Elektroda.pl
Elektroda.pl
X
Proszę, dodaj wyjątek www.elektroda.pl do Adblock.
Dzięki temu, że oglądasz reklamy, wspierasz portal i użytkowników.

Jak czytać karty katalogowe? Część 11 - tranzystory polowe

ghost666 10 Lip 2018 18:19 1323 11
  • W poprzedniej, dziesiątej części cyklu omawialiśmy ostatnie zagadnienia związane z analizą kart katalogowych tranzystorów bipolarnych. Omówiliśmy elementy o małej i dużej mocy, a także tranzystory o specjalnych zastosowaniach, takie jak tzw. tranzystory Darlingtona.

    'Problemem' tranzystorów bipolarnych (BJT), które opisywaliśmy w poprzednich trzech częściach było to, iż sterowane one były prądem. Inny rodzaj tranzystorów - tranzystory polowe (Field Effect Transistor - FET) pozbawiony jest tej 'wady' - sterowany jest napięciem. W tej i kolejnej części przyjrzymy się tego rodzaju elementom i ich kartom katalogowym.

    Czym w ogóle jest tranzystor FET i czym różni się od BJT? Na Wikipedii znajdziemy całkiem dobre wprowadzenie do tranzystorów FET - ich budowa, historia i rodzaj podział na poszczególne rodzaje tranzystorów polowych. Istnieje wiele rodzajów tranzystorów FET, na szczęście większość z nich dedykowana jest do różnych niszowych zastosowań. Podstawowe, najczęściej spotykane tranzystory polowe to elementy JFETy (złączowe FETy) i MOSFETYy (FETy metal-tlenek-półprzewodnik). Dostępne są także elementy IGBT czy DEPFET, jednakże nimi nie będziemy zajmować się w poniższym artykule.

    Najczęściej wykorzystuje się tranzystory MOSFET. Podobnie jak w przypadku elementów bipolarnych występują one w dwóch podstawowych rodzajach - z kanałem typu N oraz typu P.

    Jak czytać karty katalogowe? Część 11 - tranzystory polowe
    Tranzystory polowe wykorzystuje się także do produkcji układów scalonych. Niemalże wszystkie są one oparte o technologię CMOS - komplementarnych tranzystorów MOSFET. W tej aplikacji tranzystor z kanałem typu N i typu P połączone są tak, by stworzyć podstawową bramkę logiczną. Przykład takiej bramki pokazano po lewej stronie. Daje to ogromne zalety w postaci niskiego poboru prądu przez te układy.

    Zanim przystąpimy do głębszej analizy schematu pokazanego po lewej stronie, spróbujcie zgadnąć jakiego typu bramkę logiczną on przedstawia. W międzyczasie zajmijmy się analizą karty katalogowej przykładowych tranzystorów MOSFET niskiej mocy. Wyszukanie komplementarnej pary tranzystorów polowych małej mocy nie było jednak takie proste. jak dla tranzystorów bipolarnych. W końcu udało się znaleźć odpowiednią parę, produkowanych przez Microchipa elementów: TN2106 (MOSFET z kanałem typu N) oraz TN2104 (MOSFET z kanałem typu P).





    Jak zwykle sugerujemy, aby otworzyć sobie te karty katalogowe lub wręcz je wydrukować - znacznie ułatwi to nam ich analizę w trakcie czytania tego artykułu.

    Pierwsze co może rzucić nam się w oczy, to logo firmy Supertex - została ona zakupiona przez Microchipa w 2014, ale ten nie zadał sobie trudu, by je rebrandować. Oryginalnym producentem tych tranzystorów była firma Supertex. Dodatkowo, jeśli spróbujemy znaleźć informacje o tych elementach na stronie Microchipa, to o ile nie znamy dokładnych nazw elementów, to się nam to nie uda. nie wróży to dobrze, jeśli szukamy elementów, co do których chcemy mieć pewność, że jeszcze co najmniej jakiś czas dostępne będą w handlu.

    Na pierwszej stronie kart katalogowych widzimy, iż elementy te dostępne są w dwóch obudowach - TO-92 do montażu przewlekanego oraz SOT-23 do montażu powierzchniowego (SMD). Widzimy także, że elementy te różnią się istotnie parametrami BVDSS oraz RDS(ON) - nie są tak dobrze dopasowaną do siebie parą, jak tranzystory BJT, które omawialiśmy. Taka sytuacja jest dosyć częsta wśród tranzystorów tego rodzaju; wynika to z różnic w mobilności nośników - w półprzewodnikach domieszkowanych do typu N jest ona o wiele wyższa, niż w półprzewodnikach o domieszce typu P. Z tego faktu wynika także to, iż dla danego poziomu prądu prościej i taniej produkuje się elementy typu N niż ekwiwalenty typu P.

