Elektroda.pl
Elektroda.pl
X
Elektroda.pl
Proszę, dodaj wyjątek dla www.elektroda.pl do Adblock.
Dzięki temu, że oglądasz reklamy, wspierasz portal i użytkowników.

Samsung zapowiada układy 3 nm

ghost666 19 Maj 2019 14:53 528 0
  • Samsung zapowiada układy 3 nm
    Wczoraj donosiliśmy o planach Intela dotyczących procesu 7 nm, ale nie jest to ostatni krok w rozwoju technologii półprzewodnikowej. Firma samsung zapowiedziała, że zamierza opracować technologię 3 nm, wykorzystując do tego nowatorską implementację dookólnej bramki tranzystora FET.

    Na organizowanym prze siebie wydarzeniu Samsung Foundry Forum, które odbyło się w mijającym tygodniu, firma poinformowała, że Zestaw Projektowy dla układów 3 nm wszedł do fazy alfa i osiągnął wersję 0.1. W najbliższych latach Samsung planuje wydać taki zestaw nie tylko dla technologii 3 nm, ale też 7 nm, 6 nm, 5 nm i 4 nm.

    W procesie 3 nm Samsung zamierza wykorzystywać nowy rodzaj architektury tranzystorów. Od czasu gdy Intel wprowadził proces 22 nm, wysokowydajne CPU i GU wykorzystywały tzw. tranzystory FinFET (korzystają z nich TSMC, Samsung i Globalfoundries w technologiach 16 nm i 14 nm). Procesy 10 nm i 7 nm także wykorzystały FinFETy - pionowe "płetwy", odmienne od poprzedniej struktury 2D z typowym kształtem kanału, co zwiększa powierzchnię styku między kanałem tranzystora a bramką.

    Samsung zapowiada układy 3 nm


    Nowym rozwiązaniem mają być tranzystory polowe z dookólną bramką (GAA). Istnieją dwie możliwości zbudowania nowej struktury GAA - nanodruty i nanopłatki. Nanodruty są trudne do wytworzenia, ale optymalne dla układów małej mocy. Uważa się, że nanopłatki są lepsze pod względem wydajności i skalowania. Samsung zamierza zastosować to podejście do swojego procesu 3 nm. Projekt nazwany został MBCFET, - tranzystor polowy z wieloma mostami kanału.

    W porównaniu do procesu 7 nm, technologia 3 nm oferuje dosyć istotne postępy, ale należy pamiętać, że zanim układy takie trafią do produkcji upłynie sporo czasu. Na slajdzie poniżej widzimy, ile Samsung obiecuje w nowym procesie.

    Samsung zapowiada układy 3 nm
    Samsung nie określił dokładnie, czym różni mają się od siebie kolejne procesy, ani jakich ścieżek oczekuje od poszczególnych klientów je wykorzystujących, ale znane są pewne podstawowe aspekty nowych procesów. 8 nm, na przykład nie używa EUV, podczas gdy 7 nm już tak. Firma twierdzi, że oferuje "cztery procesy oparte na technologii FinFET od 7 nm do 4 nm, które wykorzystują technologię ultrafioletową (EUV), a także 3 nm układy GAA lub MBCFET".

    Obecnie Samsung przewiduje wprowadzenie w pierwszej połowie 2020 roku procesu 5 nm do swoich fabryk. Ma on charakteryzować się o 10% wyższą wydajnością układów i 20% mniejszym poborem prądu niż technologia 7 nm. Pierwsze układy scalone produkowane w tej technologii mają być wprowadzone do sprzedaży już pod koniec 2020 roku lub na początku 2021 roku. W tym samym okresie mają zacząć pojawiać się pierwsze układy 3 nm, ale projekty te obarczone są znacznie większym ryzykiem projektowym niż inne technologie, o większym wymiarze charakterystycznym.

    Samsung przewodził w światowym rankingu producentów układów scalonych w czasach przejścia na technologię 14 nm, ale utracił tę pozycję na rzecz TSMC podczas przejścia 10 nm. W przeciwieństwie do TSMC, od początku zdecydowali się oni wdrożyć EUV w swoim procesie 7nm. Dotychczas Samsung nie podał publicznie zdobycia żadnych dużych klientów, takich jak AMD czy Nvidia, na swoje przyszłe produkty, chociaż podpisała już umowę z IBM na budowę przyszłych procesorów z rodziny POWER. Firma ustanowiła agresywny harmonogram rozwoju dla siebie i wyraźnie zamierza zrealizować go, by wygrać z TSMC w celu uzyskania wiodącej pozycji na rynku.

    Źródło: https://www.extremetech.com/computing/291507-samsung-unveils-3nm-gate-all-around-design-tools

    Fajne! Ranking DIY