Elektroda.pl
Elektroda.pl
X
flexghzflexghz
Proszę, dodaj wyjątek dla www.elektroda.pl do Adblock.
Dzięki temu, że oglądasz reklamy, wspierasz portal i użytkowników.

Nowoczesna pamięć MRAM, gotowa na wdrożenie w systemach 5G

ghost666 16 Sty 2020 10:23 954 4
  • Nowoczesna pamięć MRAM, gotowa na wdrożenie w systemach 5G
    Firma Everspin wprowadza właśnie na rynek 32-Mb pamięci typu Toggle-MRAM. W ten sposób utrzymuje swoją wiodącą pozycję na rynku tego rodzaju pamięci MRAM.

    Potencjał pamięci MRAM o większej gęstości jako nowego rodzaju pamięci, która powstaje w celu zastąpienia obecnych technologii, takich jak DRAM czy Flash - często już przyćmiewa te technologie, gdy już z powodzeniem wypiera te technologie, pojawiając się w implementacji w postaci pamięci Toggle MRAM.

    W przypadku Everspin Technologies sukces pamięci Toggle MRAM pomaga w realizacji ambicji firmy w innych obszarach produktowych. Firma niedawno zaprezentowała nowy, 32-Mb układ Toggle MRAM, który podwaja pojemność obecnych pamięci, obecnych na rynku. Został on zaprojektowany w celu umożliwienia krytycznym aplikacjom, które potrzebują opcji o wyższej gęstości, takich jak przechowywanie konfiguracji, rejestrowanie danych w systemach wbudowanych i urządzeniach Internetu rzeczy (IoT), a także w systemach wykorzystujących technologię 5G.

    Dlaczego więc nie pozwolić tym klientom na korzystanie z dwóch urządzeń o pojemności 16 Mb? Na to pytanie stara się odpowiedzieć Troy Winslow, wicedyrektor Everspin ds. światowej sprzedaży.

    Mówi on, że nowa, większa pojemność pamięci Toggle MRAM odpowiada na potrzeby klientów, którzy umieszczali na pokładzie swoich urządzeń wiele układów o pojemności 16 megabajtów, co zwiększało złożoność konstrukcji i zajmowało więcej powierzchni na płytce drukowanej. Pamięci typu toggle MRAM ogólnie oferują prostotę, zwłaszcza gdy zastępują rozwiązania oparte o SRAM i EEPROM, które Winslow opisuje jako prowizoryczne, szczególnie po dodaniu do SRAM baterii do podtrzymywania jej zawartości. "Po prostu nie ma porównania z prostotą konstrukcji, a także długoterminowej niezawodności urządzenia MRAM".

    I chociaż sektor 5G wciąż rośnie, to nadal znajduje się w trybie testowym, firma Everspin spodziewa się, że niebawem jednak sprzedaż systemów w tym sektorze może eksplodować - najpewniej w ciągu najbliższych dwóch lat. Winslow uważa, że pamięci toggle MRAM będą w stanie sprostać zapotrzebowaniu na pojemność do przechowywania danych i kodu programu. "Przepływ danych z tych urządzeń będzie wymagał coraz większej trwałości pamięci na wypadek utraty zasilania i rejestrowania danych".

    Najnowsze układy Toggle MRAM firmy Everspin zostały przetestowane przez klientów z sektorów zarówno gier, przemysłu, wojska, jak i przemysłu lotniczego oraz kosmicznego. Wszystkie te firmy korzystają z zalet nieograniczonej liczby cyklów odczytu i zapisu układów oraz szerokiego zakresu temperatur pracy tych elementów - od -40°C do 125°C.

    Oprócz większej pojemności 32-megabitowe układy Toggle MRAM utrzymuje wysoką prędkość odczytu i zapisu oraz 20-letnie, gwarantowane przechowywanie danych dostępne we wszystkich urządzeniach MRAM firmy Everspin. Firma wypuściła na rynek również układy o pojemności 2 Mb i 8 Mb dla klientów o mniejszych wymaganiach dotyczących pojemności danych w celu uzupełnienia istniejących urządzeń o pojemności 1 Mb, 4 Mb i 16 Mb. Wszystkie te układy posiadają interfejsy szeregowe i równoległe i dostępne są w kilku popularnych obudowach.

    Winslow powiedział również, że wiele dyskusji branżowych dotyczyło produktów STT - pamięci MRAM o wyższej gęstości. Zapominano, że układy typu Toggle istnieją na rynku już od jakiegoś czasu. Everspin po raz pierwszy rozpoczął ich produkcję w 2006 roku i ma bardzo szerokie portfolio tych produktów, jak dla firmy o tak dużej i zróżnicowanej bazie klientów.

