Elektroda.pl
Elektroda.pl
X
Proszę, dodaj wyjątek dla www.elektroda.pl do Adblock.
Dzięki temu, że oglądasz reklamy, wspierasz portal i użytkowników.

Halogen - mosfet (rola żarnika - drut oporowy)

05 Mar 2019 20:03 171 5
  • Poziom 8  
    Witam
    Czytałem tematy podobne ale jednak dalej mam pytania.

    Robię obwód prototypowy, testowy dla układu docelowego na zasilaniu 3V3, w którym będę używał n-mosfetów do włączania obciążenia na 12v i 5A.
    Mam je dobrane do docelowej aplikacji jednak dla testu chciałbym podmienić te obciążenia (dla wizualizacji) żaróweczkami halogenowymi 12v o najmniejszej mocy jaka była na półce (10W).
    I tu pojawia się dylemat:
    halogen jest 12V 10W i ma na zimno 1,5Ω (tak doczytałem się że żarnik jak to drut oporowy będzie miał rosnącą rezystancję).
    Więc z P=U*I wychodzi że I=0,8(3)A - super
    ale z I=U/R wychodzi I=8A !! I to jest za dużo dla mojego mosfeta.

    Zdaję sobie sprawę że taki prąd będzie w czasie t[0] ale nie wiem jak szybko rezystancja będzie rosła.
    Co będzie pierwsze? Czy sfajczę mosfety czy halogen podniesie rezystancję przynajmniej do 3Ω i przynajmniej kilkukrotnie będę mógł takie obciążenie włączać ?

    z góry dziękuję za wskazówki
  • Pomocny post
    Poziom 32  
    Keeny napisał:
    Czy sfajczę mosfety

    Zależy od typu tranzystora. Bez podanego konkretnego egzemplarza nie da się odpowiedzieć.
    Ale jeśli układ zostanie zaprojektowany do obciążenia roboczego 5A to 8A podczas załączania halogena to nie problem.
  • Pomocny post
    Poziom 33  
    Keeny napisał:
    zasilaniu 3V3, w którym będę używał n-mosfetów

    Znajdź najpierw MOSFET który będzie w pełni otwarty przy 3.3V.
    Keeny napisał:
    Zdaję sobie sprawę że taki prąd będzie w czasie t[0] ale nie wiem jak szybko rezystancja będzie rosła.

    Żarnik halogena 10W rozgrzeje się szybciej niż MOSFET się spali.
  • Poziom 8  
    Dziękuję bardzo za odpowiedzi - trochę mnie uspokoiły.
    Z mosfetów posiadam:
    CPH3448-TL-W - https://pl.mouser.com/datasheet/2/308/CPH3448-D-463780.pdf
    SI2336DS-T1-GE3 - https://pl.mouser.com/datasheet/2/427/si2336ds-260499.pdf
    FDN359BN - https://pl.mouser.com/datasheet/2/308/FDN359BN-1300524.pdf

    Wybrałem SI2336DS'a.
    Zaznaczę, że docelowe obciążenie będzie załączane na 0,2 do max 1 sekundy.
    Jedynie teraz do testów i pisania kodu na uC chcę wizualnie mieć kontrolę nad sterowaniem, sprawdzaniem ciągłości obwodu itp.
  • Poziom 32  
    No i SI2336DS dobry wybór.
  • Poziom 43  
    Keeny napisał:
    ale z I=U/R wychodzi I=8A !! I to jest za dużo dla mojego mosfeta.

    Zdaję sobie sprawę że taki prąd będzie w czasie t[0] ale nie wiem jak szybko rezystancja będzie rosła.
    SOA SI2336DS dopuszcza 8A przez 100ms, po tym czasie struktura osiągnie 150°C.

    Nie mam pojęcia czy rozgrzanie żarówki halogenowej trwa mniej niż 100ms, jednak przypuszczam że szanse na przekroczenie tego czasu są spore.

    SOT-23 to jednak bardzo mała obudowa, jak na element pracujący w obwodach mocy, obudowa krótkiej cieplnej stałej czasowej, dał byś SOT-89 mógł byś dopuścić przeciążenie do 10A przez 1s albo dłużej. SOT-223 też jest dobra i każda która ma kawał blachy pod drenem lub termopad. Dodatkowa masa metalu (część obudowy lutowie i ścieżki) pod strukturą krzemową pozwoli na bezpieczne wydzielenie większych energii.