Elektroda.pl
Elektroda.pl
X
Proszę, dodaj wyjątek dla www.elektroda.pl do Adblock.
Dzięki temu, że oglądasz reklamy, wspierasz portal i użytkowników.

UnitedSiC wprowadziło FETy w obudowie DFN 8×8 z o najniższym RDS(on) na rynku

ghost666 06 Lut 2020 15:50 783 3
  • UnitedSiC wprowadziło FETy w obudowie DFN 8×8 z o najniższym RDS(on) na rynku
    Firma UnitedSiC wprowadziła do sprzedaży tranzystor FET w obudowie DFN 8×8 z o najniższym RDS(on) na rynku. Tranzystory UF3SC065030D8 i UF3SC065040D8, to elementy wykonane z węglika krzemu. Produkowane są w popularnej, niskoprofilowej obudowie do montażu powierzchniowego DFN 8 × 8. Urządzenia te pracować mogą z napięciami do 650 V; zastępują one dwa standardowe urządzenia krzemowe, umożliwiając inżynierom budowanie obwodów przełączających o większej wydajności i wyższej gęstości mocy niż jest to możliwe przy podejściu dyskretnym.

    Aplikacje tych elementów będą obejmować układy indukcyjne oraz przetwornice wysokiej mocy z mostkiem, pracujące przy częstotliwości od 50 kHz do 500 kHz w systemach bezprzewodowych i telekomunikacyjnych, ale także standardowe zastosowania np. w korekcji współczynnika mocy (PFC).

    UF3SC065030D8S to tranzystor FET SiC z napięciem pracy 650 V i RDS(on) równym 34 mΩ, natomiast UF3SC065040D8S to charakteryzuje się RDS(on) równym 45 mΩ. Są to najniższe wartości RDS(on) dla urządzeń SiC FET w tej klasie napięcia pacy, dostępne w obudowie DFN 8 × 8. Oba tranzystory polowe mają prąd znamionowy równy 18 A (ograniczony przez liczbę wyprowadzeń obudowy) i maksymalną temperaturę pracy równą 150°C.

    Części te wykorzystują unikalną konfigurację stosu UnitedSiC do wspólnego pakowania elementów SiC JFET z krzemowymi MOSFETami, tworząc urządzenie normalnie wyłączone w technologii SiC FET. Sterownik bramki tego elementu może być zasilany napięciem od 0 do 12 V, a charakterystyka drivera bramki jest zgodna ze standardowymi wymaganiami Si FET, IGBT czy MOSFET SiC. Elementy te posiadają również powrót ładunku brami podłączony w topologii Kelvina, co umożliwia lepsze nią sterowanie.

    Prezentowane SiC FET są kompatybilne wyprowadzeniami ze sobą i z innymi tranzystorami w obudowach DFN 8x8 tej klasy, co pozwala na łatwą aktualizację istniejących projektów. Ponieważ ich niższe rozpraszanie mocy umożliwia przełączanie przy wyższych częstotliwościach, projektanci mogą osiągnąć większą wydajność konwersji i większą gęstość mocy w projektach, w których zajmowana przestrzeń jest na wagę złota. Ponadto kompaktowa obudowa do montażu powierzchniowego doskonale nadaje się do konstrukcji o niskiej indukcyjności. Bardzo niski opór cieplny został osiągnięty dzięki zastosowaniu zaawansowanej technologii spiekanej obudowy.

    Układy UnitedSiC charakteryzują się bardzo niskim ładunkiem potrzebnym do zmiany stanu bramki i wyjątkowymi właściwościami dynamicznymi, co czyni je idealnymi do przełączania obciążeń indukcyjnych w dowolnych aplikacjach, która wykorzystuje standardowe drivery bramki. Dzięki temu można je również stosować w konstrukcjach o wysokiej częstotliwości pracy, ponieważ strata sygnału sterującego jest minimalna przy częstotliwościach przełączania do 500 kHz. Oba prezentowane urządzenia mają wbudowaną ochronę przed wyładowaniami elektrostatycznymi, o są zgodne z MSL3.

    Źródło: https://www.eeweb.com/profile/eeweb/news/unitedsic-launches-lowest-rdson-fets-in-dfn-8-8-format

    Fajne! Ranking DIY
    O autorze
    ghost666
    Tłumacz Redaktor
    Offline 
    Fizyk z wykształcenia. Po zrobieniu doktoratu i dwóch latach pracy na uczelni, przeszedł do sektora prywatnego, gdzie zajmuje się projektowaniem urządzeń elektronicznych i programowaniem. Od 2003 roku na forum Elektroda.pl, od 2008 roku członek zespołu redakcyjnego.
    ghost666 napisał 9552 postów o ocenie 7618, pomógł 157 razy. Mieszka w mieście Warszawa. Jest z nami od 2003 roku.
  • #3
    ghost666
    Tłumacz Redaktor
    bolek napisał:
    18A da przy tych 45mΩ blisko 15W, Rezystancja obudowy to 0,5K/W, ale już przeciętny dwuwarstowy FR4 idzie w tysiące K/W.
    Bez profesjonalnej zabawy raczej tego nie rozgoni, do kompletu polecam np taką lekturę: http://beta.nis.com.pl/userfiles/editor/nauka/32014_n/Domoracki_03-2014.pdf


    Bardzo fajny artykuł. Fajnie modeluje to co robią przelotki termiczne. Tutaj tylko uwaga - przelotki pod padami, to czasami poważna pułapka ;). Zakładam jednak, że przy takiej płytce (amatorzy po SiC raczej nie sięgają), to można pozwolić sobie na epoksydowanie i platerowanie padów.
  • #4
    krzysiek_krm
    Poziom 37  
    bolek napisał:
    18A da przy tych 45mΩ blisko 15W, Rezystancja obudowy to 0,5K/W, ale już przeciętny dwuwarstowy FR4 idzie w tysiące K/W.
    Bez profesjonalnej zabawy raczej tego nie rozgoni, do kompletu polecam np taką lekturę: http://beta.nis.com.pl/userfiles/editor/nauka/32014_n/Domoracki_03-2014.pdf

    W sumie wiadomo dlaczego parametr "maksymalny prąd drenu" jest generalnie nieosiągalny w praktycznych warunkach, dla tych tranzystorów jest tak w ogóle ograniczony przez bonding.
    Z drugiej strony, przy dużych napięciach dren - źródło, dynamiczne straty mocy mogą być bardzo znaczące.