Elektroda.pl
Elektroda.pl
X
Proszę, dodaj wyjątek dla www.elektroda.pl do Adblock.
Dzięki temu, że oglądasz reklamy, wspierasz portal i użytkowników.

Czy możliwe jest lepsze upakowanie pamięci DRAM?

ghost666 16 Mar 2020 20:29 459 0
  • Czy możliwe jest lepsze upakowanie pamięci DRAM?
    Trójwymiarowe układanie struktur w układach scalonych nie jest niczym nowym, ale teraz pojawiła się na rynku firma, która uważa, że potrafi upakować pamięci DRAM w lepszy sposób niż robi się to dotychczas. Xperi Corporation, bo o niej mowa, reprezentuje szerokie portfolio technologii. Spółka niedawno pochwaliła się nową umową licencyjną na patent i technologię z SK Hynix. Umowa obejmuje dostęp do portfolio patentów półprzewodnikowych, głównie technologię połączeń Invensas DBI Ultra 3D, dedykowaną dla pamięci następnej generacji.

    Prezes Invensas (spółki składowej Xperi Corporation, Craig Mitchell, powiedział, że platforma DBI Ultra może potencjalnie pozwolić branży półprzewodników wykraczać poza rozwój zgodny z prawem Moora, umożliwiając produkcję 8-, 12-, a nawet 16-warstwowych układów scalonych. Firma ma kilka wersji technologii bezpośredniego połączenia bezpośredniego (DBI), która łączy ze sobą dwa płytki i która może być stosowana do czujników, pamięci NAND Flash i układów DRAM. "Gdy patrzymy na rozwój w sektorze półprzewodników, integracja 3D staje się coraz ważniejsza".

    DBI Ultra umożliwia niskotemperaturowe, niskoprofilowe łączenie układów półprzewodnikowych na różnym poziomie integracji. Technika ta pozwala na stworzenie cieńszych połączeń niż konwencjonalne metody, eliminując potrzebę stosowania miedzianych słupków. Umożliwia także układanie w stos układów o takich samych lub różnych rozmiarach, produkowanych na cienkich lub grubych węzłach podłożach, przy jednoczesnym łatwym skalowaniu do rastra połączeń na poziomie 1 µm.

    Mitchell powiedział, że technologia DBI najpierw przyciągała uwagę producentów małych czujników obrazu, które muszą być wyjątkowo cienkie, ale teraz firma koncentruje się na rozszerzeniu tego procesu na inne rynki i inne zastosowania, w tym 3D NAND i DRAM.

    Jako ogólna koncepcja układanie struktur półprzewodnikowych w stosy nie jest niczym nowym i trudno jest stwierdzić, czy to, co oferuje Xperi, będzie znaczącym krokiem naprzód, wskazuje Jim Handy, główny analityk z Objective Analysis. Przypomina to sytuację technologii Tessera, która też znajduje się w portfolio Xperi. Firma ta, po raz pierwszy prezentowała nowy sposób pakowania układów pamięci w latach '90. Ogłoszono, że jest to lepszy sposób niż to, co robiono wówczas, a Xperi zasadniczo robi teraz to samo. "Mają jakiś sposób na układanie chipów w stos, dlatego szukają aplikacji, które wymagają takiego układania".

    Handy powiedział, że przysłowie o młotku (gdzie ​​wszystko wygląda jak gwóźdź, gdy ma się go w ręce) jest tutaj całkiem zasadne. Firmie wydaje się, że nagle odpowiedzią na wszystko jest ułożony w stos układ scalony. "To, czy tak jest, czy nie, to zupełnie inna sprawa". Zdecydowanie istnieją aplikacje, które lubią układane w stosy, takie jak telefony komórkowe, gdzie istotny jest niewielki rozmiar tego rozwiązania, ale producenci nie zawsze są skłonni płacić więcej za takie układy.

    Ostatecznie wartość technologii Xperi będzie zależeć od tego, czy jej wdrożenie w produkcji o dużym wolumenie pozwoli obniżyć koszty wystarczająco, by wdrożyć ją do szerszej adaptacji, wskazuje Handy. "Wówczas technologia ta może odnaleźć się w bardziej wrażliwych na koszty aplikacjach, takich jak telefony komórkowe" podsumowuje analityk.

    Źródło: https://www.eetimes.com/can-dram-be-stacked-better/

    Fajne! Ranking DIY
    O autorze
    ghost666
    Tłumacz Redaktor
    Offline 
    Fizyk z wykształcenia. Po zrobieniu doktoratu i dwóch latach pracy na uczelni, przeszedł do sektora prywatnego, gdzie zajmuje się projektowaniem urządzeń elektronicznych i programowaniem. Od 2003 roku na forum Elektroda.pl, od 2008 roku członek zespołu redakcyjnego.
    ghost666 napisał 9642 postów o ocenie 7736, pomógł 157 razy. Mieszka w mieście Warszawa. Jest z nami od 2003 roku.