    Jeśli nie jesteś zaznajomiony z tranzystorami MOSFET, skróty używane w karcie katalogowej i powyższym akapicie mogą wydawać się mało zrozumiałe. Podobne skróty znajdziemy w tabeli zbierającej maksymalne parametry pracy opisywanych MOSFETów, którą także znajdziemy na pierwszych stronach tych dokumentów. Widzimy tam napięcia BVDSS oraz BVDGS, to napięcia przebicia. Kolejne dwa istotne parametry - RDS(ON) praz VGS(th) zdefiniowane są na stronie drugiej - są to, odpowiednio, rezystancja kanału w pełni otwartego tranzystora oraz oraz progowe napięcie bramka-źródło, dla którego kanał tranzystora zaczyna się otwierać (zaczyna przewodzić).

    Na drugiej stronie możemy znaleźć także termiczne parametry układu. Widzimy na górze drugiej strony tabelę z zebranymi wszystkimi parametrami. Potwierdzają one, że mamy do czynienia z układem niewielkiej mocy - rezystancja termiczna jest dosyć wysoka, a maksymalna rozpraszana moc niewielka. Parametry te są identyczne dla obu tranzystorów - z kanałem typu N i typu P. Różnią się one natomiast maksymalnym dopuszczalnym prądem drenu - dla tranzystora z kanałem typu N jest on zauważalnie większy. Jest to w pełni spójne z parametrami RDS(ON) tych tranzystorów - element z kanałem typu P ma tą rezystancję zauważalnie większą.

    Ale czym w sumie jest rezystancja RDS(ON) i dla jakich parametrów jest ona podawana? Jak pisaliśmy powyżej, jest to rezystancja kanału układu w momencie, gdy MOSFET jest w pełni włączony, ale co to znaczy? Musimy uściślić trochę terminologii.

    W przypadku tranzystorów BJT, mówimy o saturacji elementu, gdy jest on w pełni włączony. Dla takiego stanu definiuje się minimalny spadek napięcia na tranzystorze. Niestety, terminologia dotycząca tranzystorów polowych jest inna. Tranzystor polowy, gdy jest w pełni włączony, pracuje w tak zwanym regionie triodowym swojej charakterystyki (zwanym także omowym lub po prostu liniowym). W przypadku tranzystorów BJT spadek napięcia, podawany jako minimalny, tj. w stanie nasycenia, wcale nie jest najmniejszy - gdy tranzystor bipolarny jest nasycony, to spadek napięcia na nim jest większy niż w innych regionach charakterystyki. Dlatego też lepiej mówić o stanach ON i OFF - włączonym i wyłączonym - w przypadku tranzystora MOSFET. W ten sposób unikniemy jakichkolwiek nieporozumień i problemów z terminologią.

    Jeśli chodzi o problemy z terminologią, to idąc dalej - na stronie 3 (dla TN2106) lub stronie 4 (dla TN2104) widzimy wykresy podpisane jako charakterystyka nasycenia, ale pokazują one fragment krzywej dla regionu triodowego. Sami producenci nie pomagają nam w rozjaśnieniu zawiłości terminologii do opisu tych elementów.

    Wracając do RDS(ON) - jeśli spojrzymy na wykresy podpisane jako charakterystyka nasycenia, widzimy że wraz z zbliżaniem się do napięcia równego zero każda z krzywych przechodzi przez obszar, który est w przybliżeniu liniowy. Odwrotność nachylenia tej krzywej to właśnie rezystancja RDS(ON) (zgodnie z prawem Ohma). Na tych wykresach widzimy cały szereg krzywych, które - jak wskazuje opis - różnią się napięciem bramka-źródło (VGS). Oznacza to, że rezystancja RDS(ON) zależna jest od VGS. Jeśli teraz wrócimy na stronę drugą, widzimy, że RDS(ON) podawany jest dla dwóch napięć VGS. Dla tranzystora TN2106 pierwsza wartość wynosi 5 Ω przy VGS = 4,5 V oraz 2,4 Ω przy VGS = 10 V (analogicznie dla tranzystora z kanałem typu P wartości te wynoszą 10 Ω przy VGS = 4,5 V praz 6 Ω przy VGS = 10 V). Wszystkie te parametry zgadzają się z tym, co możemy odczytać z wykresów w karcie katalogowej. Jeśli jednak wrócimy do tabeli z maksymalnymi parametrami, to widzimy, że podana jest tylko mniejsza z dwóch rezystancji RDS(ON).