    Jim Handy, główny analityk z Objective Analysis, powiedział, że ma ogromny sens to, że Everspin korzysta z czegoś, co już zrobił w czasie, gdy firma mogła wykorzystać dodatkowe przychody na badania. "Wytwarzanie pochodnych elementów, do tych, które już sprzedają się w dużych ilościach, jest łatwe i tanie". Nie uważa on jednak, aby klienci przejmowali się tym, czy otrzymają Toggle MRAM czy STT, jeśli dany element spełnia te same wymagania.

    Handy powiedział ponadto, że obecnie głównym zastosowaniem pamięci Toggle MRAM jest zamiana kombinacji SRAM z baterią w systemach, w których dane muszą być podtrzymywane. Nawet jeśli zasilanie systemu zostanie odłączone lub ulegnie awarii, pamięć taka nie ulegnie awarii. Jest także doskonałym zamiennikiem pamięci Flash SRAM oraz NOR w aplikacjach narażonych na duże promieniowanie, zwłaszcza w satelitach, gdzie promieniowanie kosmiczne eliminuje z zastosowania większość współczesnych technologii pamięci.

    Nowoczesna pamięć MRAM, gotowa na wdrożenie w systemach 5G
    STT MRAM został opracowany, aby umożliwić skalowanie pamięci MRAM do mniejszych rozmiarów niż pozwala na to toggle MRAM. Handy mówi, że starsze elementy produkowane przez Everspin (o mniejszej gęstości) są budowane przy użyciu procesu 130 nm dla technologii Toggle MRAM, podczas gdy nowsze części wykorzystują technologię 90 nm dla pamięci STT. "Dla użytkownika jest to prawie to samo, ale jest tańsze", powiedział Handy. Główną zaletą nowych pamięci MRAM jest ich zwiększona gęstość upakowania.

    Handy twierdzi, że MRAM cieszy się dużym zainteresowaniem producentów urządzeń półprzewodnikowych, ponieważ nie mogą oni w żaden sposób sprawić, by NOR Flash był mniejszy niż 28 nm, a ich klienci szukają substytutu dla systemów o mniejszej technologii. Everspin pomaga tym fabrykom wprowadzać MRAM w standardowych procesach technologicznych CMOS. "Im więcej układów jest wytwarzanych przy użyciu MRAM, tym bardziej wydajna i tańsza będzie jego produkcja" - powiedział analityk - "Wszystko to jest mocno ze sobą związane. Im taniej produkuje, tym więcej sprzedaje".

    Chociaż STT MRAM może być skalowany do mniejszych wymiarów niż pamięci typu Toggle MRAM to finalnie, dzięki kurczeniu się technologii, pamięci MRAM będą niższe niż koszy pamięci SRAM, NOR Flash, a może i DRAM (NAND Flash pozostanie najpewniej tańszy niż jakiekolwiek pamięci MRAM). Póki co Everspin jest nie tylko wiodącym producentem Toggle MRAM, ale także firmą sprzedającą dyskretne, niezależne układy MRAM obu rodzajów. "Inni mają nadzieję na nadrobienie zaległości" - dodaje Handy.

    Tegoroczny raport Emerging Memories, którego Handy, wraz z Thomasem Coughlinem, jest współautorem, prognozuje, że nowe pamięci, w tym MRAM, mogą osiągnąć poziom do 20 miliardów dolarów przychodów do 2029 roku.

    Źródło: https://www.eetimes.com/toggle-mram-readies-for-5g/

    Fajne! Ranking DIY
    O autorze
    ghost666
    Tłumacz Redaktor
    Offline 
    Fizyk z wykształcenia. Po zrobieniu doktoratu i dwóch latach pracy na uczelni, przeszedł do sektora prywatnego, gdzie zajmuje się projektowaniem urządzeń elektronicznych i programowaniem. Od 2003 roku na forum Elektroda.pl, od 2008 roku członek zespołu redakcyjnego.
    ghost666 napisał 9552 postów o ocenie 7618, pomógł 157 razy. Mieszka w mieście Warszawa. Jest z nami od 2003 roku.
  • flexghzflexghz
  • flexghzflexghz
  • #3
    krisRaba
    Poziom 29  
    ghost666 napisał:
    32-Mb pamięci
    ghost666 napisał:
    wiele układów o pojemności 16 megabajtów

    Także ten ;) Kto by się tam przejmował ośmiokrotną różnicą ;) :lol:

    ghost666 napisał:
    który podwaja pojemność obecnych pamięci, obecnych na rynku.

