Elektroda.pl
Elektroda.pl
X
Proszę, dodaj wyjątek www.elektroda.pl do Adblock.
Dzięki temu, że oglądasz reklamy, wspierasz portal i użytkowników.

Końcówka mocy do sterowania cewką wtryskiwacza LPG.

RaStol 15 Gru 2017 11:28 246 4
  • #1 15 Gru 2017 11:28
    RaStol
    Poziom 18  

    Witam.
    Chciałbym zbudować układ sterowania wtryskiwacza LPG (oznaczony symbolem cewki na schemacie) za pośrednictwem mikrokontrolera i końcówki mocy na tranzystorach MOSFET.
    Sterowanie cewką będzie przebiegało w trzech etapach.
    Pierwszy polega na forsowaniu prądu- górny tranzystor pozostaje zatkany, dolny przewodzi. Następny etap to podtrzymanie otwarcia- tranzystor górny zatkany, dolny kluczuje według sygnału PWM. Trzeci etap polega na szybkim wyłączeniu wtryskiwacza, aby wartość prądu szybko spadła do zera utrzymywane jest napięcie -35V które ogranicza dioda Zenera, aby napięcie mogło zostać utrzymane na tym poziomie górny klucz powinien być otwarty.
    O ile sterowanie dolnym tranzystorem nie sprawia problemu, mam problem z opracowaniem połączenia drugiego transoptora z Mosfetem P.
    Z góry dziękuje za podpowiedź.
    Pozdrawiam!

    0 4
  • Pomocny post
    #2 16 Gru 2017 10:09
    jarek_lnx
    Poziom 43  

    Cytat:
    Następny etap to podtrzymanie otwarcia- tranzystor górny zatkany, dolny kluczuje według sygnału PWM.
    Chyba coś ci się pomyliło - górny załączony.

    Popatrz na swój schemat dioda pasożytnicza górnego MOSFET-a będzie przewodziła niezależnie od sygnału sterującego - po prostu tranzystor jest źle dobrany do kierunku przepływu prądu.

    Widzę dwa rozwiązania.
    1. Dać tam NMOS-a źródłem do +12V do załączenia bramki będzie wymagał będzie wyższego napięcia niz zasilanie.
    2. Dać PMOS-a źródłem w kierunku diody, napięcie sterujące na bramce będzie ujemnie względem źródła, ale że napięcie na źródle będzie sie zmieniać w szerokim zakresie układ sterujący musi sobie z tym radzić.

    Jaką szybkość przełączania poszczególnych tranzystorów przewidujesz?

    0
  • #3 18 Gru 2017 16:19
    RaStol
    Poziom 18  

    Witam.
    Dziękuję za zainteresowanie tematem.
    Owszem, chodziło mi o załączenie górnego tranzystora.
    Myślę, że pierwsza opcja byłaby prostsza ze względu na sterowanie.
    A z uzyskaniem wyższego napięcia do załączania tranzystora nie będzie problemu.
    Czy ma Pan na myśli takie rozwiązanie?

    0
  • #5 18 Gru 2017 17:52
    jarek_lnx
    Poziom 43  

    RaStol napisał:
    Czy ma Pan na myśli takie rozwiązanie?
    Prawie dobrze, tylko dla górnego MOSFET-a dła bym pull-down do 12V, bo nie widzę potrzeby podawać -12V na bramkę, z kolei driver dolnego zasilił bym z 12V.

    Pytałem o szybkość, bo układy z transoptorami są powolne, a jeszcze gorzej że za wymuszenie stanu niskiego odpowiada rezystor o dużej wartości.
    Nie stosuję optoizolacji jeśli nie muszę, a ty musisz?

    0