    Jest to trochę rozczarowujące, że maksymalna rezystancja RDS(ON) w tabeli to ten "lepszy scenariusz". Załóżmy, że chcemy sterować tymi tranzystorami z poziomu mikrokontrolera, więc raczej nie przekroczymy napięcia 5 V na bramce. W takiej sytuacji w naszym układzie raczej wyższa z dwóch podanych wartości RDS(ON) będzie bliższa rzeczywistości. Jeśli projektowalibyśmy układ w oparciu tylko o dane z pierwszych dwóch stron karty katalogowej, to moglibyśmy być trochę rozczarowani jego działaniem, jednakże to byłaby nasza wina - nie zweryfikowaliśmy danych z pierwszej strony dokładniejszymi danymi z dalszej części karty katalogowej.

    Wiedząc teraz ile wynosi RDS(ON) naszego tranzystora w naszej aplikacji możemy policzyć ile mocy będzie się na nim rozpraszało w czasie pełnego otwarcia. Jako że P = I x V, a napięcie na tranzystorze MOSFET (spadek napięcia) wynosi V = I x RDS(ON) to P = I² x RDS(ON). Jeśli chcemy teraz sterować z pomocą naszego 5 V mikrokontrolera obciążeniem pobierającym 200 mA otrzymujemy: P = (200 mA)² x 5 Ω = 200 mW dla elementu z kanałem typu N. Moc ta jest w zakresie pracy tego tranzystora, więc bez problemu możemy zastosować go w naszej aplikacji.

    Trzeba przyznać, że parametry tego tranzystora są dalekie od imponujących. Z pewnością, nawet do tej aplikacji, możliwe było znalezienie lepszego elementu. Macie może jakieś swoje propozycje?

    Jak czytać karty katalogowe? Część 11 - tranzystory polowe

    Jeśli chodzi natomiast o układ tranzystorów z schematu powyżej, to myślę, że spojrzenie na wyniki symulacji (po prawej) rozjaśni jaka to bramka - to NAND.

    To tyle gwoli wprowadzenia do tranzystorów polowych oraz omówienia tranzystorów MOSFET małej mocy. W kolejnej części omówimy karty katalogowe tranzystorów tego rodzaju o większej mocy, a póki co zapraszam do komentowania artykułu i zadawania pytań do tematu.

    Źródło: https://www.eeweb.com/profile/elizabeth-simon/articles/how-to-read-data-sheets-field-effect-transistors-fets


    Fajne!
  • #2 10 Lip 2018 23:47
    krisRaba
    Poziom 25  

    ghost666 napisał:
    RDS(ON) praz VGS(th) zdefiniowane są na stronie drugiej - są to, odpowiednio, rezystancja kanału w pełni otwartego tranzystora oraz oraz progowe napięcie bramka-źródło, które zapewnia iż tranzystor będzie w pełni otwarty.

    No nie bardzo ;) Od tego napięcia ZACZYNA przewodzić i może mu być jeszcze daleko do pełnego otwarcia...

  • #3 11 Lip 2018 01:30
    duzy_mis
    Poziom 9  

    Cytat:

    Jeśli chodzi natomiast o układ tranzystorów z schematu powyżej, to myślę, że spojrzenie na wyniki symulacji (po prawej) rozjaśni jaka to bramka - to XOR.


    To jednak mi bardziej NAND przypomina.

  • #4 11 Lip 2018 09:08
    ghost666
    Tłumacz Redaktor

    duzy_mis napisał:
    Cytat:

    Jeśli chodzi natomiast o układ tranzystorów z schematu powyżej, to myślę, że spojrzenie na wyniki symulacji (po prawej) rozjaśni jaka to bramka - to XOR.


    To jednak mi bardziej NAND przypomina.


    Słuszna uwaga - poprawione.

