Elektroda.pl
Elektroda.pl
X
IGE-XAO
Proszę, dodaj wyjątek dla www.elektroda.pl do Adblock.
Dzięki temu, że oglądasz reklamy, wspierasz portal i użytkowników.

Imec proponuje tranzystory 2D dla układów w technologiach poniżej 5 nm

ghost666 19 Lip 2017 08:54 1218 0
  • Imec proponuje tranzystory 2D dla układów w technologiach poniżej 5 nm
    Jak twierdzą przedstawiciele Imec z Leuven w Belgii projektanci urządzeń półprzewodnikowych mogą 'przedłużyć' życie prawa Moora, o ile dla systemów o wielkości charakterystycznej 5 nm i mniej wybiorą anizotropowe, dwuwymiarowe ośrodki, takie jak na przykład czarny fosfor. Na ten temat naukowcy rozmawiali właśnie na dorocznym spotkaniu Technologów Imec, które miało miejsce w San Francisco, przy okazji konferencji Semicon West, jaka odbyła się tam w dniach 11 - 13 lipca.

    Badacze z Imec zaprezentowali projekt, skupiający się na tranzystorach polowych dla aplikacji cyfrowych. Projekt realizowany jest w ramach szerszego programu dotyczącego układów CMOS. Dzięki optymalizacji projektu, urządzenia i samego materiału, naukowcom z Imec udało się wykorzystać do stworzenia układu elektronicznego monowarstwy czarnego fosforu. Materiał ten charakteryzuje się anizotropowymi własnościami elektrycznymi (i optycznymi - przyp.red.), na przykład masą efektywną nośników, zależną mocno od kierunku.

    Opracowany układ składał się z monowarstwy omawianego materiału, umieszczonego pomiędzy dwoma warstwami dielektryka o niskiej stałej dielektrycznej (niższej niż dla krzemionki). Tranzystor wyposażony został w dwie bramki, oddzielone od układu kolejną warstwą dielektryka o wysokiej stałej dielektrycznej. Na rysunku obok pokazano strukturę tego układu.

    Naukowcy zademonstrowali, że dzięki współoptymalizacji wielu parametrów takiego układu można bez problemu wyprodukować taki układ w technologii 10 nm. Tranzystor ten działa już dla napięcia zasilania poniżej 0,5 V. Warstwa dielektryka w układzie ma zaledwie 50 angsztremów - 0,5 nm. Dzięki tak małym tranzystorom możliwe będzie dalsze zagęszczanie tranzystorów - w rytm prawa Moora - w procesorach i innych układach scalonych..

    Badacze z Imec przewidują, że pokazana architektura, opracowane materiały oraz techniki optymalizacyjne pozwolą na zejście z rozmiarami FETów dużo poniżej 5 nm - do grubości jednej warstwy atomów i długości bramki na poziomie 0,2 nm. Pozwoliłoby to stać się tranzystorom polowym opartym o nanodruty prawdziwymi następcami obecnych FinFETów.

    Badacze z Imec zajmują się także analizą innych półprzewodników dwuwymiarowych pod kątem zastosowania w tranzystorach polowych, ale także jako elementy aktywne układów fotonicznych, optoelektronicznych itp. Materiały te mogą znaleźć swoje aplikacje m.in. w medycynie, jako sensory, w systemach przechowywania energii czy w ogniwach fotowoltaicznych.

    Imec współpracuje z szeroką rzeszą innych instytucji czy firm. Instytut współpracuje m.in. z uniwersytetem w Leuven czy w Pisie. Finansowanie dla opisanego powyżej projektu pochodzi z projektu Unii Europejskiej Graphene Flagship, dedykowanego do badania 'atomowo cienkich' materiałów. Badania prowadzone są wraz z partnerami komercyjnymi - firmami takimi jak GlobalFoundries, Huawei, Intel, Micron, Qualcomm, Samsung, SK Hynic, Sony Semicondcutor Solutions oraz TSMC.

    Jeśli jesteście mocniej zainteresowani samym tranzystorem, opartym o czarny fosfor, więcej na jego temat dowiedzieć się można z publikacji w Nature, która dostępna jest tutaj. Badacze opisali tam cały proces produkcji oraz optymalizacji tego 10 nm układu.

    Źródło: http://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1332005&

    Fajne! Ranking DIY
    O autorze
    ghost666
    Tłumacz Redaktor
    Offline 
    Fizyk z wykształcenia. Po zrobieniu doktoratu i dwóch latach pracy na uczelni, przeszedł do sektora prywatnego, gdzie zajmuje się projektowaniem urządzeń elektronicznych i programowaniem. Od 2003 roku na forum Elektroda.pl, od 2008 roku członek zespołu redakcyjnego.
    ghost666 napisał 9409 postów o ocenie 7054, pomógł 157 razy. Mieszka w mieście Warszawa. Jest z nami od 2003 roku.
  • IGE-XAO