Elektroda.pl
Elektroda.pl
X
Proszę, dodaj wyjątek www.elektroda.pl do Adblock.
Dzięki temu, że oglądasz reklamy, wspierasz portal i użytkowników.

WB czy WE w strefie pracy nasycenia. Charakterystyka pracy tranzystora.

Xenon02 11 Sty 2019 14:40 162 4
  • #1 11 Sty 2019 14:40
    Xenon02
    Poziom 8  

    Witam!

    Mam takie szybkie pytanko, bo nie jestem pewny czy dobrze interpretuję ten wykres, bo próbuję zrozumieć stan pracy tranzystora.

    Np w stanie nasycenia :
    Im większy prąd Ic tym większy Uce a Ib jest stałe (w innych wykresach jest dorysowane jeszcze zakres do ilu można zwiększyć i do jakiej mocy ale tej części Narazie nie włączam) :)

    Jeśli dobrze to interpretuję to resztę na takiej samej zasadzie zinterpretuję. Tylko potrzebuję jakby potwierdzenia. Bo widziałem że Uce nie powinien rosnąć chociaż dalej w charakterystyce wzrost jest bardzo mały (od momentu stałej Ib).

    I czy ta charakterystyka jest tylko do układu pracy WE czy też działa na innych układach.
    W układzie WB wzmocnienie napięciowe jest równe 1 czyli bardzo małe a np przy pracy WE w strefie pracy nasycenia jest podobnie wzmocnienie napięcia jest bardzo małe a duże jest wzmocnienie prądu jak w pracy WB. Kiedy mam używać daną pracę na danym układzie?

    WB czy WE w strefie pracy nasycenia. Charakterystyka pracy tranzystora.

    Z góry dziękuję za każdą pomoc :D

    0 4
  • #2 11 Sty 2019 23:45
    cefaloid
    Poziom 30  

    Xenon02 napisał:

    Np w stanie nasycenia :
    Im większy prąd Ic tym większy Uce
    Stan nasycenia to stan w którym prąd bazy jest na tyle duży, że obwód kolektora nie jest w stanie dostarczyć prądu β razy większego. Napięcie kolektor-emiter spada wtedy więc do niewielkiej wielkości rzędu 0.3V.
    A więc w stanie nasycenia nie ma czegoś takiego jak 'im większy Ic'. W stanie nasycenie on jest największy jaki jesteś w stanie wydusić. Oczywiście napięcie przy którym tranzystor zaczyna się nasycać zależy od prądu kolektora i wzrasta wraz z tym prądem.

    WB czy WE w strefie pracy nasycenia. Charakterystyka pracy tranzystora.

    Obszar zakreskowany to właśnie obszar nasycenia.

    Xenon02 napisał:
    czy ta charakterystyka jest tylko do układu pracy WE czy też działa na innych układach.

    Tylko dla WE.
    Przykładowo dla wspólnej bazy charakterystyka wyjściowa wygląda o tak:
    WB czy WE w strefie pracy nasycenia. Charakterystyka pracy tranzystora.

    Xenon02 napisał:
    W układzie WB wzmocnienie napięciowe jest równe 1 czyli bardzo małe a np przy pracy WE w strefie pracy nasycenia jest podobnie wzmocnienie napięcia jest bardzo małe a duże jest wzmocnienie prądu jak w pracy WB.

    Nie. W układzie WB wzmocnienie prądowe jest bliskie 1 a napięciowe jest duże. Odwrotnie niż piszesz.

    0
  • #3 12 Sty 2019 00:26
    Xenon02
    Poziom 8  

    cefaloid napisał:
    Tylko dla WE.


    Warto wiedzieć że dla WE :D Myślałem że to dla każdej z układów

    cefaloid napisał:
    Nie. W układzie WB wzmocnienie prądowe jest bliskie 1 a napięciowe jest duże. Odwrotnie niż piszesz.


    No tak racja moja pomyłka. Ale wciąż mam jeszcze pytanie co do WC bo prąd jest duży a napięcie = 1. A w WB przy pracy nasycenia również ma duży prąd Ic i małe napięcie

    Dodano po 4 [minuty]:

    Oraz jak zauważyłem to jak wziąłem za przykład stan pracy nasycenia.

    WB czy WE w strefie pracy nasycenia. Charakterystyka pracy tranzystora.

    Przy stałej Ib np. 10 uA (mogę "wydusić" maksymalnie 1mA w Ic) ale może się zmienić napięcie w Uce.

    0
  • #4 12 Sty 2019 16:43
    cefaloid
    Poziom 30  

    To co zaznaczyłeś na wykresie to NIE jest stan nasycenia.
    Stan nasycenia jest w obszarze który jest zakreskowany w mojej poprzedniej wypowiedzi.

    To co zaznaczyłeś to zakres normalnej pracy. I w tym zakresie pracy prąd kolektora zależy przede wszystkim od prądu bazy, a w bardzo znikomym zakresie od napięcia Uce.

    0
  • #5 13 Sty 2019 02:11
    Xenon02
    Poziom 8  

    WB czy WE w strefie pracy nasycenia. Charakterystyka pracy tranzystora.

    No w sumie racja. Jak patrzyłem na układy z nasyceniem to zawsze były mały Uce.

    W charakterystyce zwrotnej również widzę stan aktywny. patrząc na charakterystykę wejściową (to ten krótki obszar jak w nasyceniu to obszar odcięcia ?)

    A w przejściowej to raczej nie ma obszaru aktywnego (chyba że jednak jest)

    WB czy WE w strefie pracy nasycenia. Charakterystyka pracy tranzystora.

    Patrzę na to z perspektywy tego obrazka.

    I jeszcze chciałbym też wiedzieć bo zadałem to na początku

    W układzie WC wzmocnienie napięciowe jest równe 1 czyli bardzo małe a np przy pracy WE w strefie pracy nasycenia jest podobnie wzmocnienie napięcia jest bardzo małe a duże jest wzmocnienie prądu jak w pracy WC. Kiedy mam używać daną pracę na danym układzie?

    0