    Dodano po 7 [godziny] 35 [minuty]:

    krisRaba napisał:
    ghost666 napisał:
    RDS(ON) praz VGS(th) zdefiniowane są na stronie drugiej - są to, odpowiednio, rezystancja kanału w pełni otwartego tranzystora oraz oraz progowe napięcie bramka-źródło, które zapewnia iż tranzystor będzie w pełni otwarty.

    No nie bardzo ;) Od tego napięcia ZACZYNA przewodzić i może mu być jeszcze daleko do pełnego otwarcia...


    To także poprawione. Dziękuję za uwagi, bo to znaczy, że ktoś czyta te artykuły :)

  • #5 11 Lip 2018 12:20
    AGrodecki
    Poziom 14  

    Czyta, i się załamuje nad wszechobecną beznadzieją.
    Po raz kolejny apeluję i teraz napiszę już bardziej wprost. Jeśli ktoś ma ambicje żeby uczyć, to najpierw sam musi mieć wiedzę o co najmniej 2 stopnie na wyższym poziomie niż uczeń.
    Te artykuły są na poziomie grafomańskich wypocin magistra inżyniera który skończył studia z tróją na dyplomie a na studia poszedł po technikum Kasprzaka.
    Jest to tragicznie uproszczony przekaz, jaki ciężko znaleźć w jakiejkolwiek książce. Nie chodzi mi o to, że literatura ma się składać z niezrozumiałej naukowej gadki gęsto przetkanej wzorami których przeciętny nawet inżynier nie pojmie w ząb. Ale są jednak jakieś granice...
    Przysłowiowe (a raczej dosłowne) sprowadzanie właściwości tranzystora bipolarnego do "bety" i tranzystora polowego do Rdson i Vb, to coś pomiędzy żenada i tragedią. Co szkodliwe - powoduje przeświadczenie, że reszta danych to są jakieś zbędne bzdety.
    I jak się potem dziwić, że prawie nikt nic nie umie?
    Noty katalogowe czytają projektanci. Amatorzy w zasadzie składają to co ktoś inny zaprojektował. Projektant musi rozumieć WSZYSTKIE bez wyjątku parametry elementu, które w nocie katalogowej są umieszczone, żeby je móc ocenić i selekcjonować. Bo wszystkie są niezmiernie ważne, zależnie od zastosowania jedne mniej, inne bardziej.

  • #6 13 Lip 2018 11:23
    djfarad02
    Poziom 17  

    AGrodecki napisał:
    Czyta, i się załamuje nad wszechobecną beznadzieją.
    Po raz kolejny apeluję i teraz napiszę już bardziej wprost. Jeśli ktoś ma ambicje żeby uczyć, to najpierw sam musi mieć wiedzę o co najmniej 2 stopnie na wyższym poziomie niż uczeń.
    Te artykuły są na poziomie grafomańskich wypocin magistra inżyniera który skończył studia z tróją na dyplomie a na studia poszedł po technikum Kasprzaka.
    Jest to tragicznie uproszczony przekaz, jaki ciężko znaleźć w jakiejkolwiek książce. Nie chodzi mi o to, że literatura ma się składać z niezrozumiałej naukowej gadki gęsto przetkanej wzorami których przeciętny nawet inżynier nie pojmie w ząb. Ale są jednak jakieś granice...
    Przysłowiowe (a raczej dosłowne) sprowadzanie właściwości tranzystora bipolarnego do "bety" i tranzystora polowego do Rdson i Vb, to coś pomiędzy żenada i tragedią. Co szkodliwe - powoduje przeświadczenie, że reszta danych to są jakieś zbędne bzdety.
    I jak się potem dziwić, że prawie nikt nic nie umie?
    Noty katalogowe czytają projektanci. Amatorzy w zasadzie składają to co ktoś inny zaprojektował. Projektant musi rozumieć WSZYSTKIE bez wyjątku parametry elementu, które w nocie katalogowej są umieszczone, żeby je móc ocenić i selekcjonować. Bo wszystkie są niezmiernie ważne, zależnie od zastosowania jedne mniej, inne bardziej.


    Po co hejtować podjęte przez redaktorów próby ratowania forum tłumaczeniami? Jeśli artykuł jest dla początkujących to normalne, że zaczyna się od uproszczeń. Jakoś dziwnym trafem często tak jest, że autorzy anglojęzycznych książek (nie mówię tu akurat o tym artykule) potrafią skomplikowane rzeczy przedstawić w przystępny sposób - to jest własnie wyznacznik dobrego opanowania wiedzy. Z kolei gorsze publikacje to nadęte cegły, gdzie autorzy chwalą się swoimi teoretycznymi wypocinami. Teorię trzeba umieć dołączyć do przedstawianych zjawisk a nie na odwrót.

