Układ produkowany jest w obudowie eSOP z odstępem izolacyjnym do 9,5 mm, co upraszcza projektowanie PCB zapewniającego wysoki poziom izolacji galwanicznej. Izolacja ta w samym układzie zrealizowana jest przy wykorzystaniu stałego dielektryka w technologii FluxLink, opatentowanej przez PI. Dzięki prądowi wyjściowemu do 8 A, układ jest w stanie sterować urządzeniami półprzewodnikowymi przełączającymi prąd nawet do 600 A, bez potrzeby stosowania dodatkowych elementów w systemie.
Jeśli jednak chcemy sterować z pomocą tego drivera większymi tranzystorami, to dodać można prosty układ boostera do wyjścia, który pozwoli przekroczyć w/w parametry.
Sterownik bramki oferuje bipolarne wyjście, zapewniające sterowanie bramki tak napięciem dodatnim, jak i ujemnym, co wymagane jest w przypadku większości modułów IGBT. Wszystko to przy pojedynczym, niesymetrycznym zasilaniu drivera.
Oprócz podstawowej funkcjonalności, opisanej powyżej, sterownik zapewnia zaawansowane zabezpieczenie przeciwzwarciowe (DESAT) oraz Zaawansowane Miękkie Wyłączanie tranzystora (ASSD) i zabezpieczenie przed zbyt niskim zapięciem (UVLO) dla wejść i wyjść po pierwotnej i wtórnej stronie układu. Wszystkie wejścia i wyjścia sterownika są rail-to-rail, a cały system jest skompensowany termicznie, co zapewnia mu bezpieczną pracę nawet w najtrudniejszych warunkach. Układ pracować może w zakresie temperatur otoczenia od -40°C do 125°C.
Sygnały sterujące (PWM oraz wyjście fault) pracują w standardzie logiki CMOS 5 V, ale z wykorzystaniem zewnętrznego dzielnika napięci, można je podnieść aż do 15 V, jeśli zachodzi taka potrzeba.
Układ doskonale nadaje się do przełączania z dosyć wysoką częstotliwością (jak na tak ogromne prądy) - maksymalna częstotliwość przełączania bramki to 75 kHz. Czas propagacji w układzie wynosi 260 ns z szumem fazowym na poziomie nie większym niż ±5 ns.
Źródło: https://www.eeweb.com/profile/power-integrations/articles/up-to-8-a-single-channel-igbt-mosfet-gate-driver-providing-basic-galvanic-isolation-for-1700-v-igbt-and-mosfet[