Elektroda.pl
Elektroda.pl
X

Search our partners

Find the latest content on electronic components. Datasheets.com
Elektroda.pl
Please add exception to AdBlock for elektroda.pl.
If you watch the ads, you support portal and users.

Nowy kontroler bramki dla tranzystorów MOSFET i modułów IGBT

ghost666 07 Jan 2019 08:11 1014 2
Ochrona Domu
  • Nowy kontroler bramki dla tranzystorów MOSFET i modułów IGBT
    W ofercie firmy Power Integrations pojawił się nowy, scalony driver bramek, dedykowany do sterowania tranzystorami MOSFET i modułami IGBT o napięciu pracy do 1700 V. Układ SIF1183K zapewnia do 8 A prądu na wyjściu sterującym bramką oraz podstawową izolację galwaniczną wyjścia.

    Układ produkowany jest w obudowie eSOP z odstępem izolacyjnym do 9,5 mm, co upraszcza projektowanie PCB zapewniającego wysoki poziom izolacji galwanicznej. Izolacja ta w samym układzie zrealizowana jest przy wykorzystaniu stałego dielektryka w technologii FluxLink, opatentowanej przez PI. Dzięki prądowi wyjściowemu do 8 A, układ jest w stanie sterować urządzeniami półprzewodnikowymi przełączającymi prąd nawet do 600 A, bez potrzeby stosowania dodatkowych elementów w systemie.

    Jeśli jednak chcemy sterować z pomocą tego drivera większymi tranzystorami, to dodać można prosty układ boostera do wyjścia, który pozwoli przekroczyć w/w parametry.

    Sterownik bramki oferuje bipolarne wyjście, zapewniające sterowanie bramki tak napięciem dodatnim, jak i ujemnym, co wymagane jest w przypadku większości modułów IGBT. Wszystko to przy pojedynczym, niesymetrycznym zasilaniu drivera.

    Nowy kontroler bramki dla tranzystorów MOSFET i modułów IGBT


    Oprócz podstawowej funkcjonalności, opisanej powyżej, sterownik zapewnia zaawansowane zabezpieczenie przeciwzwarciowe (DESAT) oraz Zaawansowane Miękkie Wyłączanie tranzystora (ASSD) i zabezpieczenie przed zbyt niskim zapięciem (UVLO) dla wejść i wyjść po pierwotnej i wtórnej stronie układu. Wszystkie wejścia i wyjścia sterownika są rail-to-rail, a cały system jest skompensowany termicznie, co zapewnia mu bezpieczną pracę nawet w najtrudniejszych warunkach. Układ pracować może w zakresie temperatur otoczenia od -40°C do 125°C.

    Sygnały sterujące (PWM oraz wyjście fault) pracują w standardzie logiki CMOS 5 V, ale z wykorzystaniem zewnętrznego dzielnika napięci, można je podnieść aż do 15 V, jeśli zachodzi taka potrzeba.

    Układ doskonale nadaje się do przełączania z dosyć wysoką częstotliwością (jak na tak ogromne prądy) - maksymalna częstotliwość przełączania bramki to 75 kHz. Czas propagacji w układzie wynosi 260 ns z szumem fazowym na poziomie nie większym niż ±5 ns.

    Źródło: https://www.eeweb.com/profile/power-integrations/articles/up-to-8-a-single-channel-igbt-mosfet-gate-driver-providing-basic-galvanic-isolation-for-1700-v-igbt-and-mosfet[

    Cool? Ranking DIY
    About Author
    ghost666
    Translator, editor
    Offline 
    Fizyk z wykształcenia. Po zrobieniu doktoratu i dwóch latach pracy na uczelni, przeszedł do sektora prywatnego, gdzie zajmuje się projektowaniem urządzeń elektronicznych i programowaniem. Od 2003 roku na forum Elektroda.pl, od 2008 roku członek zespołu redakcyjnego.
    ghost666 wrote 11009 posts with rating 9359, helped 157 times. Live in city Warszawa. Been with us since 2003 year.
  • Ochrona Domu
  • #2
    EndrYou
    Level 12  
    Trzeba podchodzić z szczególną ostrożnością do ich produktów oferowanych na aliexpres. Układy LDI** i IGD** jak i całe drivery seri 2sc nigdy mi nie działały i ewidentnie malowanki. Drivery z Mouser 'a były ok.
  • #3
    krzysiek_krm
    Level 40  
    EndrYou wrote:
    Trzeba podchodzić z szczególną ostrożnością do ich produktów oferowanych na aliexpres.

    Trzeba z ostrożnością podchodzić do wszystkiego co tam jest oferowane.