  • #7 14 Lip 2018 23:34
    odalladoalla
    Poziom 16  

    AGrodecki napisał:
    Czyta, i się załamuje nad wszechobecną beznadzieją.
    Po raz kolejny apeluję i teraz napiszę już bardziej wprost. ...
    Jest to tragicznie uproszczony przekaz, jaki ciężko znaleźć w jakiejkolwiek książce. ...
    I jak się potem dziwić, że prawie nikt nic nie umie?
    .

    Człowieku nikt ciebie nie zmusza do "czytania tych wypocin"-skoro jesteś doktorem nauk wszelakich to czytaj dysertacje CERN a nie wchodź na popularnonaukowe bajki.
    Paru osobom odpowiada ta forma i ten zakres wiedzy, na twoje żądanie nie musi się całe forum dostosowywać do "twojego widzimisię"-wyraziłeś się a teraz przestań mędzić kolejny raz.Akurat ten cykl to całkiem merytoryczny przykład działalności Pana ghost666.

  • #8 16 Lip 2018 09:28
    ghost666
    Tłumacz Redaktor

    odalladoalla napisał:
    AGrodecki napisał:
    Czyta, i się załamuje nad wszechobecną beznadzieją.
    Po raz kolejny apeluję i teraz napiszę już bardziej wprost. ...
    Jest to tragicznie uproszczony przekaz, jaki ciężko znaleźć w jakiejkolwiek książce. ...
    I jak się potem dziwić, że prawie nikt nic nie umie?
    .

    Człowieku nikt ciebie nie zmusza do "czytania tych wypocin"-skoro jesteś doktorem nauk wszelakich to czytaj dysertacje CERN a nie wchodź na popularnonaukowe bajki.
    Paru osobom odpowiada ta forma i ten zakres wiedzy, na twoje żądanie nie musi się całe forum dostosowywać do "twojego widzimisię"-wyraziłeś się a teraz przestań mędzić kolejny raz.Akurat ten cykl to całkiem merytoryczny przykład działalności Pana ghost666.



    Z uwagi na takie komentarze redakcja portalu zadecydowała o wstrzymaniu publikacji tego cyklu. Obecnie jestem na etapie szukania odpowiednio zaawansowanych treści, aby użytkownicy-eksperci także mogli się czegoś dowiedzieć. Chętnie posłucham czy kol. AGrodecki ma jakieś sugestie.

  • #9 16 Lip 2018 10:52
    Jawi_P
    Poziom 32  

    ghost666 napisał:
    Z uwagi na takie komentarze redakcja portalu zadecydowała o wstrzymaniu publikacji tego cyklu. Obecnie jestem na etapie szukania odpowiednio zaawansowanych treści, aby użytkownicy-eksperci także mogli się czegoś dowiedzieć. Chętnie posłucham czy kol. AGrodecki ma jakieś sugestie.

    Czyli wystarczy jeden kolega "AGrodecki", który przez 13 lat obecności na forum zostawił po sobie całe 59 postów, z czego 1/3 to jakiś hejt,a część leży w koszu by wstrzymać publikację artykułów?
    Bez przesady. Artykuły tego rodzaju są potrzebne, powinny być uproszczone bo są przeznaczone w zasadzie dla amatorów.
    Błędy jakie się pojawiają, są wskazywane w komentarzach i można je prostować.
    Co do samego artykułu:
    Ja osobiście czytam je sobie z przyjemnością.
    Uważam, że brakuje w tych artykułach większego odniesienia do DS. Analiza linijka po linijce ważniejszych parametrów z wykresami co ważniejszymi włącznie. Tak dla przykładu.
    Brakuje do szczęścia tez jakiegoś przykładu z wyliczeniami, ale nie tylko RDS(on) i mocy traconej.
    Ja częściowo muszę przyznać, że artykuł jest zbyt ogólnikowy. Mało interesujące jest, jakiej jest firmy tranzystor, kto kogo kupił i kiedy zmienił nazwę etc.
    Ja rozumiem, że artykuł jest wstępem do tematu i omawia tranzystor jako taki i odnosi się w ogólności do egzemplarzy małej mocy.. I tak go traktuję. Takie zagadnienia jak, pojemność bramki i wartość prądu potrzebnego do sterowania nim, wpływ częstotliwości przełączania na moc traconą etc. znalazły by się czy mam nadzieje znajdą bo artykuł powstanie, w części dotyczącej tranzystorów MOSfet dużej mocy, bo raczej wtedy częściej analizujemy pojemności bramki, częstotliwości przełączania czy bierzemy pod uwagę pracę liniową czy impulsową tranzystorów.

