach.
GECKO podaje sygnały PWM na wejścia SGM, częstotliwość regulowana pomiędzy 21-59kHz.
Wyjścia PWM z GECKO mogą podawać max 20mA.
Przetwornica pobiera ze źródła napięcia 0.4..1,0V prądy do 3,5A, po konwersji ładowane są 4 akumulatorki NiMH.
Ogólnie rzecz biorąc na płytce jest układ (SGM4548) sterujący 2 kluczami MOSFET "N" (CSD 17507, zasilanie SGM z bootstrap-a), piki prądowe na bramkach MOSFET-ów mają do 2A, czasy ładowania poniżej 50ns.
Oprócz tego jest pomiar napięć WE i WY (WE ma tylko filtr RC, a WY ma dzielnik napięciowy (dzieli przez 2.5) z filtrem dolnoprzepustowym RC) , oraz prądów WE i WY na rezystorach pomiarowych (WE 2 miliomy, WY 100 miliomów), które powodują spadki napięcia, a te z kolei poprzez wzmacniacze INA210 są zwielokrotniane 200-krotnie (na wyjściach wzmacniaczy jest wtedy pomiędzy 50....2450mV).
Napięcie WE (0.4...1V-mierzone bez dzielnika), WY (1,6...2,32V po dzielniku), oraz napięcia wyjściowe ze wzmacniaczy INA210 (odpowiedniki prądów) w zakresie do 2,45V , również z filtrami RC, są mierzone przez pokładowe ADC mikrokontrolera GIANT GECKO.
Przetwornica działa bdb, dlatego robię zoptymalizowaną wersję płytki (zmniejszone impedancje ścieżek prądowych, skrócone ścieżki sygnałowe etc).
Zmiany w layoucie w stosunku do działającej wersji :
-3 osobne masy (GND ANALOG, GND POWER i GND DIGITAL),w prototypie były 2 masy (GND POWER- jedna duża płaszczyzna oraz GND DIGITAL połączone ze sobą rezystorem 0 Ohm)
-te 3 osobne masy są połączone rezystorami 0 Ohm w jednym punkcie blisko wejścia “mocy”, skąd planuję poprowadzić ścieżki do złącza IDC I dalej na płytkę kitu GIANT GECKO
Teraz pytania:
1)jak poprowadzić przewody masy z płytki przetwornicy, na płytkę KIT-u?
2)czy w tym płaskim kablu “przeplatać “ sygnały PWM żyłami masy, na pinach 1,2,3,4,5,6 etc wg wzorca (GND - HIGH_SIDE _GATE_CTRL – GND – LOW_SIDE_GATE_CTRL - GND I tak dalej) ?
Czy też lepiej np na 1,2 pinie dać PWM, potem na pinach 3,4,5,6 GND a resztę sygnałów analogowych dalej na 7,8,9,10?
3)którymi żyłami poprowadzić sygnały analogowe napięcia WE/WY I wyjścia wzmacniaczy operacyjnych, tak aby nie było zakłóceń na ADC?Czy wystarczy jak najdalej od sygnałów PWM?
4)czy ścieżki sygnałów PWM mogą zawierać przelotki (VIA)?
5)jak policzyć impedancję przelotek, czy jest się sens tym przejmować ?
6)aby zminimalizować zakłócenia generowane przez cewkę (SLF12575 z zamkniętym strumieniem magnetycznym) , czy stosować poligony pod cewką na płytce ? Jeśli tak, to z jakim potencjałem powinny być połączone ?
Każde info, ew. Linki do polskich instrukcji jak projektować layout takich płytek mile widziane.
Dzięki, r.