    ;)

    ghost666 napisał:
    Potencjał pamięci MRAM o większej gęstości jako nowego rodzaju pamięci, która powstaje w celu zastąpienia obecnych technologii, takich jak DRAM czy Flash - często już przyćmiewa te technologie, gdy już z powodzeniem wypiera te technologie, pojawiając się w implementacji w postaci pamięci Toggle MRAM.

    Że co?! A niby Google Translator miał już nie kaleczyć języka polskiego. Toż to bełkot jakiś ciężki do zrozumienia :lol:

    ghost666 napisał:
    ma ogromny sens to, że Everspin korzysta z czegoś

    :lol: :lol: :lol: Dobra, wiem że trochę wyrwane z kontekstu, ale nawet przeczytanie całego zdania wywołuje "oko-łamanie" i śmiech

    ghost666 napisał:
    zastosowaniem pamięci Toggle MRAM jest zamiana kombinacji SRAM z baterią w systemach

    I na co ten Toggle MRAM zamieni tę kombinację? :lol: Może wyparcie lub zastąpienie?
  • #4
    Marek_Skalski
    Moderator DIY
    Jestem zafascynowany postępem technologicznym opisanym w artykule.
    W technice kosmicznej komórka pamięci jest możliwie duża, aby uniknąć jej dewastacji w pojedynczym zderzeniu z cząstką o wysokiej energii. A oni tu chwalą się zmniejszaniem wymiarów ze 130 nm do 90 nm i celują w 28 nm, czyli tyle samo co NOR_Flash.
    ghost666 napisał:
    Potencjał pamięci MRAM o większej gęstości jako nowego rodzaju pamięci, która powstaje w celu zastąpienia obecnych technologii, takich jak DRAM czy Flash

    ghost666 napisał:
    Handy twierdzi, że MRAM cieszy się dużym zainteresowaniem producentów urządzeń półprzewodnikowych, ponieważ nie mogą oni w żaden sposób sprawić, by NOR Flash był mniejszy niż 28 nm, a ich klienci szukają substytutu dla systemów o mniejszej technologii.

    Firma Everspin zaprojektowała układ o oszałamiającej pojemności 32 Mb (4 MB), tylko z interfejsem równoległym 16-bit, w dużych obudowach (większej od karty µSD) z czasem dostępu do danych 35 ns (zegar 28 MHz). Pytanie czy i kiedy wprowadzi go do produkcji? Dzisiaj dostępne są tylko sample do testów.
    Dla porównania NOR-Flash: Bez problemu mogę kupić 2 Gb (256 MB) z interfejsem szeregowym (QSPI) w małej obudowie, z czasem dostępu do danych rzędu 5 ns (zegar >200 MHz). I wiem, że NOR-Flash ma długi czas kasowania sektora, ale mówimy o pamięci programu dla systemów embedded. Jak potrzebuję magazyn danych, to wezmę NAND-Flash, która kosztuje grosze niezależnie od obudowy (die, scalak, karta pamięci).
    No właśnie, jaki jest koszt pamięci? Aktualnie dostępne u dystrybutorów są pamięci MRAM o pojemności do 16 Mb.
    MRAM to koszt rzędu 120 PLN netto za 16 Mb.
    FRAM to koszt rzędu 120 PLN netto za 8 Mb. (Większych dzisiaj nie znalazłem)
    NOR-Flash to koszt rzędu 1,6 - 12 PLN netto za 16 Mb. 2 Gb to koszt rzędu 60-90 PLN netto.
    NAND-Flash to koszt rzędu 10 - 30 PLN netto za 2 Gb. Układy o pojemności 16 Mb nie są produkowane.
    O zastąpieniu pamięci DRAM to chyba nawet nie ma sensu pisać.

    Everspin ma tylko jeden produkt - pamięci MRAM.
    Pamięci MRAM są rozwijane i dostarczane przez jedną firmę na świecie - Everspin Technologies.
    Czy warto stosować drogi produkt, o słabych parametrach, mając tylko jednego dostawcę, kiedy można go zastąpić na kilka innych sposobów?
  • #5
    Roman.Adamski
    Poziom 9  
    Czy warto stosować drogi produkt, o słabych parametrach, mając tylko jednego dostawcę, kiedy można go zastąpić na kilka innych sposobów?
    Odpowiedź na to pytanie jest jednoznaczna. Zdecydowanie tak!
    Oczywiście do wielokrotnego ciągłego zapisu i do nie bywałej nie zawodności. Czyli tam gdzie żaden ee-prom ani flash nie wytrzyma takiej ilości cyklów zapisu nawet o kilka rzędów wielkości.
    Czyli trwałość.Nie wspomnę już o retencji zapisanych danych.