    Potem jak ktoś podłącza MOSa do Arduino i się dziwi, że prąd mały płynie, że grzeje się itd. to można tylko podać linka i niech sam analizuje gdzie błąd popełnił ;)

  • #10 17 Lip 2018 12:53
    Janusz_kk
    Poziom 15  

    Jawi_P napisał:
    Takie zagadnienia jak, pojemność bramki i wartość prądu potrzebnego do sterowania nim, wpływ częstotliwości przełączania na moc traconą etc. znalazły by się czy mam nadzieje znajdą bo artykuł powstanie, w części dotyczącej tranzystorów MOSfet dużej mocy, bo raczej wtedy częściej analizujemy pojemności bramki, częstotliwości przełączania czy bierzemy pod uwagę pracę liniową czy impulsową tranzystorów.


    Ale taki artykuł już powstał https://www.elektroda.pl/rtvforum/topic3474295.html po co powielać, w tamtym temacie trzeba uściślić
    parę rzeczy i będzie ok.

  • #11 17 Lip 2018 13:41
    Jawi_P
    Poziom 32  

    Janusz_kk napisał:
    Ale taki artykuł już powstał https://www.elektroda.pl/rtvforum/topic3474295.html po co powielać, w tamtym temacie trzeba uściślić
    parę rzeczy i będzie ok.

    Dzięki wielkie, przegapiłem ten temat.
    Mam tu na myśli generalnie coś prostego bo te artykuły mają na celu pomóc co ogarnąć dokumentację, nie samo zastosowanie elementu.
    Może w tych tematach powinny być od razu linki dla dociekliwych. Tu powinno być tylko to co ściśle dotyczy dokumentacji i ewentualnie mały przykład w celu zrozumienia parametru jeżeli w ogóle taka konieczność zajdzie.

  • #12 18 Lip 2018 19:57
    AGrodecki
    Poziom 14  

    Owszem, mam sugestię. Sprowadza się ona do 3 zasad:
    1. to co robisz, rób dobrze
    2. jeśli nie potrafisz, nie pchaj się na afisz
    3. dobre chęci się nie liczą, tylko efekt
    Otóż gdyby to było zatytułowane "podstawowe właściwości elementów dla radioamatorów", to nawet słowem bym nie pisnął. Bo wiadomo, że naukę rozpoczyna się od ogółu a potem (niektórzy) przechodzą do głębszych szczegółów. Ale na taki nadęty tytuł "jak czytać karty katalogowe" zareagowałem alergicznie. Bo tytuł sugeruje zawartość. Tymczasem zawartość świadczy bardzo wyraźnie o tym, że sam autor nie tylko czytać kart katalogowych nie umie (a więc i innych nie nauczy, nie ma na to szans), ale że w ogóle prezentuje sobą miałki poziom merytoryczny. Czyli na nauczyciela nie nadaje się. Nauczyciel oprócz talentu do nauczania musi mieć wiedzę. Bo jeśli Marcin zabiera się za nauczanie Marcina, to skutek jest wiadomy.
    Z doświadczenia wiem, jak FATALNA jest znajomość podstaw elektroniki przez ludzi którzy nazywają siebie elektronikami i nawet maja jakieś tytuły. Betonowanie tego stanu jest szkodliwe społecznie, gospodarczo i uważam że mam prawo zwracać na to uwagę.
    Nie chodzi mi o flekowanie autora czy tłumacza, tylko o wywołanie refleksji, że może faktycznie jest coś nie tak. A jeśli to nie pomoże, to trudno. Mnie to szkody nie przynosi, tylko czytelnikom, którzy tu sobie uzupełniają wiedzę. Bo mają alergię to książek na przykład. Więc proszę na mnie nie pyszczyć tylko z szacunkiem odnieść się do prawdziwych odbiorców. Żeby im krzywdy nie czynić.